Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
315801 | CM1819 | 8-2 PWB Schaltplan | Samsung Electronic |
315802 | CM1829 | 8-2 PWB Schaltplan | Samsung Electronic |
315803 | CM1829-1429 | PWB Schaltplan | Samsung Electronic |
315804 | CM1901-7R | Konverter 50 Watt-DC-DC | Power-One |
315805 | CM20-12A | NPN SILIKON-RF ENERGIE TRANSISTOR | Advanced Semiconductor |
315806 | CM2006 | VGA-Anschluss Companion Schaltung für Monitore | ON Semiconductor |
315807 | CM2009 | VGA Portbegleiter-Stromkreis | California Micro Devices Corp |
315808 | CM2009 | VGA-Anschluss Companion Kreis | ON Semiconductor |
315809 | CM2009-00QR | VGA Portbegleiter-Stromkreis | California Micro Devices Corp |
315810 | CM2009-00QS | VGA Portbegleiter-Stromkreis | California Micro Devices Corp |
315811 | CM2009-01QR | VGA Portbegleiter-Stromkreis | California Micro Devices Corp |
315812 | CM2009-01QS | VGA Portbegleiter-Stromkreis | California Micro Devices Corp |
315813 | CM2009-02QR | VGA Portbegleiter-Stromkreis | California Micro Devices Corp |
315814 | CM2009-02QS | VGA Portbegleiter-Stromkreis | California Micro Devices Corp |
315815 | CM200DU-12F | IGBT Module: 600V | Mitsubishi Electric Corporation |
315816 | CM200DU-12F | Doppel-IGBTMOD.?00 Amperes/600 Volt Des Graben-Gatter-Design- | Powerex Power Semiconductors |
315817 | CM200DU-12H | IGBT Module: 600V | Mitsubishi Electric Corporation |
315818 | CM200DU-12H | IGBT MODUL-HOHE ENERGIE SCHALTUNG GEBRAUCH ISOLIERART | Mitsubishi Electric Corporation |
315819 | CM200DU-12H | Doppel-IGBTMOD 200 Volt Amperes/600 | Powerex Power Semiconductors |
315820 | CM200DU-12NFH | HOHE ENERGIE SCHALTUNG GEBRAUCH | Mitsubishi Electric Corporation |
315821 | CM200DU-24F | IGBT Modules:1200V | Mitsubishi Electric Corporation |
315822 | CM200DU-24F | MITSUBISHI IGBT MODUL-HOHE ENERGIE SCHALTUNG GEBRAUCH | Mitsubishi Electric Corporation |
315823 | CM200DU-24F | Doppel-IGBTMOD.?00 Amperes/1200 Volt Des Graben-Gatter-Design- | Powerex Power Semiconductors |
315824 | CM200DU-24H | IGBT Modules:1200V | Mitsubishi Electric Corporation |
315825 | CM200DU-24H | IGBT MODUL-HOHE ENERGIE SCHALTUNG GEBRAUCH ISOLIERART | Mitsubishi Electric Corporation |
315826 | CM200DU-24H | Doppel-IGBTMOD 200 Volt Amperes/1200 | Powerex Power Semiconductors |
315827 | CM200DU-24NFH | HOHE ENERGIE SCHALTUNG GEBRAUCH | Mitsubishi Electric Corporation |
315828 | CM200DU-34KA | IGBT Modules:1700V | Mitsubishi Electric Corporation |
315829 | CM200DU-34KA | Doppel-Volt Amperes/1700 des IGBTMOD Ka-Reihe Modul-200 | Powerex Power Semiconductors |
315830 | CM200DY-12H | IGBT Module: 600V | Mitsubishi Electric Corporation |
315831 | CM200DY-12H | HOHE ENERGIE SCHALTUNG GEBRAUCH ISOLIERART IGBT MODULE | Mitsubishi Electric Corporation |
315832 | CM200DY-12H | Doppel-IGBTMOD 200 Volt Amperes/600 | Powerex Power Semiconductors |
315833 | CM200DY-12NF | HOHE ENERGIE SCHALTUNG GEBRAUCH | Mitsubishi Electric Corporation |
315834 | CM200DY-24A | HOHE ENERGIE SCHALTUNG GEBRAUCH | Mitsubishi Electric Corporation |
315835 | CM200DY-24H | IGBT Modules:1200V | Mitsubishi Electric Corporation |
315836 | CM200DY-24H | MITSUBISHI IGBT MODUL-HOHE ENERGIE SCHALTUNG GEBRAUCH ISOLIERART | Mitsubishi Electric Corporation |
315837 | CM200DY-24H | Doppel-IGBTMOD 200 Volt Amperes/1200 | Powerex Power Semiconductors |
315838 | CM200DY-24NF | MITSUBISHI IGBT MODULE | Mitsubishi Electric Corporation |
315839 | CM200DY-28H | IGBT Modules:1400V | Mitsubishi Electric Corporation |
315840 | CM200DY-28H | MITSUBISHI IGBT MODUL-HOHE ENERGIE SCHALTUNG GEBRAUCH ISOLIERART | Mitsubishi Electric Corporation |
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