| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 42281 | 2SC2061 | ENERGIE DES PAKET-1.2W NAHM DEN TRANSISTOR AUF, DER FÜR GEBRAUCH MIT EINER AUTOMATISCHEN PLAZIERUNG MECHINE BESTIMMT WAR | ROHM |
| 42282 | 2SC2062S | Transistoren > kleines Signal zweipoliges Transistors(up zu 0.6W) | ROHM |
| 42283 | 2SC2063 | Epitaxial- Planare NPN Silikon-Transistoren des Rf Verstärker- | ROHM |
| 42284 | 2SC2068 | SILIKON NPN DREIFACHES ZERSTREUTES TYPE(PCT PROZESS) | TOSHIBA |
| 42285 | 2SC2068 | SILIKON NPN DREIFACHES ZERSTREUTES TYPE(PCT PROZESS) | TOSHIBA |
| 42286 | 2SC2073 | ENERGIE TRANSISTORS(1.5A, 150v, 25w) | MOSPEC Semiconductor |
| 42287 | 2SC2073A | DREIFACHE ZERSTREUTE ART DES TRANSISTOR-SILIKON-NPN (PCT PROZESS) ENDVERSTÄRKER UND VERTIKALE OUTPUT-ANWENDUNGEN | TOSHIBA |
| 42288 | 2SC2075 | EPITAXIAL- TYPE(PCT PROZESS DES SILIKON-NPN) | TOSHIBA |
| 42289 | 2SC2075 | EPITAXIAL- TYPE(PCT PROZESS DES SILIKON-NPN) | TOSHIBA |
| 42290 | 2SC2076 | Silikon NPN Epitaxial- Planares | Unknow |
| 42291 | 2SC2076 | Silikon NPN Epitaxial- Planares | Unknow |
| 42292 | 2SC2078 | NPN Epitaxial- Planare Silikon-Transistor 27MHz Rf Endverstärker-Anwendungen | SANYO |
| 42293 | 2SC2085 | PLANARE ART DES SILIKON-PNP TRIPLE-DIFFUSED | Unknow |
| 42294 | 2SC2085 | PLANARE ART DES SILIKON-PNP TRIPLE-DIFFUSED | Unknow |
| 42295 | 2SC2086 | MITSUBISHI RF ENERGIE TRANSISTOR | Mitsubishi Electric Corporation |
| 42296 | 2SC2091 | HOCHFREQUENZCENDVERSTÄRKER | Unknow |
| 42297 | 2SC2091 | HOCHFREQUENZCENDVERSTÄRKER | Unknow |
| 42298 | 2SC2092 | HOCHFREQUENZCENDVERSTÄRKER | Unknow |
| 42299 | 2SC2092 | HOCHFREQUENZCENDVERSTÄRKER | Unknow |
| 42300 | 2SC2094 | MITSUBISHI RF ENERGIE TRANSISTOR | Mitsubishi Electric Corporation |
| 42301 | 2SC2097 | MITSUBISHI RF ENERGIE TRANSISTOR | Mitsubishi Electric Corporation |
| 42302 | 2SC2098 | EPITAXIAL- PLANARES DES SILIKON-NPN | TOSHIBA |
| 42303 | 2SC2098 | EPITAXIAL- PLANARES DES SILIKON-NPN | TOSHIBA |
| 42304 | 2SC2099 | TRANSISTOR (2~30MHZ SSB LINEARE ENDVERSTÄRKER-ANWENDUNGEN) (NIEDRIGER VERSORGUNGSMATERIAL-SPANNUNG GEBRAUCH) | TOSHIBA |
| 42305 | 2SC2120 | Epitaxial- Art des Transistor-Silikon-NPN (PCT Prozeß) Audioendverstärker-Anwendungen | TOSHIBA |
| 42306 | 2SC2125A | ENERGIE TRANSISTOR | Shindengen |
| 42307 | 2SC2125A | ENERGIE TRANSISTOR | Shindengen |
| 42308 | 2SC2127A | ENERGIE TRANSISTOR | Shindengen |
| 42309 | 2SC2127A | ENERGIE TRANSISTOR | Shindengen |
| 42310 | 2SC2128A | ENERGIE TRANSISTOR | Shindengen |
| 42311 | 2SC2128A | ENERGIE TRANSISTOR | Shindengen |
| 42312 | 2SC2131 | EPITAXIAL- PLANARE ART DES RF ENERGIE TRANSISTOR-NPN | Mitsubishi Electric Corporation |
| 42313 | 2SC2133 | EPITAXIAL- PLANARE ART DES RF ENERGIE TRANSISTOR-NPN | Mitsubishi Electric Corporation |
| 42314 | 2SC2134 | EPITAXIAL- PLANARE ART DES RF ENERGIE TRANSISTOR-NPN | Mitsubishi Electric Corporation |
| 42315 | 2SC2148 | MIKROWELLE NIEDRIGES SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR DES GERÄUSCH-VERSTÄRKER-NPN | NEC |
| 42316 | 2SC2149 | MIKROWELLE NIEDRIGES SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR DES GERÄUSCH-VERSTÄRKER-NPN | NEC |
| 42317 | 2SC2166 | NPN EPITAXIAL- PLANARER TYPE(RF ENERGIE TRANSISTOR) | Mitsubishi Electric Corporation |
| 42318 | 2SC2173 | UHF Band-Endverstärker-Anwendungen | TOSHIBA |
| 42319 | 2SC2178 | VHF Band-Endverstärker-Anwendungen | TOSHIBA |
| 42320 | 2SC2188 | Differentielle Vorrichtung - differentieller Transistor - Hoch-Frequenz Verstärker und andere | Panasonic |
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