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Nr.TeilnameBeschreibungHersteller
315801CM18198-2 PWB SchaltplanSamsung Electronic
315802CM18298-2 PWB SchaltplanSamsung Electronic
315803CM1829-1429PWB SchaltplanSamsung Electronic
315804CM1901-7RKonverter 50 Watt-DC-DCPower-One
315805CM20-12ANPN SILIKON-RF ENERGIE TRANSISTORAdvanced Semiconductor
315806CM2006VGA-Anschluss Companion Schaltung für MonitoreON Semiconductor
315807CM2009VGA Portbegleiter-StromkreisCalifornia Micro Devices Corp
315808CM2009VGA-Anschluss Companion KreisON Semiconductor
315809CM2009-00QRVGA Portbegleiter-StromkreisCalifornia Micro Devices Corp
315810CM2009-00QSVGA Portbegleiter-StromkreisCalifornia Micro Devices Corp
315811CM2009-01QRVGA Portbegleiter-StromkreisCalifornia Micro Devices Corp
315812CM2009-01QSVGA Portbegleiter-StromkreisCalifornia Micro Devices Corp
315813CM2009-02QRVGA Portbegleiter-StromkreisCalifornia Micro Devices Corp
315814CM2009-02QSVGA Portbegleiter-StromkreisCalifornia Micro Devices Corp
315815CM200DU-12FIGBT Module: 600VMitsubishi Electric Corporation
315816CM200DU-12FDoppel-IGBTMOD.?00 Amperes/600 Volt Des Graben-Gatter-Design-Powerex Power Semiconductors
315817CM200DU-12HIGBT Module: 600VMitsubishi Electric Corporation
315818CM200DU-12HIGBT MODUL-HOHE ENERGIE SCHALTUNG GEBRAUCH ISOLIERARTMitsubishi Electric Corporation
315819CM200DU-12HDoppel-IGBTMOD 200 Volt Amperes/600Powerex Power Semiconductors



315820CM200DU-12NFHHOHE ENERGIE SCHALTUNG GEBRAUCHMitsubishi Electric Corporation
315821CM200DU-24FIGBT Modules:1200VMitsubishi Electric Corporation
315822CM200DU-24FMITSUBISHI IGBT MODUL-HOHE ENERGIE SCHALTUNG GEBRAUCHMitsubishi Electric Corporation
315823CM200DU-24FDoppel-IGBTMOD.?00 Amperes/1200 Volt Des Graben-Gatter-Design-Powerex Power Semiconductors
315824CM200DU-24HIGBT Modules:1200VMitsubishi Electric Corporation
315825CM200DU-24HIGBT MODUL-HOHE ENERGIE SCHALTUNG GEBRAUCH ISOLIERARTMitsubishi Electric Corporation
315826CM200DU-24HDoppel-IGBTMOD 200 Volt Amperes/1200Powerex Power Semiconductors
315827CM200DU-24NFHHOHE ENERGIE SCHALTUNG GEBRAUCHMitsubishi Electric Corporation
315828CM200DU-34KAIGBT Modules:1700VMitsubishi Electric Corporation
315829CM200DU-34KADoppel-Volt Amperes/1700 des IGBTMOD Ka-Reihe Modul-200Powerex Power Semiconductors
315830CM200DY-12HIGBT Module: 600VMitsubishi Electric Corporation
315831CM200DY-12HHOHE ENERGIE SCHALTUNG GEBRAUCH ISOLIERART IGBT MODULEMitsubishi Electric Corporation
315832CM200DY-12HDoppel-IGBTMOD 200 Volt Amperes/600Powerex Power Semiconductors
315833CM200DY-12NFHOHE ENERGIE SCHALTUNG GEBRAUCHMitsubishi Electric Corporation
315834CM200DY-24AHOHE ENERGIE SCHALTUNG GEBRAUCHMitsubishi Electric Corporation
315835CM200DY-24HIGBT Modules:1200VMitsubishi Electric Corporation
315836CM200DY-24HMITSUBISHI IGBT MODUL-HOHE ENERGIE SCHALTUNG GEBRAUCH ISOLIERARTMitsubishi Electric Corporation
315837CM200DY-24HDoppel-IGBTMOD 200 Volt Amperes/1200Powerex Power Semiconductors
315838CM200DY-24NFMITSUBISHI IGBT MODULEMitsubishi Electric Corporation
315839CM200DY-28HIGBT Modules:1400VMitsubishi Electric Corporation
315840CM200DY-28HMITSUBISHI IGBT MODUL-HOHE ENERGIE SCHALTUNG GEBRAUCH ISOLIERARTMitsubishi Electric Corporation
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