| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 42121 | 2SC1760 | 2SC1728 | SONY |
| 42122 | 2SC1760 | 2SC1728 | SONY |
| 42123 | 2SC1775 | Silikon NPN Epitaxial- | Hitachi Semiconductor |
| 42124 | 2SC1775 | Transistor Des Silikon-NPN | Hitachi Semiconductor |
| 42125 | 2SC1775 | Transistors>Amplifiers/Bipolar | Renesas |
| 42126 | 2SC1775A | Silikon NPN Epitaxial- | Hitachi Semiconductor |
| 42127 | 2SC1775A | Transistor Des Silikon-NPN | Hitachi Semiconductor |
| 42128 | 2SC1775A | Transistors>Amplifiers/Bipolar | Renesas |
| 42129 | 2SC1778 | EPITAXIAL- PLANARER TRANSISTOR DES SILIKON-NPN | Panasonic |
| 42130 | 2SC1778 | EPITAXIAL- PLANARER TRANSISTOR DES SILIKON-NPN | Panasonic |
| 42131 | 2SC1779 | Silikon NPN Planar | Unknow |
| 42132 | 2SC1779 | Silikon NPN Planar | Unknow |
| 42133 | 2SC1781 | HOCHFREQUENZVERSTÄRKER-MITTLERE GESCHWINDIGKEIT SCHALTUNG | Hitachi Semiconductor |
| 42134 | 2SC1781 | HOCHFREQUENZVERSTÄRKER-MITTLERE GESCHWINDIGKEIT SCHALTUNG | Hitachi Semiconductor |
| 42135 | 2SC1781H | HOCHFREQUENZVERSTÄRKER-MITTLERE GESCHWINDIGKEIT SCHALTUNG | Hitachi Semiconductor |
| 42136 | 2SC1781H | HOCHFREQUENZVERSTÄRKER-MITTLERE GESCHWINDIGKEIT SCHALTUNG | Hitachi Semiconductor |
| 42137 | 2SC1787 | SI NPN EPITAXIAL- PLANARES | Panasonic |
| 42138 | 2SC1787 | SI NPN EPITAXIAL- PLANARES | Panasonic |
| 42139 | 2SC1788 | Mittlere Endverstärker und Schalter | Unknow |
| 42140 | 2SC1788 | Mittlere Endverstärker und Schalter | Unknow |
| 42141 | 2SC1789 | Silikon NPN Epitaxial- Planares | Unknow |
| 42142 | 2SC1789 | Silikon NPN Epitaxial- Planares | Unknow |
| 42143 | 2SC1809 | Epitaxial- Planarer NPN Silikon-Transistor | ROHM |
| 42144 | 2SC1809 | Epitaxial- Planarer NPN Silikon-Transistor | ROHM |
| 42145 | 2SC1810 | SPEZIFIKATION TRANSISTOREN, Dioden | SONY |
| 42146 | 2SC1810 | SPEZIFIKATION TRANSISTOREN, Dioden | SONY |
| 42147 | 2SC1815 | Epitaxial- Art des Transistor-Silikon-NPN (PCT Prozeß) Tonfrequenz-universelle Verstärker-Anwendungen Treiberstufe Verstärker-Anwendungen | TOSHIBA |
| 42148 | 2SC1815 | NPN SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR | Micro Electronics |
| 42149 | 2SC1815(L) | Epitaxial- Art des Transistor-Silikon-NPN (PCT Prozeß) Tonfrequenz-Spannung Verstärker-Anwendungen niedrige Geräusch-Verstärker-Anwendungen | TOSHIBA |
| 42150 | 2SC1815L | TRANSISTOR (TONFREQUENZ-SPANNUNG NIEDRIGE GERÄUSCH-VERSTÄRKER-ANWENDUNGEN) | TOSHIBA |
| 42151 | 2SC1816 | SPEZIFIKATION TRANSISTORSS, Dioden | Unknow |
| 42152 | 2SC1816 | SPEZIFIKATION TRANSISTORSS, Dioden | Unknow |
| 42153 | 2SC1817 | RP ENERGIE TRANSISTOR | SONY |
| 42154 | 2SC1817 | RP ENERGIE TRANSISTOR | SONY |
| 42155 | 2SC1819 | Silikon NPN Dreifaches Zerstreutes Planares | Unknow |
| 42156 | 2SC1819 | Silikon NPN Dreifaches Zerstreutes Planares | Unknow |
| 42157 | 2SC1827 | NPN EPITAXIAL- FREQUENZ-ENDVERSTÄRKER DES SILIKON-TRANSISTOR(LOW) | Wing Shing Computer Components |
| 42158 | 2SC184 | Transistoren Morgens FREQUENZUMSETZER WENN VERSTÄRKER | USHA India LTD |
| 42159 | 2SC184 | Transistoren Morgens FREQUENZUMSETZER WENN VERSTÄRKER | USHA India LTD |
| 42160 | 2SC1841 | NPN SILIKON-TRANSISTOR | NEC |
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