| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 48801 | 2N6430 | 0.500W General Purpose NPN Metall kann der Transistor. 200V Vceo, 0.050A Ic, 25 hFE. | Continental Device India Limited |
| 48802 | 2N6431 | Verbleiter Kleiner Signal-Transistor-Universeller Zweck | Central Semiconductor |
| 48803 | 2N6432 | Verbleiter Kleiner Signal-Transistor-Universeller Zweck | Central Semiconductor |
| 48804 | 2N6433 | Verbleiter Kleiner Signal-Transistor-Universeller Zweck | Central Semiconductor |
| 48805 | 2N6436 | ENERGIE TRANSISTORS(25A, 200w) | MOSPEC Semiconductor |
| 48806 | 2N6436 | HIGH-POWER PNP SILIKON-TRANSISTOREN | Boca Semiconductor Corporation |
| 48807 | 2N6437 | ENERGIE TRANSISTORS(25A, 200w) | MOSPEC Semiconductor |
| 48808 | 2N6437 | HIGH-POWER PNP SILIKON-TRANSISTOREN | Boca Semiconductor Corporation |
| 48809 | 2N6437 | SILIKON DER ENERGIE TRANSISTOR-PNP | ON Semiconductor |
| 48810 | 2N6437-D | Hoch-Energie PNP Silikon-Transistoren | ON Semiconductor |
| 48811 | 2N6438 | ENERGIE TRANSISTORS(25A, 200w) | MOSPEC Semiconductor |
| 48812 | 2N6438 | HIGH-POWER PNP SILIKON-TRANSISTOREN | Boca Semiconductor Corporation |
| 48813 | 2N6438 | SILIKON DER ENERGIE TRANSISTOR-PNP | ON Semiconductor |
| 48814 | 2N6439 | ENERGIE TRANSISTOR | Tyco Electronics |
| 48815 | 2N6439 | 60 W, 225 bis 400 MHZ KONTROLLIERTES SILIKON DES Q. BROADBAND RF ENERGIE TRANSISTOR-NPN | Motorola |
| 48816 | 2N6439 | 60 W, NPN Silizium RF-Leistungstransistor | MA-Com |
| 48817 | 2N6449 | N-Führung Silikon-Verzweigung fangen-effect Transistor | InterFET Corporation |
| 48818 | 2N6449 | N-Führung Silikon-Verzweigung fangen-effect Transistor | InterFET Corporation |
| 48819 | 2N6450 | N-Führung Silikon-Verzweigung fangen-effect Transistor | InterFET Corporation |
| 48820 | 2N6450 | N-Führung Silikon-Verzweigung fangen-effect Transistor | InterFET Corporation |
| 48821 | 2N6451 | N-Führung Silikon-Verzweigung fangen-effect Transistor | InterFET Corporation |
| 48822 | 2N6452 | N-Führung Silikon-Verzweigung fangen-effect Transistor | InterFET Corporation |
| 48823 | 2N6453 | N-Führung Silikon-Verzweigung fangen-effect Transistor | InterFET Corporation |
| 48824 | 2N6453 | N-Führung Silikon-Verzweigung fangen-effect Transistor | InterFET Corporation |
| 48825 | 2N6454 | N-Führung Silikon-Verzweigung fangen-effect Transistor | InterFET Corporation |
| 48826 | 2N6454 | N-Führung Silikon-Verzweigung fangen-effect Transistor | InterFET Corporation |
| 48827 | 2N6461 | Zweipolige NPN Vorrichtung in einem hermetisch Siegel-paket des Metallto39 | SemeLAB |
| 48828 | 2N6462 | Zweipolige NPN Vorrichtung | SemeLAB |
| 48829 | 2N6462 | Zweipolige NPN Vorrichtung | SemeLAB |
| 48830 | 2N6463 | Zweipolige NPN Vorrichtung in einem hermetisch Siegel-paket des Metallto39 | SemeLAB |
| 48831 | 2N6464 | Zweipolige NPN Vorrichtung | SemeLAB |
| 48832 | 2N6465 | Verbleiter Energie Transistor-Universeller Zweck | Central Semiconductor |
| 48833 | 2N6465 | Zweipolige NPN Vorrichtung | SemeLAB |
| 48834 | 2N6466 | Verbleiter Energie Transistor-Universeller Zweck | Central Semiconductor |
| 48835 | 2N6467 | Verbleiter Energie Transistor-Universeller Zweck | Central Semiconductor |
| 48836 | 2N6467 | Zweipolige PNP Vorrichtung | SemeLAB |
| 48837 | 2N6467 | Silikon PNP Medium-Power-Transistor. -110V, 40W. | General Electric Solid State |
| 48838 | 2N6468 | Zweipolige PNP Vorrichtung | SemeLAB |
| 48839 | 2N6468 | Verbleiter Energie Transistor-Universeller Zweck | Central Semiconductor |
| 48840 | 2N6468 | Silikon PNP Medium-Power-Transistor. -130V, 40W. | General Electric Solid State |
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