| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 48281 | 2N6071-D | Empfindliches Gatter-TRIAC-Silikon-Umkehrbare Thyristoren | ON Semiconductor |
| 48282 | 2N6071A | TRIAC 4 AMPERE Effektivwert 200 bis 600 VOLT | Motorola |
| 48283 | 2N6071A | Empfindliche Gatter-TRIAC | ON Semiconductor |
| 48284 | 2N6071B | TRIAC 4 AMPERE Effektivwert 200 bis 600 VOLT | Motorola |
| 48285 | 2N6071B | Empfindliche Gatter-TRIAC | ON Semiconductor |
| 48286 | 2N6071BT | Empfindliche Gatter-TRIAC | ON Semiconductor |
| 48287 | 2N6072 | Sensitive Gate Triac. Silicon Zweirichtungsthyristor. 4 A RMS. Spitzen wiederholende Sperrspannung 300 V. | Motorola |
| 48288 | 2N6072A | Sensitive Gate Triac. Silicon Zweirichtungsthyristor. 4 A RMS. Spitzen wiederholende Sperrspannung 300 V. | Motorola |
| 48289 | 2N6072B | Sensitive Gate Triac. Silicon Zweirichtungsthyristor. 4 A RMS. Spitzen wiederholende Sperrspannung 300 V. | Motorola |
| 48290 | 2N6073 | Verbleiter Thyristor TRIAC | Central Semiconductor |
| 48291 | 2N6073 | Sensitive Gate Triac. Silicon Zweirichtungsthyristor. 4 A RMS. Spitzen wiederholende Sperrspannung 400 V. | Motorola |
| 48292 | 2N6073A | TRIAC 4 AMPERE Effektivwert 200 bis 600 VOLT | Motorola |
| 48293 | 2N6073A | Empfindliche Gatter-TRIAC | ON Semiconductor |
| 48294 | 2N6073A | Empfindliche Gatter-TRIAC | ON Semiconductor |
| 48295 | 2N6073B | TRIAC 4 AMPERE Effektivwert 200 bis 600 VOLT | Motorola |
| 48296 | 2N6073B | Empfindliche Gatter-TRIAC | ON Semiconductor |
| 48297 | 2N6074 | Sensitive Gate Triac. Silicon Zweirichtungsthyristor. 4 A RMS. Spitzen wiederholende Sperrspannung 500 V. | Motorola |
| 48298 | 2N6074A | Sensitive Gate Triac. Silicon Zweirichtungsthyristor. 4 A RMS. Spitzen wiederholende Sperrspannung 500 V. | Motorola |
| 48299 | 2N6074B | Sensitive Gate Triac. Silicon Zweirichtungsthyristor. 4 A RMS. Spitzen wiederholende Sperrspannung 500 V. | Motorola |
| 48300 | 2N6075 | Sensitive Gate Triac. Silicon Zweirichtungsthyristor. 4 A RMS. Spitzen wiederholende Sperrspannung 600 V. | Motorola |
| 48301 | 2N6075A | TRIAC 4 AMPERE Effektivwert 200 bis 600 VOLT | Motorola |
| 48302 | 2N6075A | Verbleiter Thyristor TRIAC | Central Semiconductor |
| 48303 | 2N6075A | Empfindliche Gatter-TRIAC | ON Semiconductor |
| 48304 | 2N6075B | TRIAC 4 AMPERE Effektivwert 200 bis 600 VOLT | Motorola |
| 48305 | 2N6075B | Empfindliche Gatter-TRIAC | ON Semiconductor |
| 48306 | 2N6076 | KLEINER SIGNAL-TRANSISTOR DES SILIKON-PNP | Fairchild Semiconductor |
| 48307 | 2N6076 | Verbleiter Kleiner Signal-Transistor-Universeller Zweck | Central Semiconductor |
| 48308 | 2N6076 | PNP Silikon-Transistor. 25V, 100mA. | General Electric Solid State |
| 48309 | 2N6076_D26Z | Kleiner Signal-Transistor Des Silikon-PNP | Fairchild Semiconductor |
| 48310 | 2N6076_D27Z | Kleiner Signal-Transistor Des Silikon-PNP | Fairchild Semiconductor |
| 48311 | 2N6076_D75Z | Kleiner Signal-Transistor Des Silikon-PNP | Fairchild Semiconductor |
| 48312 | 2N6077 | Zweipolige NPN Vorrichtung in einem hermetisch Siegel-paket des Metallto66 | SemeLAB |
| 48313 | 2N6077 | Hochspannungs-Hochleistungs-Silizium-NPN-Transistor. | General Electric Solid State |
| 48314 | 2N6078 | NPN MULTI-EPITAXIAL ENERGIE TRANSISTOR | SemeLAB |
| 48315 | 2N6078 | NPN MULTI-EPITAXIAL ENERGIE TRANSISTOR | SemeLAB |
| 48316 | 2N6078 | Hochspannungs-Hochleistungs-Silizium-NPN-Transistor. | General Electric Solid State |
| 48317 | 2N6079 | Zweipolige NPN Vorrichtung in einem hermetisch Siegel-paket des Metallto66 | SemeLAB |
| 48318 | 2N6079 | Hochspannungs-Hochleistungs-Silizium-NPN-Transistor. | General Electric Solid State |
| 48319 | 2N6080 | RF U. MIKROWELLE TRANSISTOREN 130... 230 MHZ FM MODUL-ANWENDUNGEN | Microsemi |
| 48320 | 2N6080 | RF U. MIKROWELLE TRANSISTOREN 130... 230 MHZ FM MODUL-ANWENDUNGEN | Microsemi |
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