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Nr.TeilnameBeschreibungHersteller
407041F100343-4,2 V bis -5,7 V, geringer Strom 9-Bit-LatchNational Semiconductor
407042F100344-4,2 V bis -5,7 V, Low-Power 8-Bit-Latch mit abgeschnittenen FahrerNational Semiconductor
407043F100350-4,2 V bis -5,7 V, geringer Strom hex D-LatchNational Semiconductor
407044F100351-4,2 V bis -5,7 V, geringer Strom hex D-Flip-FlopNational Semiconductor
407045F100352-4,2 V bis -5,7 V, Low-Power 8-Bit-Puffer mit abgeschnittenen FahrerNational Semiconductor
407046F100353-4,2 V bis -5,7 V, geringer Strom 8-Bit-RegisterNational Semiconductor
407047F100354-4,2 V bis -5,7 V, geringer Strom 8-Bit-Register mit abgeschnittenen FahrerNational Semiconductor
407048F100355-4,2 V bis -5,7 V, geringer Strom Quad Multiplexer / LatchNational Semiconductor
407049F100360-4,2 V bis -5,7 V, geringer Strom Dual Paritätsprüfer / GeneratorNational Semiconductor
407050F100363-4,2 V bis -5,7 V, geringer Strom Dual 8-Eingangs-MultiplexerNational Semiconductor
407051F100364Niedriger Energie 16-Input MehrfachkopplerNational Semiconductor
407052F100364DNiedriger Energie 16-Input MehrfachkopplerNational Semiconductor
407053F100364FNiedriger Energie 16-Input MehrfachkopplerNational Semiconductor
407054F100364QNiedriger Energie 16-Input MehrfachkopplerNational Semiconductor
407055F100370-4,2 V bis -5,7 V, geringer Stromuniversal Demultiplexer / DecoderNational Semiconductor
407056F100371Niedriger Energie Dreiergruppe 4-Input Mehrfachkoppler mit ermöglichenNational Semiconductor
407057F100371DNiedriger Energie Dreiergruppe 4-Input Mehrfachkoppler mit ermöglichenNational Semiconductor
407058F100371FNiedriger Energie Dreiergruppe 4-Input Mehrfachkoppler mit ermöglichenNational Semiconductor
407059F100371QNiedriger Energie Dreiergruppe 4-Input Mehrfachkoppler mit ermöglichenNational Semiconductor



407060F100393-4,2 V bis -5,7 V, geringer Strom 9-Bit-ECL-to-TTL Übersetzer mit VerriegelungNational Semiconductor
407061F1004PATENTIERTER GOLD METALLISIERTER SILIKON-GATTER-VERBESSERUNG MODUS-RF ENERGIE VDMOS TRANSISTORPolyfet RF Devices
407062F1005PATENTIERTER GOLD METALLISIERTER SILIKON-GATTER-VERBESSERUNG MODUS-RF ENERGIE VDMOS TRANSISTORPolyfet RF Devices
407063F1006PATENTIERTER GOLD METALLISIERTER SILIKON-GATTER-VERBESSERUNG MODUS-RF ENERGIE VDMOS TRANSISTORPolyfet RF Devices
407064F1007PATENTIERTER GOLD METALLISIERTER SILIKON-GATTER-VERBESSERUNG MODUS-RF ENERGIE VDMOS TRANSISTORPolyfet RF Devices
407065F1008PATENTIERTER GOLD METALLISIERTER SILIKON-GATTER-VERBESSERUNG MODUS-RF ENERGIE VDMOS TRANSISTORPolyfet RF Devices
407066F1012PATENTIERTER GOLD METALLISIERTER SILIKON-GATTER-VERBESSERUNG MODUS-RF ENERGIE VDMOS TRANSISTORPolyfet RF Devices
407067F1014PATENTIERTER GOLD METALLISIERTER SILIKON-GATTER-VERBESSERUNG MODUS-RF ENERGIE VDMOS TRANSISTORPolyfet RF Devices
407068F1015PATENTIERTER GOLD METALLISIERTER SILIKON-GATTER-VERBESSERUNG MODUS-RF ENERGIE VDMOS TRANSISTORPolyfet RF Devices
407069F1016PATENTIERTER GOLD METALLISIERTER SILIKON-GATTER-VERBESSERUNG MODUS-RF ENERGIE VDMOS TRANSISTORPolyfet RF Devices
407070F1018PATENTIERTER GOLD METALLISIERTER SILIKON-GATTER-VERBESSERUNG MODUS-RF ENERGIE VDMOS TRANSISTORPolyfet RF Devices
407071F1019PATENTIERTER GOLD METALLISIERTER SILIKON-GATTER-VERBESSERUNG MODUS-RF ENERGIE VDMOS TRANSISTORPolyfet RF Devices
407072F1020PATENTIERTER GOLD METALLISIERTER SILIKON-GATTER-VERBESSERUNG MODUS-RF ENERGIE VDMOS TRANSISTORPolyfet RF Devices
407073F1021PATENTIERTER GOLD METALLISIERTER SILIKON-GATTER-VERBESSERUNG MODUS-RF ENERGIE VDMOS TRANSISTORPolyfet RF Devices
407074F1022PATENTIERTER GOLD METALLISIERTER SILIKON-GATTER-VERBESSERUNG MODUS-RF ENERGIE VDMOS TRANSISTORPolyfet RF Devices
407075F1027PATENTIERTER GOLD METALLISIERTER SILIKON-GATTER-VERBESSERUNG MODUS-RF ENERGIE VDMOS TRANSISTORPolyfet RF Devices
407076F1034PATENTIERTER GOLD METALLISIERTER SILIKON-GATTER-VERBESSERUNG MODUS-RF ENERGIE VDMOS TRANSISTORPolyfet RF Devices
407077F1040PATENTIERTER GOLD METALLISIERTER SILIKON-GATTER-VERBESSERUNG MODUS-RF ENERGIE VDMOS TRANSISTORPolyfet RF Devices
407078F1058PATENTIERTER GOLD METALLISIERTER SILIKON-GATTER-VERBESSERUNG MODUS-RF ENERGIE VDMOS TRANSISTORPolyfet RF Devices
407079F1060PATENTIERTER GOLD METALLISIERTER SILIKON-GATTER-VERBESSERUNG MODUS-RF ENERGIE VDMOS TRANSISTORPolyfet RF Devices
407080F1063PATENTIERTER GOLD METALLISIERTER SILIKON-GATTER-VERBESSERUNG MODUS-RF ENERGIE VDMOS TRANSISTORPolyfet RF Devices
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