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Nr.TeilnameBeschreibungHersteller
316281CM3P-230LGaststube Ableiter, 230VSEMITEC
316282CM3P-250LGaststube Ableiter, 250VSEMITEC
316283CM3P-350LGaststube Ableiter, 350VSEMITEC
316284CM3P-400LGaststube Ableiter, 400VSEMITEC
316285CM400DU-12FIGBT Module: 600VMitsubishi Electric Corporation
316286CM400DU-12FMITSUBISHI IGBT MODUL-HOHE ENERGIE SCHALTUNG GEBRAUCHMitsubishi Electric Corporation
316287CM400DU-12FDoppel-IGBTMOD.?00 Amperes/600 Volt Des Graben-Gatter-Design-Powerex Power Semiconductors
316288CM400DU-12HIGBT Module: 600VMitsubishi Electric Corporation
316289CM400DU-12HIGBT MODUL-HOHE ENERGIE SCHALTUNG GEBRAUCH ISOLIERARTMitsubishi Electric Corporation
316290CM400DU-12HDoppel-IGBTMOD 400 Volt Amperes/600Powerex Power Semiconductors
316291CM400DU-12NFHHochfrequenzdoppel-IGBTMOD.?00 Amperes/600 VoltPowerex Power Semiconductors
316292CM400DU-24FIGBT Modules:1200VMitsubishi Electric Corporation
316293CM400DU-24FDoppel-IGBTMOD 400 Volt Amperes/1200Powerex Power Semiconductors
316294CM400DU-34KAIGBT Modules:1700VMitsubishi Electric Corporation
316295CM400DU-34KADoppel-IGBTMOD 400 Volt Amperes/1700Powerex Power Semiconductors
316296CM400DU-5FIntegrierte Module Des Gatter-Zweipolige Transistor-(IGBT): 250VMitsubishi Electric Corporation
316297CM400DU-5FDoppel-IGBTMOD.?00 Amperes/250 Volt Des Graben-Gatter-Design-Powerex Power Semiconductors
316298CM400DY-12HIGBT Module: 600VMitsubishi Electric Corporation
316299CM400DY-12HHOHE ENERGIE SCHALTUNG GEBRAUCH ISOLIERART IGBT MODULEMitsubishi Electric Corporation



316300CM400DY-12HDoppel-IGBTMOD 400 Volt Amperes/600Powerex Power Semiconductors
316301CM400DY-24AHOHE ENERGIE SCHALTUNG GEBRAUCHMitsubishi Electric Corporation
316302CM400DY-50HHochspannung IsolierModule Des GATTER-Zweipolige Transistor-(HVIGBT)Mitsubishi Electric Corporation
316303CM400DY-50HHOHE ENERGIE SCHALTUNG GEBRAUCH ISOLIERARTPowerex Power Semiconductors
316304CM400DY-66HHochspannung IsolierModule Des GATTER-Zweipolige Transistor-(HVIGBT)Mitsubishi Electric Corporation
316305CM400DY-66HHOHE ENERGIE SCHALTUNG GEBRAUCH ISOLIERARTPowerex Power Semiconductors
316306CM400HA-12HIGBT Module: 600VMitsubishi Electric Corporation
316307CM400HA-12HIGBT MODUL-HOHE ENERGIE SCHALTUNG GEBRAUCH ISOLIERARTMitsubishi Electric Corporation
316308CM400HA-12HEinzelne IGBTMOD 400 Volt Amperes/600Powerex Power Semiconductors
316309CM400HA-24HOHE ENERGIE SCHALTUNG GEBRAUCH ISOLIERARTMitsubishi Electric Corporation
316310CM400HA-24Einzelne IGBTMOD 400 Volt Amperes/1200Powerex Power Semiconductors
316311CM400HA-24HIGBT Modules:1200VMitsubishi Electric Corporation
316312CM400HA-24HIGBT MODUL-HOHE ENERGIE SCHALTUNG GEBRAUCH ISOLIERARTMitsubishi Electric Corporation
316313CM400HA-24HEinzelne IGBTMOD 400 Volt Amperes/1200Powerex Power Semiconductors
316314CM400HA-28HHochspannung IsolierModule Des GATTER-Zweipolige Transistor-(HVIGBT)Mitsubishi Electric Corporation
316315CM400HA-28HIGBT MODUL-HOHE ENERGIE SCHALTUNG GEBRAUCH ISOLIERARTMitsubishi Electric Corporation
316316CM400HA-28HEinzelne IGBTMOD 400 Volt Amperes/1400Powerex Power Semiconductors
316317CM400HA-34HIGBT Modules:1700VMitsubishi Electric Corporation
316318CM400HA-34HIGBT MODUL-HOHE ENERGIE SCHALTUNG GEBRAUCH ISOLIERARTMitsubishi Electric Corporation
316319CM400HA-34HEinzelne IGBTMOD 400 Volt Amperes/1700Powerex Power Semiconductors
316320CM400HB-90HHochspannung IsolierModule Des GATTER-Zweipolige Transistor-(HVIGBT)Mitsubishi Electric Corporation
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