| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 316401 | CM45-28 | NPN SILIKON-RF ENERGIE TRANSISTOR | Advanced Semiconductor |
| 316402 | CM450HA-5F | Integrierte Module Des Gatter-Zweipolige Transistor-(IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 316403 | CM450HA-5F | MITSUBISHI IGBT MODUL-HOHE ENERGIE SCHALTUNG GEBRAUCH ISOLIERART | Mitsubishi Electric Corporation |
| 316404 | CM450HA-5F | Einzelne IGBTMOD.?50 Amperes/250 Volt Des Graben-Gatter-Design- | Powerex Power Semiconductors |
| 316405 | CM494 | VORGERÜCKTER STABILISIERTER IMPULS-BREITE MODULATOR | Champion Microelectronic Corporation |
| 316406 | CM494CP | VORGERÜCKTER STABILISIERTER IMPULS-BREITE MODULATOR | Champion Microelectronic Corporation |
| 316407 | CM494CS | VORGERÜCKTER STABILISIERTER IMPULS-BREITE MODULATOR | Champion Microelectronic Corporation |
| 316408 | CM4957 | Verbleiter Kleiner Signal-Transistor-Universeller Zweck | Central Semiconductor |
| 316409 | CM5 | 4 Stift Sop OptoMOS Relais | Clare Inc |
| 316410 | CM5-2315 | Geformte UltraMini-DYADE | Clare Inc |
| 316411 | CM5-2319 | Geformte UltraMini-DYADE | Clare Inc |
| 316412 | CM5-2325 | Geformte UltraMini-DYADE | Clare Inc |
| 316413 | CM5-2341 | Geformte UltraMini-DYADE | Clare Inc |
| 316414 | CM5-2376 | Geformte UltraMini-DYADE | Clare Inc |
| 316415 | CM5-2378 | Geformte UltraMini-DYADE | Clare Inc |
| 316416 | CM5000 | HOHE GEGENWÄRTIGE SILIKON-BRÜCKE RECTIFIER(VOLTAGE 50 bis 1000 Volt STROM - 50 Ampere) | Panjit International Inc |
| 316417 | CM5001 | HOHE GEGENWÄRTIGE SILIKON-BRÜCKE RECTIFIER(VOLTAGE 50 bis 1000 Volt STROM - 50 Ampere) | Panjit International Inc |
| 316418 | CM50010 | HOHE GEGENWÄRTIGE SILIKON-BRÜCKE RECTIFIER(VOLTAGE 50 bis 1000 Volt STROM - 50 Ampere) | Panjit International Inc |
| 316419 | CM5002 | HOHE GEGENWÄRTIGE SILIKON-BRÜCKE RECTIFIER(VOLTAGE 50 bis 1000 Volt STROM - 50 Ampere) | Panjit International Inc |
| 316420 | CM5004 | HOHE GEGENWÄRTIGE SILIKON-BRÜCKE RECTIFIER(VOLTAGE 50 bis 1000 Volt STROM - 50 Ampere) | Panjit International Inc |
| 316421 | CM5006 | HOHE GEGENWÄRTIGE SILIKON-BRÜCKE RECTIFIER(VOLTAGE 50 bis 1000 Volt STROM - 50 Ampere) | Panjit International Inc |
| 316422 | CM5008 | HOHE GEGENWÄRTIGE SILIKON-BRÜCKE RECTIFIER(VOLTAGE 50 bis 1000 Volt STROM - 50 Ampere) | Panjit International Inc |
| 316423 | CM50AD05-12H | CIB Module: 600V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 316424 | CM50BU-24H | IGBT Modules:1200V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 316425 | CM50BU-24H | Vier Volt Amperes/1200 Des IGBTMOD.?-Series Modul-50 | Powerex Power Semiconductors |
| 316426 | CM50DU-24F | IGBT Modules:1200V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 316427 | CM50DU-24F | Doppel-IGBTMOD.?0 Amperes/1200 Volt Des Graben-Gatter-Design- | Powerex Power Semiconductors |
| 316428 | CM50DU-24H | IGBT Modules:1200V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 316429 | CM50DU-24H | IGBT MODUL-MITTLERER ENERGIE SCHALTUNG GEBRAUCH ISOLIERART | Mitsubishi Electric Corporation |
| 316430 | CM50DU-24H | DoppelVolt Amperes/1200 Des IGBTMOD.?-Series Modul-50 | Powerex Power Semiconductors |
| 316431 | CM50DY-12H | IGBT Module: 600V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 316432 | CM50DY-12H | IGBT MODUL-MITTLERER ENERGIE SCHALTUNG GEBRAUCH ISOLIERART | Mitsubishi Electric Corporation |
| 316433 | CM50DY-12H | Doppel-IGBTMOD 50 Volt Amperes/600 | Powerex Power Semiconductors |
| 316434 | CM50DY-24H | IGBT Modules:1200V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 316435 | CM50DY-24H | MITTLERER ENERGIE SCHALTUNG GEBRAUCH ISOLIERART IGBT MODULE | Mitsubishi Electric Corporation |
| 316436 | CM50DY-24H | Doppel-IGBTMOD 50 Volt Amperes/1200 | Powerex Power Semiconductors |
| 316437 | CM50DY-28H | IGBT Modules:1400V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 316438 | CM50DY-28H | MITSUBISHI IGBT MODUL-MITTLERER ENERGIE SCHALTUNG GEBRAUCH ISOLIERART | Mitsubishi Electric Corporation |
| 316439 | CM50DY-28H | Doppel-IGBTMOD 50 Volt Amperes/1400 | Powerex Power Semiconductors |
| 316440 | CM50E3U-24H | IGBT Modules:1200V | Mitsubishi Electric Corporation |
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