Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
316281 | CM3P-230L | Gaststube Ableiter, 230V | SEMITEC |
316282 | CM3P-250L | Gaststube Ableiter, 250V | SEMITEC |
316283 | CM3P-350L | Gaststube Ableiter, 350V | SEMITEC |
316284 | CM3P-400L | Gaststube Ableiter, 400V | SEMITEC |
316285 | CM400DU-12F | IGBT Module: 600V | Mitsubishi Electric Corporation |
316286 | CM400DU-12F | MITSUBISHI IGBT MODUL-HOHE ENERGIE SCHALTUNG GEBRAUCH | Mitsubishi Electric Corporation |
316287 | CM400DU-12F | Doppel-IGBTMOD.?00 Amperes/600 Volt Des Graben-Gatter-Design- | Powerex Power Semiconductors |
316288 | CM400DU-12H | IGBT Module: 600V | Mitsubishi Electric Corporation |
316289 | CM400DU-12H | IGBT MODUL-HOHE ENERGIE SCHALTUNG GEBRAUCH ISOLIERART | Mitsubishi Electric Corporation |
316290 | CM400DU-12H | Doppel-IGBTMOD 400 Volt Amperes/600 | Powerex Power Semiconductors |
316291 | CM400DU-12NFH | Hochfrequenzdoppel-IGBTMOD.?00 Amperes/600 Volt | Powerex Power Semiconductors |
316292 | CM400DU-24F | IGBT Modules:1200V | Mitsubishi Electric Corporation |
316293 | CM400DU-24F | Doppel-IGBTMOD 400 Volt Amperes/1200 | Powerex Power Semiconductors |
316294 | CM400DU-34KA | IGBT Modules:1700V | Mitsubishi Electric Corporation |
316295 | CM400DU-34KA | Doppel-IGBTMOD 400 Volt Amperes/1700 | Powerex Power Semiconductors |
316296 | CM400DU-5F | Integrierte Module Des Gatter-Zweipolige Transistor-(IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
316297 | CM400DU-5F | Doppel-IGBTMOD.?00 Amperes/250 Volt Des Graben-Gatter-Design- | Powerex Power Semiconductors |
316298 | CM400DY-12H | IGBT Module: 600V | Mitsubishi Electric Corporation |
316299 | CM400DY-12H | HOHE ENERGIE SCHALTUNG GEBRAUCH ISOLIERART IGBT MODULE | Mitsubishi Electric Corporation |
316300 | CM400DY-12H | Doppel-IGBTMOD 400 Volt Amperes/600 | Powerex Power Semiconductors |
316301 | CM400DY-24A | HOHE ENERGIE SCHALTUNG GEBRAUCH | Mitsubishi Electric Corporation |
316302 | CM400DY-50H | Hochspannung IsolierModule Des GATTER-Zweipolige Transistor-(HVIGBT) | Mitsubishi Electric Corporation |
316303 | CM400DY-50H | HOHE ENERGIE SCHALTUNG GEBRAUCH ISOLIERART | Powerex Power Semiconductors |
316304 | CM400DY-66H | Hochspannung IsolierModule Des GATTER-Zweipolige Transistor-(HVIGBT) | Mitsubishi Electric Corporation |
316305 | CM400DY-66H | HOHE ENERGIE SCHALTUNG GEBRAUCH ISOLIERART | Powerex Power Semiconductors |
316306 | CM400HA-12H | IGBT Module: 600V | Mitsubishi Electric Corporation |
316307 | CM400HA-12H | IGBT MODUL-HOHE ENERGIE SCHALTUNG GEBRAUCH ISOLIERART | Mitsubishi Electric Corporation |
316308 | CM400HA-12H | Einzelne IGBTMOD 400 Volt Amperes/600 | Powerex Power Semiconductors |
316309 | CM400HA-24 | HOHE ENERGIE SCHALTUNG GEBRAUCH ISOLIERART | Mitsubishi Electric Corporation |
316310 | CM400HA-24 | Einzelne IGBTMOD 400 Volt Amperes/1200 | Powerex Power Semiconductors |
316311 | CM400HA-24H | IGBT Modules:1200V | Mitsubishi Electric Corporation |
316312 | CM400HA-24H | IGBT MODUL-HOHE ENERGIE SCHALTUNG GEBRAUCH ISOLIERART | Mitsubishi Electric Corporation |
316313 | CM400HA-24H | Einzelne IGBTMOD 400 Volt Amperes/1200 | Powerex Power Semiconductors |
316314 | CM400HA-28H | Hochspannung IsolierModule Des GATTER-Zweipolige Transistor-(HVIGBT) | Mitsubishi Electric Corporation |
316315 | CM400HA-28H | IGBT MODUL-HOHE ENERGIE SCHALTUNG GEBRAUCH ISOLIERART | Mitsubishi Electric Corporation |
316316 | CM400HA-28H | Einzelne IGBTMOD 400 Volt Amperes/1400 | Powerex Power Semiconductors |
316317 | CM400HA-34H | IGBT Modules:1700V | Mitsubishi Electric Corporation |
316318 | CM400HA-34H | IGBT MODUL-HOHE ENERGIE SCHALTUNG GEBRAUCH ISOLIERART | Mitsubishi Electric Corporation |
316319 | CM400HA-34H | Einzelne IGBTMOD 400 Volt Amperes/1700 | Powerex Power Semiconductors |
316320 | CM400HB-90H | Hochspannung IsolierModule Des GATTER-Zweipolige Transistor-(HVIGBT) | Mitsubishi Electric Corporation |
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