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Nr.TeilnameBeschreibungHersteller
463612N4376Silikon-Kontrollierter GleichrichterMicrosemi
463622N4376Phase Steuer-Störungsbesuch 70 Amoeres Average(110 Effektivwert) 1400 VoltPowerex Power Semiconductors
463632N4377Silikon-Kontrollierter GleichrichterMicrosemi
463642N4377Phase Steuer-Störungsbesuch 70 Amoeres Average(110 Effektivwert) 1400 VoltPowerex Power Semiconductors
463652N4378Phase Steuer-Störungsbesuch 70 Amoeres Average(110 Effektivwert) 1400 VoltPowerex Power Semiconductors
463662N4384Verbleiter Kleiner Signal-Transistor-Universeller ZweckCentral Semiconductor
463672N4386Verbleiter Kleiner Signal-Transistor-Universeller ZweckCentral Semiconductor
463682N4390Verbleiter Kleiner Signal-Transistor-Universeller ZweckCentral Semiconductor
463692N4391SchalterVishay
463702N4391N-Führung JFET SchalterCalogic
463712N4391Niedrige Geräusche, N-Führung JFET SchalterLinear Systems
463722N4391JFET SCHALTUNG N FÜHRUNG ENTLEERUNGSemeLAB
463732N4391Verbleiter JFET Universeller ZweckCentral Semiconductor
463742N4391N-Kanal Silizium Sperrschicht-FeldeffekttransistorInterFET Corporation
463752N4391N-Kanal-JFET-Schalter.Intersil
463762N4392SchalterVishay
463772N4392N-Führung JFET SchalterCalogic
463782N4392Niedrige Geräusche, N-Führung JFET SchalterLinear Systems
463792N4392JFET SCHALTUNG N FÜHRUNG ENTLEERUNGSemeLAB



463802N4392Verbleiter JFET Universeller ZweckCentral Semiconductor
463812N4392N-Kanal Silizium Sperrschicht-FeldeffekttransistorInterFET Corporation
463822N4392N-Kanal-JFET-Schalter.Intersil
463832N4392CSMKLEINES SIGNAL N.CHANNEL J.FET IN Einem HERMETISCH KERAMISCHEN OBERFLÄCHENEINFASSUNG SIEGELPAKET FÜR HOHE ZUVERLÄSSIGKEIT ANWENDUNGENSemeLAB
463842N4393SchalterVishay
463852N4393N-Führung JFET SchalterCalogic
463862N4393Niedrige Geräusche, N-Führung JFET SchalterLinear Systems
463872N4393Verbleiter JFET Universeller ZweckCentral Semiconductor
463882N4393N-Kanal Silizium Sperrschicht-FeldeffekttransistorInterFET Corporation
463892N4393N-Kanal-JFET-Schalter.Intersil
463902N4393CSMKLEINES SIGNAL N.CHANNEL J.FET IN Einem HERMETISCH KERAMISCHEN OBERFLÄCHENEINFASSUNG SIEGELPAKET FÜR HOHE ZUVERLÄSSIGKEIT ANWENDUNGENSemeLAB
463912N4398ENERGIE TRANSISTORS(200W)MOSPEC Semiconductor
463922N4398TRANSISTOREN DES PNP SILIKON-HIGH-POWERBoca Semiconductor Corporation
463932N4398Verbleiter Energie Transistor-Universeller ZweckCentral Semiconductor
463942N4398-40 V, -30, 200 W, PNP Silizium-LeistungstransistorTexas Instruments
463952N4399PNP TransistorMicrosemi
463962N4399ENERGIE TRANSISTORS(200W)MOSPEC Semiconductor
463972N4399TRANSISTOREN DES PNP SILIKON-HIGH-POWERBoca Semiconductor Corporation
463982N4399Verbleiter Energie Transistor-Universeller ZweckCentral Semiconductor
463992N4399-60 V, -30, 200 W, PNP Silizium-LeistungstransistorTexas Instruments
464002N4400NPN Zweck-VerstärkerFairchild Semiconductor
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