| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 46281 | 2N4240 | Verbleiter Energie Transistor-Universeller Zweck | Central Semiconductor |
| 46282 | 2N4240 | Hochspannungs-Silizium-NPN-Transistor. | General Electric Solid State |
| 46283 | 2N4248 | Transistoren des Silikon-PNP entwarfen für niedriges Niveau - niedrige nosie Verstärkeranwendungen | Central Semiconductor |
| 46284 | 2N4249 | Transistoren des Silikon-PNP entwarfen für niedriges Niveau - niedrige nosie Verstärkeranwendungen | Central Semiconductor |
| 46285 | 2N4250 | Transistoren des Silikon-PNP entwarfen für niedriges Niveau - niedrige nosie Verstärkeranwendungen | Central Semiconductor |
| 46286 | 2N4250A | Transistoren des Silikon-PNP entwarfen für niedriges Niveau - niedrige nosie Verstärkeranwendungen | Central Semiconductor |
| 46287 | 2N4260 | Span-Art Polarität PNP Der 2C4261 Geometrie-0014 | Semicoa Semiconductor |
| 46288 | 2N4260UB | Span-Art Polarität PNP Der 2C4261 Geometrie-0014 | Semicoa Semiconductor |
| 46289 | 2N4261 | Span-Art Polarität PNP Der 2C4261 Geometrie-0014 | Semicoa Semiconductor |
| 46290 | 2N4261UB | Span-Art Polarität PNP Der 2C4261 Geometrie-0014 | Semicoa Semiconductor |
| 46291 | 2N4264 | Verbleiter Kleiner Signal-Transistor-Universeller Zweck | Central Semiconductor |
| 46292 | 2N4264 | Universelles Transistor(NPN Silikon) | ON Semiconductor |
| 46293 | 2N4264-D | Universelles Transitor NPN Silikon | ON Semiconductor |
| 46294 | 2N4269 | Verbleiter Kleiner Signal-Transistor-Universeller Zweck | Central Semiconductor |
| 46295 | 2N4270 | Verbleiter Kleiner Signal-Transistor-Universeller Zweck | Central Semiconductor |
| 46296 | 2N4271 | Verbleiter Kleiner Signal-Transistor-Universeller Zweck | Central Semiconductor |
| 46297 | 2N4272 | Verbleiter Kleiner Signal-Transistor-Universeller Zweck | Central Semiconductor |
| 46298 | 2N4276 | Germanium-Energie Transistoren | GPD Optoelectronic Devices |
| 46299 | 2N4276 | Germanium-Hohe Energie Transistoren | Diode Transistor Co Inc |
| 46300 | 2N4287 | Verbleiter Kleiner Signal-Transistor-Universeller Zweck | Central Semiconductor |
| 46301 | 2N4289 | Verbleiter Kleiner Signal-Transistor-Universeller Zweck | Central Semiconductor |
| 46302 | 2N4296 | Verbleiter Energie Transistor-Universeller Zweck | Central Semiconductor |
| 46303 | 2N4298 | Verbleiter Energie Transistor-Universeller Zweck | Central Semiconductor |
| 46304 | 2N4299 | Verbleiter Energie Transistor-Universeller Zweck | Central Semiconductor |
| 46305 | 2N4300 | Verbleiter Kleiner Signal-Transistor-Universeller Zweck | Central Semiconductor |
| 46306 | 2N4314 | Verbleiter Kleiner Signal-Transistor-Universeller Zweck | Central Semiconductor |
| 46307 | 2N4314 | Mittlerer Leistung Silizium NPN Planartransistor. | General Electric Solid State |
| 46308 | 2N4338 | Niedrige Noise/Low Spannung | Vishay |
| 46309 | 2N4338 | N-Führung JFET Niedriger Geräusch-Verstärker | Calogic |
| 46310 | 2N4338 | Verbleiter JFET Universeller Zweck | Central Semiconductor |
| 46311 | 2N4338 | N-Kanal Silizium Sperrschicht-Feldeffekttransistor | InterFET Corporation |
| 46312 | 2N4338-41 | N-Führung JFET Niedriger Geräusch-Verstärker | Calogic |
| 46313 | 2N4339 | Niedrige Noise/Low Spannung | Vishay |
| 46314 | 2N4339 | N-Führung JFET Niedriger Geräusch-Verstärker | Calogic |
| 46315 | 2N4339 | N-Kanal Silizium Sperrschicht-Feldeffekttransistor | InterFET Corporation |
| 46316 | 2N4340 | Niedrige Noise/Low Spannung | Vishay |
| 46317 | 2N4340 | N-Führung JFET Niedriger Geräusch-Verstärker | Calogic |
| 46318 | 2N4340 | Verbleiter JFET Universeller Zweck | Central Semiconductor |
| 46319 | 2N4340 | N-Kanal Silizium Sperrschicht-Feldeffekttransistor | InterFET Corporation |
| 46320 | 2N4341 | Niedrige Noise/Low Spannung | Vishay |
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