| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 25961 | 1N5518B | 0,4 W, Niederspannung Lawinendiode. Nenn Zenerspannung 3,3 V. Teststrom 20 mA DC. + -5% Toleranz. | Jinan Gude Electronic Device |
| 25962 | 1N5518B (DO35) | Niederspannung Lawine Zener | Microsemi |
| 25963 | 1N5518B-1 | NIEDRIGE RÜCKDURCHSICKERN-EIGENSCHAFTEN | Compensated Devices Incorporated |
| 25964 | 1N5518B-1 | Low Voltage Avalanche Zener | Microsemi |
| 25965 | 1N5518BUR-1 | Low Voltage Avalanche Zener | Microsemi |
| 25966 | 1N5518C | NIEDERSPANNUNG 0.4W LAWINE DIODEN | Jinan Gude Electronic Device |
| 25967 | 1N5518C | NIEDERSPANNUNG 0.4W LAWINE DIODEN | Jinan Gude Electronic Device |
| 25968 | 1N5518D | Verbleiter Zener Diode Universeller Zweck | Central Semiconductor |
| 25969 | 1N5518D | 0,4 W, Niederspannung Lawinendiode. Nenn Zenerspannung 3,3 V. Teststrom 20 mA DC. + -1% Toleranz. | Jinan Gude Electronic Device |
| 25970 | 1N5519 | Niederspannung Lawine Zener | Microsemi |
| 25971 | 1N5519 | NIEDERSPANNUNG 0.4W LAWINE DIODEN | Jinan Gude Electronic Device |
| 25972 | 1N5519 | NIEDERSPANNUNG LAWINE ZENER DIODEN HOHE LEISTUNG: NIEDRIGE GERÄUSCHE, NIEDRIGES DURCHSICKERN | Knox Semiconductor Inc |
| 25973 | 1N5519A | Niederspannung Lawine Zener | Microsemi |
| 25974 | 1N5519A | 0,4 W, Niederspannung Lawinendiode. Nenn Zenerspannung 3,6 V. Teststrom 20 mA DC. + -10% Toleranz. | Jinan Gude Electronic Device |
| 25975 | 1N5519B | Niederspannung Lawine Zener | Microsemi |
| 25976 | 1N5519B | Niederspannung Lawine Zener | Microsemi |
| 25977 | 1N5519B | NIEDRIGE RÜCKDURCHSICKERN-EIGENSCHAFTEN | Compensated Devices Incorporated |
| 25978 | 1N5519B | 0,4 W, Niederspannung Lawinendiode. Nenn Zenerspannung 3,6 V. Teststrom 20 mA DC. + -5% Toleranz. | Jinan Gude Electronic Device |
| 25979 | 1N5519B (DO35) | Niederspannung Lawine Zener | Microsemi |
| 25980 | 1N5519B-1 | NIEDRIGE RÜCKDURCHSICKERN-EIGENSCHAFTEN | Compensated Devices Incorporated |
| 25981 | 1N5519B-1 | Low Voltage Avalanche Zener | Microsemi |
| 25982 | 1N5519BUR-1 | Low Voltage Avalanche Zener | Microsemi |
| 25983 | 1N5519C | NIEDERSPANNUNG 0.4W LAWINE DIODEN | Jinan Gude Electronic Device |
| 25984 | 1N5519C | NIEDERSPANNUNG 0.4W LAWINE DIODEN | Jinan Gude Electronic Device |
| 25985 | 1N5519D | NIEDERSPANNUNG 0.4W LAWINE DIODEN | Jinan Gude Electronic Device |
| 25986 | 1N5519D | NIEDERSPANNUNG 0.4W LAWINE DIODEN | Jinan Gude Electronic Device |
| 25987 | 1N5520 | Niederspannung Lawine Zener | Microsemi |
| 25988 | 1N5520 | NIEDERSPANNUNG 0.4W LAWINE DIODEN | Jinan Gude Electronic Device |
| 25989 | 1N5520 | NIEDERSPANNUNG LAWINE ZENER DIODEN HOHE LEISTUNG: NIEDRIGE GERÄUSCHE, NIEDRIGES DURCHSICKERN | Knox Semiconductor Inc |
| 25990 | 1N5520A | Niederspannung Lawine Zener | Microsemi |
| 25991 | 1N5520A | 0,4 W, Niederspannung Lawinendiode. Nenn Zenerspannung 3,9 V. Teststrom 20 mA DC. + -10% Toleranz. | Jinan Gude Electronic Device |
| 25992 | 1N5520B | Niederspannung Lawine Zener | Microsemi |
| 25993 | 1N5520B | Niederspannung Lawine Zener | Microsemi |
| 25994 | 1N5520B | NIEDRIGE RÜCKDURCHSICKERN-EIGENSCHAFTEN | Compensated Devices Incorporated |
| 25995 | 1N5520B | Verbleiter Zener Diode Universeller Zweck | Central Semiconductor |
| 25996 | 1N5520B | 0,4 W, Niederspannung Lawinendiode. Nenn Zenerspannung 3,9 V. Teststrom 20 mA DC. + -5% Toleranz. | Jinan Gude Electronic Device |
| 25997 | 1N5520B (DO35) | Niederspannung Lawine Zener | Microsemi |
| 25998 | 1N5520B-1 | NIEDRIGE RÜCKDURCHSICKERN-EIGENSCHAFTEN | Compensated Devices Incorporated |
| 25999 | 1N5520B-1 | Low Voltage Avalanche Zener | Microsemi |
| 26000 | 1N5520BUR-1 | Low Voltage Avalanche Zener | Microsemi |
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