Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
275161 | BUZ111SE3045A | N-Führung SIPMOS Energie Transistor | Infineon |
275162 | BUZ111SE3046 | N-Führung SIPMOS Energie Transistor | Infineon |
275163 | BUZ111SL | N-Führung SIPMOS Energie Transistor | Infineon |
275164 | BUZ111SL | SIPMOS Energie Transistor (N Führung Verbesserung Modus Logik-Niveau Lawine-steuerpflichtiges dv/dt veranschlagen) | Siemens |
275165 | BUZ111SLE3045A | N-Führung SIPMOS Energie Transistor | Infineon |
275166 | BUZ11A | N-CHANNEL 50V - 0.045 OHM - 26A TO-220 STRIPFET ENERGIE MOSFET | ST Microelectronics |
275167 | BUZ11A | N - FÜHRUNG 50V - 0.045Ohm - 26A TO-220 STripFET Mosfet | SGS Thomson Microelectronics |
275168 | BUZ11A | SIPMOS Energie Transistor (N Führung Verbesserung Modus Lawine-steuerpflichtig) | Siemens |
275169 | BUZ11AL | SIPMOS Energie Transistor (N Führung Verbesserung Modus Lawine-steuerpflichtiges Logik-Niveau) | Siemens |
275170 | BUZ11S2 | SIPMOS Energie Transistor (N Führung Verbesserung Modus Lawine-steuerpflichtig) | Siemens |
275171 | BUZ11_R4941 | 30A, 50V, 0.040Ohm, N-Führung Energie Mosfet | Fairchild Semiconductor |
275172 | BUZ12 | SIPMOS Energie Transistor (N Führung Verbesserung Modus Lawine-steuerpflichtig) | Siemens |
275173 | BUZ12A | SIPMOS Energie Transistor (N Führung Verbesserung Modus Lawine-steuerpflichtig) | Siemens |
275174 | BUZ12AL | SIPMOS Energie Transistor (N Führung Verbesserung Modus Lawine-steuerpflichtiges Logik-Niveau) | Siemens |
275175 | BUZ14 | Hauptbewertungen | Siemens |
275176 | BUZ15 | SIPMOS ENERGIE TRANSISTOR | Siemens |
275177 | BUZ15 | SIPMOS ENERGIE TRANSISTOR | Siemens |
275178 | BUZ15 | SIPMOS ENERGIE TRANSISTOR | Siemens |
275179 | BUZ17 | Hauptbewertungen | Siemens |
275180 | BUZ171 | P-Führung SIPMOS Energie Transistor | Infineon |
275181 | BUZ171 | SIPMOS Energie Transistor (P Führung Verbesserung Modus Lawine veranschlagen) | Siemens |
275182 | BUZ172 | P-Führung SIPMOS Energie Transistor | Infineon |
275183 | BUZ172 | SIPMOS Energie Transistor (P Führung Verbesserung Modus Lawine veranschlagen) | Siemens |
275184 | BUZ172E3045A | P-Führung SIPMOS Energie Transistor | Infineon |
275185 | BUZ173 | P-Führung SIPMOS Energie Transistor | Infineon |
275186 | BUZ173 | SIPMOS Energie Transistor (P Führung Verbesserung Modus Lawine veranschlagen) | Siemens |
275187 | BUZ173E3045A | P-Führung SIPMOS Energie Transistor | Infineon |
275188 | BUZ18 | Hauptbewertungen | Siemens |
275189 | BUZ20 | N-Führung SIPMOS Energie Transistor | Infineon |
275190 | BUZ20 | SIPMOS Energie Transistor (N Führung Verbesserung Modus Lawine-steuerpflichtig) | Siemens |
275191 | BUZ20 | 12A/ 100V/ 0.200 Ohm N-Führung Energie Mosfet | Intersil |
275192 | BUZ201 | Hauptbewertungen | Siemens |
275193 | BUZ202 | MAIN BEWERTUNGEN | Siemens |
275194 | BUZ205 | SIPMOS Energie Transistor (N Führung Verbesserung Modus FREDFET) | Siemens |
275195 | BUZ206 | Hauptbewertungen | Siemens |
275196 | BUZ20STS | N-Führung SIPMOS Energie Transistor | Infineon |
275197 | BUZ21 | SIPMOS Energie Transistor (N Führung Verbesserung Modus Lawine-steuerpflichtig) | Siemens |
275198 | BUZ21 | 19A/ 100V/ 0.100 Ohm N-Führung Energie Mosfet | Intersil |
275199 | BUZ21 L | Energie Mosfet, 100V, TO-220, RDSon=0.085 Ohm, 21A, LL | Infineon |
275200 | BUZ21 SMD | Energie MOSFET, 100V, d²pak, RDSon=0.085 Ohm, 21A, NL | Infineon |
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