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Nr.TeilnameBeschreibungHersteller
327401CR02AMNIEDRIGER ENERGIE GEBRAUCH-PLANARE PASSIVIERUNG-ART DES MITSUBISHI HALBLEITER-(THYRISTOR)Mitsubishi Electric Corporation
327402CR02AMFühren-Bringen Sie An, Teilen Sie Steuer-Störungsbesuch 0.3 Volt Amperes/400 EinPowerex Power Semiconductors
327403CR02AM-4Integrierte Module Des Gatter-Zweipolige Transistor-(IGBT): 250VMitsubishi Electric Corporation
327404CR02AM-6Integrierte Module Des Gatter-Zweipolige Transistor-(IGBT): 250VMitsubishi Electric Corporation
327405CR02AM-8Integrierte Module Des Gatter-Zweipolige Transistor-(IGBT): 250VMitsubishi Electric Corporation
327406CR02AM-8ANIEDRIGER ENERGIE GEBRAUCH-GLASPASSIVIERUNG-ART DES MITSUBISHI HALBLEITER-(THYRISTOR)Mitsubishi Electric Corporation
327407CR0300SADie CR-Strecke der Schutze basieren auf der nachgewiesenen Technologie des Produktes des Thyristors T10Littelfuse
327408CR0300SBDie CR-Strecke der Schutze basieren auf der nachgewiesenen Technologie des Produktes des Thyristors T10Littelfuse
327409CR0300SCDie CR-Strecke der Schutze basieren auf der nachgewiesenen Technologie des Produktes des Thyristors T10Littelfuse
327410CR03AMDES MITSUBISHI HALBLEITER-(THYRISTOR) NIEDRIGE ART ENERGIE DES GEBRAUCH-NON-INSULATED, GLASPASSIVIERUNG-ARTMitsubishi Electric Corporation
327411CR03AMFühren-Bringen Sie An, Teilen Sie Steuer-Störungsbesuch 0.3 Volt Amperes/400-600 EinPowerex Power Semiconductors
327412CR03AM-12Integrierte Module Des Gatter-Zweipolige Transistor-(IGBT): 250VMitsubishi Electric Corporation
327413CR03AM-8Integrierte Module Des Gatter-Zweipolige Transistor-(IGBT): 250VMitsubishi Electric Corporation
327414CR03AM400-12Führen-Bringen Sie An, Teilen Sie Steuer-Störungsbesuch 0.3 Volt Amperes/400-600 EinPowerex Power Semiconductors
327415CR03AM400-8Führen-Bringen Sie An, Teilen Sie Steuer-Störungsbesuch 0.3 Volt Amperes/400-600 EinPowerex Power Semiconductors
327416CR03AM600-12Führen-Bringen Sie An, Teilen Sie Steuer-Störungsbesuch 0.3 Volt Amperes/400-600 EinPowerex Power Semiconductors
327417CR03AM600-8Führen-Bringen Sie An, Teilen Sie Steuer-Störungsbesuch 0.3 Volt Amperes/400-600 EinPowerex Power Semiconductors
327418CR04NIEDRIGER ENERGIE GEBRAUCH-GLASPASSIVIERUNG-ARTMitsubishi Electric Corporation
327419CR04AMNIEDRIGER ENERGIE GEBRAUCH-GLASPASSIVIERUNG-ART DES MITSUBISHI HALBLEITER-(THYRISTOR)Mitsubishi Electric Corporation



327420CR04AMFühren-Bringen Sie An, Teilen Sie Steuer-Störungsbesuch 0.4 Volt Amperes/400-600 EinPowerex Power Semiconductors
327421CR04AM-12Integrierte Module Des Gatter-Zweipolige Transistor-(IGBT): 250VMitsubishi Electric Corporation
327422CR04AM-8Integrierte Module Des Gatter-Zweipolige Transistor-(IGBT): 250VMitsubishi Electric Corporation
327423CR04AM400-12Führen-Bringen Sie An, Teilen Sie Steuer-Störungsbesuch 0.4 Volt Amperes/400-600 EinPowerex Power Semiconductors
327424CR04AM400-8Führen-Bringen Sie An, Teilen Sie Steuer-Störungsbesuch 0.4 Volt Amperes/400-600 EinPowerex Power Semiconductors
327425CR04AM600-12Führen-Bringen Sie An, Teilen Sie Steuer-Störungsbesuch 0.4 Volt Amperes/400-600 EinPowerex Power Semiconductors
327426CR04AM600-8Führen-Bringen Sie An, Teilen Sie Steuer-Störungsbesuch 0.4 Volt Amperes/400-600 EinPowerex Power Semiconductors
327427CR05ASDES MITSUBISHI HALBLEITER-(THYRISTOR) NIEDRIGE ART ENERGIE DES GEBRAUCH-NON-INSULATED, PLANARE PASSIVIERUNG-ARTMitsubishi Electric Corporation
327428CR05AS-4Integrierte Module Des Gatter-Zweipolige Transistor-(IGBT): 250VMitsubishi Electric Corporation
327429CR05AS-8Integrierte Module Des Gatter-Zweipolige Transistor-(IGBT): 250VMitsubishi Electric Corporation
327430CR0602AAUmkehrglas passivierte VerzweigungLittelfuse
327431CR0602ABUmkehrglas passivierte VerzweigungLittelfuse
327432CR0602ACUmkehrglas passivierte VerzweigungLittelfuse
327433CR0640SADie CR-Strecke der Schutze basieren auf der nachgewiesenen Technologie des Produktes des Thyristors T10Littelfuse
327434CR0640SBDie CR-Strecke der Schutze basieren auf der nachgewiesenen Technologie des Produktes des Thyristors T10Littelfuse
327435CR0640SCDie CR-Strecke der Schutze basieren auf der nachgewiesenen Technologie des Produktes des Thyristors T10Littelfuse
327436CR0720SADie CR-Strecke der Schutze basieren auf der nachgewiesenen Technologie des Produktes des Thyristors T10Littelfuse
327437CR0720SBDie CR-Strecke der Schutze basieren auf der nachgewiesenen Technologie des Produktes des Thyristors T10Littelfuse
327438CR0720SCDie CR-Strecke der Schutze basieren auf der nachgewiesenen Technologie des Produktes des Thyristors T10Littelfuse
327439CR08Oberflächeneinfassung Phase Steuer-Störungsbesuch 0.8 Volt Amperes/400-600Powerex Power Semiconductors
327440CR0800SADie CR-Strecke der Schutze basieren auf der nachgewiesenen Technologie des Produktes des Thyristors T10Littelfuse
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