| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 35401 | 2N3055 | ERGÄNZENDE SILIKON-ENERGIE TRANSISTOREN | SGS Thomson Microelectronics |
| 35402 | 2N3055 | NPN TRANSISTOR FÜR LEISTUNGSFÄHIGE AF OUTPUT-STADIEN | Siemens |
| 35403 | 2N3055 | ENERGIE TRANSISTORS(15A, 50v, 115w) | MOSPEC Semiconductor |
| 35404 | 2N3055 | ERGÄNZENDE SILIKON-ENERGIE TRANSISTOREN | Boca Semiconductor Corporation |
| 35405 | 2N3055 | 15 AMPERE-ENERGIE TRANSISTOR-ERGÄNZENDES SILIKON 60 VOLT 115 WATT | Motorola |
| 35406 | 2N3055 | 15 AMPERE-ERGÄNZENDE SILIKON-ENERGIE TRANSISTOREN 60, 120 VOLT 115, 180 WATT | Motorola |
| 35407 | 2N3055 | Verbleiter Energie Transistor-Universeller Zweck | Central Semiconductor |
| 35408 | 2N3055 | Energie 15A 60V Getrenntes NPN | ON Semiconductor |
| 35409 | 2N3055-D | Ergänzende Silikon Hoch-Energie Transistoren | ON Semiconductor |
| 35410 | 2N30556 | Energie TO-3 Paket-Transistoren (NPN) | Unknow |
| 35411 | 2N30556 | Energie TO-3 Paket-Transistoren (NPN) | Unknow |
| 35412 | 2N3055A | ENERGIE TRANSISTORS(15A) | MOSPEC Semiconductor |
| 35413 | 2N3055A | ERGÄNZENDE TRANSISTOREN DES SILIKON-HIGH-POWER | Boca Semiconductor Corporation |
| 35414 | 2N3055A | 15 AMPERE-ERGÄNZENDE SILIKON-ENERGIE TRANSISTOREN 60, 120 VOLT 115, 180 WATT | Motorola |
| 35415 | 2N3055A | Energie 15A 60V Getrenntes NPN | ON Semiconductor |
| 35416 | 2N3055A-D | Ergänzende Silikon Hoch-Energie Transistoren | ON Semiconductor |
| 35417 | 2N3055G | Ergänzende Silikon-Energie Transistoren | ON Semiconductor |
| 35418 | 2N3055G | Ergänzende Silikon-Energie Transistoren | ON Semiconductor |
| 35419 | 2N3055H | Transistor-Silikon-Energie NPN | ON Semiconductor |
| 35420 | 2N3055HV | Energie TO-3 Paket-Transistoren (NPN) | Unknow |
| 35421 | 2N3055HV | Energie TO-3 Paket-Transistoren (NPN) | Unknow |
| 35422 | 2N3055_MJ2955 | 15 AMPERE-ENERGIE TRANSISTOR-ERGÄNZENDES SILIKON 60 VOLT 115 WATT | Motorola |
| 35423 | 2N3057 | Span-Art Polarität PNP Der 2C3019 Geometrie-4500 | Semicoa Semiconductor |
| 35424 | 2N3057A | NPN Transistor | Microsemi |
| 35425 | 2N3057A | Span-Art Polarität PNP Der 2C3019 Geometrie-4500 | Semicoa Semiconductor |
| 35426 | 2N3072 | Verbleiter Kleiner Signal-Transistor-Universeller Zweck | Central Semiconductor |
| 35427 | 2N3073 | Verbleiter Kleiner Signal-Transistor-Universeller Zweck | Central Semiconductor |
| 35428 | 2N3091 | 110 AMPERE EFFEKTIVWERT STÖRUNGSBESUCHE | International Rectifier |
| 35429 | 2N3091 | 110 AMPERE EFFEKTIVWERT STÖRUNGSBESUCHE | International Rectifier |
| 35430 | 2N3092 | 110 AMPERE EFFEKTIVWERT STÖRUNGSBESUCHE | International Rectifier |
| 35431 | 2N3092 | 110 AMPERE EFFEKTIVWERT STÖRUNGSBESUCHE | International Rectifier |
| 35432 | 2N3093 | 110 AMPERE EFFEKTIVWERT STÖRUNGSBESUCHE | International Rectifier |
| 35433 | 2N3093 | 110 AMPERE EFFEKTIVWERT STÖRUNGSBESUCHE | International Rectifier |
| 35434 | 2N3094 | 110 AMPERE EFFEKTIVWERT STÖRUNGSBESUCHE | International Rectifier |
| 35435 | 2N3094 | 110 AMPERE EFFEKTIVWERT STÖRUNGSBESUCHE | International Rectifier |
| 35436 | 2N3095 | 110 AMPERE EFFEKTIVWERT STÖRUNGSBESUCHE | International Rectifier |
| 35437 | 2N3095 | 110 AMPERE EFFEKTIVWERT STÖRUNGSBESUCHE | International Rectifier |
| 35438 | 2N3096 | 110 AMPERE EFFEKTIVWERT STÖRUNGSBESUCHE | International Rectifier |
| 35439 | 2N3096 | 110 AMPERE EFFEKTIVWERT STÖRUNGSBESUCHE | International Rectifier |
| 35440 | 2N3097 | 110 AMPERE EFFEKTIVWERT STÖRUNGSBESUCHE | International Rectifier |
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