| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 274681 | BUT32V | NPN TRANSISTOR-ENERGIE MODUL | SGS Thomson Microelectronics |
| 274682 | BUT33 | 56 AMPERE NPN SILIKON-ENERGIE DARLINGTON TRANSISTOR-600 VOLT 250 WATT | Motorola |
| 274683 | BUT33 | 56 AMPERE NPN SILIKON-ENERGIE DARLINGTON TRANSISTOR-600 VOLT 250 WATT | ON Semiconductor |
| 274684 | BUT33-D | SWITCHMODE Reihe NPN Silikon-Energie Darlington Transistoren mit Unterseite-Emitter Speedup Diode | ON Semiconductor |
| 274685 | BUT34 | 50 AMPERE NPN SILIKON-ENERGIE DARLINGTON TRANSISTOR-850 VOLT 250 WATT | Motorola |
| 274686 | BUT56 | Energie Transistor Des Silikon-NPN | Temic |
| 274687 | BUT56A | Energie Transistor Des Silikon-NPN | Temic |
| 274688 | BUT56A | NPN EPITAXIAL- SPANNUNG SCHALTUNG GEBRAUCH DES SILIKON-TRANSISTOR(HIGH IM HORIZONTALEN ABLENKUNG OUTPUT-STADIUM) | Wing Shing Computer Components |
| 274689 | BUT70 | HOHE ENERGIE NPN SILIKON-TRANSISTOR | SGS Thomson Microelectronics |
| 274690 | BUT70 | HOHE ENERGIE NPN SILIKON-TRANSISTOR | ST Microelectronics |
| 274691 | BUT70W | HOCHSPANNUNGSNPN ENERGIE TRANSISTOR | ST Microelectronics |
| 274692 | BUT70W | HOCHSPANNUNGSNPN ENERGIE TRANSISTOR | SGS Thomson Microelectronics |
| 274693 | BUT72 | NPN MULTI-EPITAXIAL ENERGIE TRANSISTOR | SemeLAB |
| 274694 | BUT76 | Energie Transistoren Des Silikon-NPN | Vishay |
| 274695 | BUT90 | HOHE ENERGIE NPN SILIKON-TRANSISTOR | ST Microelectronics |
| 274696 | BUT90 | HOHE ENERGIE NPN SILIKON-TRANSISTOR | SGS Thomson Microelectronics |
| 274697 | BUT91 | Zweipolige NPN Vorrichtung in einem hermetisch Siegel-paket des Metallto3 | SemeLAB |
| 274698 | BUT91 | Zweipolige NPN Vorrichtung in einem hermetisch Siegel-paket des Metallto3 | SemeLAB |
| 274699 | BUT92 | FAST-SWITCHING NPN ENERGIE TRANSISTOR | ST Microelectronics |
| 274700 | BUT92 | FAST-SWITCHING ENERGIE TRANSISTOR | SGS Thomson Microelectronics |
| 274701 | BUTW92 | HOHER SILIKON-TRANSISTOR DES STROM-NPN | ST Microelectronics |
| 274702 | BUTW92 | HOHER SILIKON-TRANSISTOR DES STROM-NPN | SGS Thomson Microelectronics |
| 274703 | BUTW92 | HOHER SILIKON-TRANSISTOR DES STROM-NPN | SGS Thomson Microelectronics |
| 274704 | BUV10N | Zweipolige NPN Vorrichtung in einem hermetisch Siegel-paket des Metallto3 | SemeLAB |
| 274705 | BUV10N | Zweipolige NPN Vorrichtung in einem hermetisch Siegel-paket des Metallto3 | SemeLAB |
| 274706 | BUV11 | 20 AMPERE NPN SILIKON-ENERGIE METALLTRANSISTOR-200 VOLT 150 WATT | Motorola |
| 274707 | BUV11 | SITCHMODE Reihe NPN Silikon-Energie Transistor | ON Semiconductor |
| 274708 | BUV11-D | SWITCHMODE Reihe NPN Silikon-Energie Transistor | ON Semiconductor |
| 274709 | BUV12 | Zweipolige NPN Vorrichtung in einem hermetisch Siegel-paket des Metallto3 | SemeLAB |
| 274710 | BUV20 | HOHER SILIKON-TRANSISTOR DES STROM-NPN | ST Microelectronics |
| 274711 | BUV20 | HOHER SILIKON-TRANSISTOR DES STROM-NPN | SGS Thomson Microelectronics |
| 274712 | BUV20 | NPN MULTI - EPITAXIAL- ENERGIE TRANSISTOR | SemeLAB |
| 274713 | BUV20 | 50 AMPERE NPN SILIKON-ENERGIE METALLTRANSISTOR-125 VOLT 250 WATT | Motorola |
| 274714 | BUV20 | Energie 50A 125V NPN TO204 | ON Semiconductor |
| 274715 | BUV20-D | SWITCHMODE Reihe NPN Silikon-Energie Transistor | ON Semiconductor |
| 274716 | BUV20D | SWITCHMODE Reihe NPN Silikon-Energie Transistor | ON Semiconductor |
| 274717 | BUV21 | 40 AMPERE NPN SILIKON-ENERGIE METALLTRANSISTOR-200 VOLT 250 WATT | Motorola |
| 274718 | BUV21 | Energie 40A 200V NPN TO204 | ON Semiconductor |
| 274719 | BUV21-D | SWITCHMODE Reihe NPN Silikon-Energie Transistor | ON Semiconductor |
| 274720 | BUV22 | 40 AMPERE NPN SILIKON-ENERGIE METALLTRANSISTOR-250 VOLT 250 WATT | Motorola |
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