| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 35121 | 1SMC5349 | 12 V, 5 W, Befestigungsfläche Silizium Zenerdioden | TRANSYS Electronics Limited |
| 35122 | 1SMC5350 | OBERFLÄCHENEINFASSUNG SILIKON ZENER DIODE(VOLTAGE - 11 BIS 200 Volt Energie - 5.0 Watt) | Panjit International Inc |
| 35123 | 1SMC5350 | OBERFLÄCHENDIODE DES EINFASSUNG SILIKON-ZENER | TRSYS |
| 35124 | 1SMC5350 | 13 V, 5 W, Befestigungsfläche Silizium Zenerdioden | TRANSYS Electronics Limited |
| 35125 | 1SMC5351 | OBERFLÄCHENEINFASSUNG SILIKON ZENER DIODE(VOLTAGE - 11 BIS 200 Volt Energie - 5.0 Watt) | Panjit International Inc |
| 35126 | 1SMC5351 | OBERFLÄCHENDIODE DES EINFASSUNG SILIKON-ZENER | TRSYS |
| 35127 | 1SMC5351 | 14 V, 5 W, Befestigungsfläche Silizium Zenerdioden | TRANSYS Electronics Limited |
| 35128 | 1SMC5352 | OBERFLÄCHENEINFASSUNG SILIKON ZENER DIODE(VOLTAGE - 11 BIS 200 Volt Energie - 5.0 Watt) | Panjit International Inc |
| 35129 | 1SMC5352 | OBERFLÄCHENDIODE DES EINFASSUNG SILIKON-ZENER | TRSYS |
| 35130 | 1SMC5352 | 15 V, 5 W, Befestigungsfläche Silizium Zenerdioden | TRANSYS Electronics Limited |
| 35131 | 1SMC5353 | OBERFLÄCHENEINFASSUNG SILIKON ZENER DIODE(VOLTAGE - 11 BIS 200 Volt Energie - 5.0 Watt) | Panjit International Inc |
| 35132 | 1SMC5353 | OBERFLÄCHENDIODE DES EINFASSUNG SILIKON-ZENER | TRSYS |
| 35133 | 1SMC5353 | 16 V, 5 W, Befestigungsfläche Silizium Zenerdioden | TRANSYS Electronics Limited |
| 35134 | 1SMC5354 | OBERFLÄCHENEINFASSUNG SILIKON ZENER DIODE(VOLTAGE - 11 BIS 200 Volt Energie - 5.0 Watt) | Panjit International Inc |
| 35135 | 1SMC5354 | OBERFLÄCHENDIODE DES EINFASSUNG SILIKON-ZENER | TRSYS |
| 35136 | 1SMC5354 | 17 V, 5 W, Befestigungsfläche Silizium Zenerdioden | TRANSYS Electronics Limited |
| 35137 | 1SMC5355 | OBERFLÄCHENEINFASSUNG SILIKON ZENER DIODE(VOLTAGE - 11 BIS 200 Volt Energie - 5.0 Watt) | Panjit International Inc |
| 35138 | 1SMC5355 | OBERFLÄCHENDIODE DES EINFASSUNG SILIKON-ZENER | TRSYS |
| 35139 | 1SMC5355 | 18 V, 5 W, Befestigungsfläche Silizium Zenerdioden | TRANSYS Electronics Limited |
| 35140 | 1SMC5356 | OBERFLÄCHENEINFASSUNG SILIKON ZENER DIODE(VOLTAGE - 11 BIS 200 Volt Energie - 5.0 Watt) | Panjit International Inc |
| 35141 | 1SMC5356 | OBERFLÄCHENDIODE DES EINFASSUNG SILIKON-ZENER | TRSYS |
| 35142 | 1SMC5356 | 19 V, 5 W, Befestigungsfläche Silizium Zenerdioden | TRANSYS Electronics Limited |
| 35143 | 1SMC5357 | OBERFLÄCHENEINFASSUNG SILIKON ZENER DIODE(VOLTAGE - 11 BIS 200 Volt Energie - 5.0 Watt) | Panjit International Inc |
| 35144 | 1SMC5357 | OBERFLÄCHENDIODE DES EINFASSUNG SILIKON-ZENER | TRSYS |
| 35145 | 1SMC5357 | 20 V, 5 W, Befestigungsfläche Silizium Zenerdioden | TRANSYS Electronics Limited |
| 35146 | 1SMC5358 | OBERFLÄCHENEINFASSUNG SILIKON ZENER DIODE(VOLTAGE - 11 BIS 200 Volt Energie - 5.0 Watt) | Panjit International Inc |
| 35147 | 1SMC5358 | OBERFLÄCHENDIODE DES EINFASSUNG SILIKON-ZENER | TRSYS |
| 35148 | 1SMC5358 | 22 V, 5 W, Befestigungsfläche Silizium Zenerdioden | TRANSYS Electronics Limited |
| 35149 | 1SMC5359 | OBERFLÄCHENEINFASSUNG SILIKON ZENER DIODE(VOLTAGE - 11 BIS 200 Volt Energie - 5.0 Watt) | Panjit International Inc |
| 35150 | 1SMC5359 | OBERFLÄCHENDIODE DES EINFASSUNG SILIKON-ZENER | TRSYS |
| 35151 | 1SMC5359 | 24 V, 5 W, Befestigungsfläche Silizium Zenerdioden | TRANSYS Electronics Limited |
| 35152 | 1SMC5360 | OBERFLÄCHENEINFASSUNG SILIKON ZENER DIODE(VOLTAGE - 11 BIS 200 Volt Energie - 5.0 Watt) | Panjit International Inc |
| 35153 | 1SMC5360 | OBERFLÄCHENDIODE DES EINFASSUNG SILIKON-ZENER | TRSYS |
| 35154 | 1SMC5360 | 25 V, 5 W, Befestigungsfläche Silizium Zenerdioden | TRANSYS Electronics Limited |
| 35155 | 1SMC5361 | OBERFLÄCHENEINFASSUNG SILIKON ZENER DIODE(VOLTAGE - 11 BIS 200 Volt Energie - 5.0 Watt) | Panjit International Inc |
| 35156 | 1SMC5361 | OBERFLÄCHENDIODE DES EINFASSUNG SILIKON-ZENER | TRSYS |
| 35157 | 1SMC5361 | 27 V, 5 W, Befestigungsfläche Silizium Zenerdioden | TRANSYS Electronics Limited |
| 35158 | 1SMC5362 | OBERFLÄCHENEINFASSUNG SILIKON ZENER DIODE(VOLTAGE - 11 BIS 200 Volt Energie - 5.0 Watt) | Panjit International Inc |
| 35159 | 1SMC5362 | OBERFLÄCHENDIODE DES EINFASSUNG SILIKON-ZENER | TRSYS |
| 35160 | 1SMC5362 | 28 V, 5 W, Befestigungsfläche Silizium Zenerdioden | TRANSYS Electronics Limited |
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