| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 272441 | BU407HTU | NPN Epitaxial- Silikon-Transistor | Fairchild Semiconductor |
| 272442 | BU407TU | NPN Epitaxial- Silikon-Transistor | Fairchild Semiconductor |
| 272443 | BU408 | NPN Epitaxial- Silikon-Transistor | Fairchild Semiconductor |
| 272444 | BU408 | Verbleiter Energie Transistor-Universeller Zweck | Central Semiconductor |
| 272445 | BU408 | 400 V, 7 A, NPN Silizium-Epitaxie-Transistor | Samsung Electronic |
| 272446 | BU408 | NPN epitaktischen Siliziumtransistor. Hochspannungsschalt für Horizontalablenkung Endstufe. Kollektor-Basisspannung 400V. Kollektor-Emitter-Spannung 200V. Emitter-Basis-Spannung 6V. | Wing Shing Computer Components |
| 272447 | BU4081B | Viererkabel 2-input UND Gatter | ROHM |
| 272448 | BU4081B/BF/BFV | Standard-Logik LSIs > CMOS Logik BU4000B Reihe | ROHM |
| 272449 | BU4081BF | Viererkabel 2-input UND Gatter | ROHM |
| 272450 | BU4081BFV | Viererkabel 2-input UND Gatter | ROHM |
| 272451 | BU408D | ENERGIE TRANSISTORS(7A, 150-200V, 60w) | MOSPEC Semiconductor |
| 272452 | BU408D | NPN ENERGIE TRANSISTOR | Boca Semiconductor Corporation |
| 272453 | BU408D | Verbleiter Energie Transistor-Universeller Zweck | Central Semiconductor |
| 272454 | BU409 | NPN Transistor | SemeLAB |
| 272455 | BU4093 | Viererkabel 2-input NAND Schmitt Auslöser | ROHM |
| 272456 | BU4093B | Viererkabel 2-input NAND Schmitt Auslöser | ROHM |
| 272457 | BU4093B/BF/BFV | Standard-Logik LSIs > CMOS Logik BU4000B Reihe | ROHM |
| 272458 | BU4093BF | Viererkabel 2-input NAND Schmitt Auslöser | ROHM |
| 272459 | BU4093BFV | Viererkabel 2-input NAND Schmitt Auslöser | ROHM |
| 272460 | BU4094BC | 8-bit kompatible Verschiebung/Speicherregister | ROHM |
| 272461 | BU4094BC/BCF/BCFV | Standard-Logik LSIs > CMOS Logik BU4000B Reihe | ROHM |
| 272462 | BU4094BCF | 8-bit kompatible Verschiebung/Speicherregister | ROHM |
| 272463 | BU4094BCFV | 8-bit kompatible Verschiebung/Speicherregister | ROHM |
| 272464 | BU426 | NPN SILIKON-ENERGIE TRANSISTOREN | Power Innovations |
| 272465 | BU426 | NPN SILIKON-ENERGIE TRANSISTOREN | Siemens |
| 272466 | BU426 | ENERGIE TRANSISTORS(6.0A, 375-400V, 113w) | MOSPEC Semiconductor |
| 272467 | BU426 | Verbleiter Energie Transistor-Universeller Zweck | Central Semiconductor |
| 272468 | BU426 | HOCHSPANNUNGSENERGIE SCHALTER | ST Microelectronics |
| 272469 | BU426 | NPN SILIKON-ENERGIE TRANSISTOREN | TRSYS |
| 272470 | BU426 | 800 V, Silizium NPN-Leistungstransistor | TRANSYS Electronics Limited |
| 272471 | BU426A | NPN SILIKON-ENERGIE TRANSISTOREN | Siemens |
| 272472 | BU426A | ENERGIE TRANSISTORS(6.0A, 375-400V, 113w) | MOSPEC Semiconductor |
| 272473 | BU426A | INVERTER SOLENOID DES NPN SILIKON-TRANSISTOR(SWITCHING DER REGLER-PWM UND RELAIS-TREIBER) | Wing Shing Computer Components |
| 272474 | BU426A | NPN SILIKON-ENERGIE TRANSISTOREN | Power Innovations |
| 272475 | BU426A | NPN SILIKON-ENERGIE TRANSISTOREN | TRSYS |
| 272476 | BU426A | Transistorpolung NPN Spannung VCE saß max 3 V Spannungs Vceo 400 V Strom Ic @ VCESAT 4 A Time Herbst @ Ic 0,75? S Aktuelles Ic av. 6 A Netz Ptot 70 W Spannung Vces 900 V | SGS Thomson Microelectronics |
| 272477 | BU426A | 900 V, Silizium NPN-Leistungstransistor | TRANSYS Electronics Limited |
| 272478 | BU426AF | TO-3P Völlig Lokalisierter Plastikpaket-Transistor CDIL | Continental Device India Limited |
| 272479 | BU426AF | TO-3P Völlig Lokalisierter Plastikpaket-Transistor CDIL | Continental Device India Limited |
| 272480 | BU426F | TO-3P Völlig Lokalisierter Plastikpaket-Transistor CDIL | Continental Device India Limited |
| | | |
