| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 31601 | 1N827A (DO35) | SPANNUNG Zener Des Bezugs0tc | Microsemi |
| 31602 | 1N827AUR | SPANNUNG Zener Des Bezugs0tc | Microsemi |
| 31603 | 1N827AUR-1 | SPANNUNG Zener Des Bezugs0tc | Microsemi |
| 31604 | 1N827UR | Eine 6.2 U. 6.55 Volt-Temperatur Glich Oberflächeneinfassung Zener Bezugsdioden Aus | Microsemi |
| 31605 | 1N827UR | Eine 6.2 U. 6.55 Volt-Temperatur Glich Oberflächeneinfassung Zener Bezugsdioden Aus | Microsemi |
| 31606 | 1N827UR-1 | SPANNUNG Zener Des Bezugs0tc | Microsemi |
| 31607 | 1N828 | SPANNUNG Zener Des Bezugs0tc | Microsemi |
| 31608 | 1N828 | SPANNUNG Zener Des Bezugs0tc | Microsemi |
| 31609 | 1N828 | TEMPERATUR AUSGEGLICHENE ZENER BEZUGSDIODEN | Compensated Devices Incorporated |
| 31610 | 1N828 (DO35) | SPANNUNG Zener Des Bezugs0tc | Microsemi |
| 31611 | 1N828-1 | AUSGEGLICHENE ZENER BEZUGSDIODEN 6.2 U. 6.55 VOLT-TEMPERATUR | Microsemi |
| 31612 | 1N828A | AUSGEGLICHENE ZENER BEZUGSDIODEN 6.2 U. 6.55 VOLT-TEMPERATUR | Microsemi |
| 31613 | 1N828UR | Eine 6.2 U. 6.55 Volt-Temperatur Glich Oberflächeneinfassung Zener Bezugsdioden Aus | Microsemi |
| 31614 | 1N828UR | Eine 6.2 U. 6.55 Volt-Temperatur Glich Oberflächeneinfassung Zener Bezugsdioden Aus | Microsemi |
| 31615 | 1N829 | SPANNUNG Zener Des Bezugs0tc | Microsemi |
| 31616 | 1N829 | SPANNUNG Zener Des Bezugs0tc | Microsemi |
| 31617 | 1N829 | TEMPERATUR AUSGEGLICHENE ZENER BEZUGSDIODEN | Compensated Devices Incorporated |
| 31618 | 1N829 | Spannung Bezugsdioden | Philips |
| 31619 | 1N829 | BEZUGSDIODEN DES TEMPERATURECOMPENSATED SILIKON-ZENER 6.2 V, 400 mW | Motorola |
| 31620 | 1N829 | Verbleite Zener Diode Temperatur Glich Aus | Central Semiconductor |
| 31621 | 1N829 (DO35) | SPANNUNG Zener Des Bezugs0tc | Microsemi |
| 31622 | 1N829-1 | AUSGEGLICHENE ZENER BEZUGSDIODEN 6.2 U. 6.55 VOLT-TEMPERATUR | Microsemi |
| 31623 | 1N829A | SPANNUNG Zener Des Bezugs0tc | Microsemi |
| 31624 | 1N829A | SPANNUNG Zener Des Bezugs0tc | Microsemi |
| 31625 | 1N829A | TEMPERATUR AUSGEGLICHENE ZENER BEZUGSDIODEN | Compensated Devices Incorporated |
| 31626 | 1N829A | Spannung Bezugsdioden | Philips |
| 31627 | 1N829A | BEZUGSDIODEN DES TEMPERATURECOMPENSATED SILIKON-ZENER 6.2 V, 400 mW | Motorola |
| 31628 | 1N829A | Verbleite Zener Diode Temperatur Glich Aus | Central Semiconductor |
| 31629 | 1N829A (DO35) | SPANNUNG Zener Des Bezugs0tc | Microsemi |
| 31630 | 1N829A-1 | Eine 6.2 U. 6.55 Volt-Temperatur Glich 6.2 U. 6.55 Die Ausgeglichene Volt-Temperatur Aus | Microsemi |
| 31631 | 1N829A-1 | Eine 6.2 U. 6.55 Volt-Temperatur Glich 6.2 U. 6.55 Die Ausgeglichene Volt-Temperatur Aus | Microsemi |
| 31632 | 1N829AUR | SPANNUNG Zener Des Bezugs0tc | Microsemi |
| 31633 | 1N829AUR-1 | SPANNUNG Zener Des Bezugs0tc | Microsemi |
| 31634 | 1N829UR | Eine 6.2 U. 6.55 Volt-Temperatur Glich Oberflächeneinfassung Zener Bezugsdioden Aus | Microsemi |
| 31635 | 1N829UR | Eine 6.2 U. 6.55 Volt-Temperatur Glich Oberflächeneinfassung Zener Bezugsdioden Aus | Microsemi |
| 31636 | 1N829UR-1 | SPANNUNG Zener Des Bezugs0tc | Microsemi |
| 31637 | 1N829UR-1 | TEMPERATUR AUSGEGLICHENE ZENER DIODEN | Compensated Devices Incorporated |
| 31638 | 1N849 | JEDEC DO-7 PAKET | Jedec |
| 31639 | 1N849 | JEDEC DO-7 PAKET | Jedec |
| 31640 | 1N87 | JEDEC DO-7 PAKET | Jedec |
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