| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 43241 | 29F010 | 1 Megabit (128 K x 8-bit) CMOS 5.0 Volt-nur/konstantes Sektor-Blitz-Gedächtnis | Advanced Micro Devices |
| 43242 | 29F010 | 1 Mbit 128Kb x8/Konstanter Block-Einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
| 43243 | 29F010 | 1 Mbit 128Kb x8, Uniform-Block Einzelversorgung Flash-Speicher | SGS Thomson Microelectronics |
| 43244 | 29F020 | 2 Megabit (256 K x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-nur Aufladung Sektor-Blitz-Gedächtnis | Advanced Micro Devices |
| 43245 | 29F040 | 4 Megabit (512 K x 8-Bit) CMOS 5.0 Volt-nur/konstantes Sektor-Blitz-Gedächtnis | Advanced Micro Devices |
| 43246 | 29F040 | 4 Mbit 512Kb x8/Konstanter Block-Einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
| 43247 | 29F040 | 4 Mbit 512Kb x8, Uniform-Block Einzelversorgung Flash-Speicher | SGS Thomson Microelectronics |
| 43248 | 29F0408RPFB | 32 Megabit (4M x 8-bit) Flash-Speicher | Maxwell Technologies |
| 43249 | 29F0408RPFE | 32 Megabit (4M x 8-bit) Flash-Speicher | Maxwell Technologies |
| 43250 | 29F0408RPFI | 32 Megabit (4M x 8-bit) Flash-Speicher | Maxwell Technologies |
| 43251 | 29F0408RPFS | 32 Megabit (4M x 8-bit) Flash-Speicher | Maxwell Technologies |
| 43252 | 29F102BB | 1 Mbit 64Kb x16, Aufladung Block-Einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
| 43253 | 29F102BB | 1 Mbit (64Kb x16, Aufladung Block) Single Versorgungsmaterial-Grelles Gedächtnis | ST Microelectronics |
| 43254 | 29F1610 | 16M-BIT [ 2M X8/1M X16 ] CMOS EINZELNER SPANNUNG BLITZ EEPROM | Macronix International |
| 43255 | 29F1610A | 16M-BIT [ 2M X8/1M X16 ] CMOS EINZELNER SPANNUNG BLITZ EEPROM | Macronix International |
| 43256 | 29F1610A-10 | 16M-BIT [ 2M X8/1M X16 ] CMOS EINZELNER SPANNUNG BLITZ EEPROM | Macronix International |
| 43257 | 29F1610A-12 | 16M-BIT [ 2M X8/1M X16 ] CMOS EINZELNER SPANNUNG BLITZ EEPROM | Macronix International |
| 43258 | 29F1610A-90 | 16M-BIT [ 2M X8/1M X16 ] CMOS EINZELNER SPANNUNG BLITZ EEPROM | Macronix International |
| 43259 | 29F200 | 2 Mbit 256Kb x8 oder 128Kb x16/Aufladung Block-einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
| 43260 | 29F4000 | 4M-BIT [ 512KX8/256KX16 ] CMOS GRELLES GEDÄCHTNIS | Macronix International |
| 43261 | 29F52 | 8-Bit Eingetragener Lautsprecherempfänger (Umkehren) | National Semiconductor |
| 43262 | 29F52 | 8-Bit Eingetragener Lautsprecherempfänger | Fairchild Semiconductor |
| 43263 | 29F53 | 8-Bit Eingetragener Lautsprecherempfänger (Umkehren) | National Semiconductor |
| 43264 | 29F53 | 8-Bit Eingetragener Lautsprecherempfänger | Fairchild Semiconductor |
| 43265 | 29F800 | 8M-BIT [ 1MX8/512KX16 ] CMOS GRELLES GEDÄCHTNIS | Macronix International |
| 43266 | 29F800 | 8 Megabit (1 M x 8-Bit/512 K x 16-Bit) CMOS 5.0 Volt-nur/Aufladung Sektor-Blitz-Gedächtnis | Advanced Micro Devices |
| 43267 | 29F800 | 8M (1M X 8/512K X 16) SPITZE | Fujitsu Microelectronics |
| 43268 | 29F800 | 8 Mbit 1Mb x8 oder 512Kb x16/Aufladung Block-einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
| 43269 | 29LS18 | Register des Viererkabel-D mit Standard-und Drei-Zustand Ausgängen | Monolithic Memories |
| 43270 | 29LV650 | 64M (4M x 16) SPITZE | Fujitsu Microelectronics |
| 43271 | 29LV650 | 64M (4M x 16) SPITZE | Fujitsu Microelectronics |
| 43272 | 29PS | Reihe 25PS, 42PS, 44PS, 45PS und 46PS Druckschalter | Texas Instruments |
| 43273 | 29U194A | CMOS SERIENEEPROM | Seiko Instruments Inc |
| 43274 | 29U194ADFE | CMOS SERIENEEPROM | Seiko Instruments Inc |
| 43275 | 29U194AFS | CMOS SERIENEEPROM | Seiko Instruments Inc |
| 43276 | 29U294A | CMOS SERIENEEPROM | Seiko Instruments Inc |
| 43277 | 29U294ADFE | CMOS SERIENEEPROM | Seiko Instruments Inc |
| 43278 | 29U294AFS | CMOS SERIENEEPROM | Seiko Instruments Inc |
| 43279 | 29U394A | CMOS SERIENEEPROM | Seiko Instruments Inc |
| 43280 | 29U394ADFE | CMOS SERIENEEPROM | Seiko Instruments Inc |
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