Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
49121 | 2N6660 | N-Führung 60-V (D-S) Single und viererverseilen MOSFETs | Vishay |
49122 | 2N6661 | N-CHANNEL VERBESSERUNG MODUS-MOS TRANSISTOR | SemeLAB |
49123 | 2N6661 | TMOS SCHALTUNG FET TRANSISTOREN | Motorola |
49124 | 2N6661 | N-Führung Verbesserung-Modus Vertikale DMOS FETs | Supertex Inc |
49125 | 2N6661 | N-Führung MOSFETS 80-V und 90-V (D-S) | Vishay |
49126 | 2N6666 | ENERGIE TRANSISTORS(65W) | MOSPEC Semiconductor |
49127 | 2N6666 | PLASTIKMEDIUM-POWER SILIKON-TRANSISTOREN | Boca Semiconductor Corporation |
49128 | 2N6666 | Verbleiter Energie Transistor Darlington | Central Semiconductor |
49129 | 2N6666 | 10 A PNP Darlington-Leistungstransistor. -40 V. 65 W. Gewinn von 1000 bei 3 A. | General Electric Solid State |
49130 | 2N6667 | ENERGIE TRANSISTORS(65W) | MOSPEC Semiconductor |
49131 | 2N6667 | PLASTIKMEDIUM-POWER SILIKON-TRANSISTOREN | Boca Semiconductor Corporation |
49132 | 2N6667 | Verbleiter Energie Transistor Darlington | Central Semiconductor |
49133 | 2N6667 | Energie 8A 60V Darlington PNP | ON Semiconductor |
49134 | 2N6667 | 10 A PNP Darlington-Leistungstransistor. -60 V. 65 W. Gewinn von 1000 bei 5 A. | General Electric Solid State |
49135 | 2N6667-D | Darlington Silikon-Energie Transistoren | ON Semiconductor |
49136 | 2N6668 | ENERGIE DARLINGTON DES SILIKON-PNP TRANSISTOR | ST Microelectronics |
49137 | 2N6668 | ENERGIE DARLINGTON DES SILIKON-PNP TRANSISTOR | SGS Thomson Microelectronics |
49138 | 2N6668 | ENERGIE DARLINGTON DES SILIKON-PNP TRANSISTOR | SGS Thomson Microelectronics |
49139 | 2N6668 | ENERGIE TRANSISTORS(65W) | MOSPEC Semiconductor |
49140 | 2N6668 | PLASTIKMEDIUM-POWER SILIKON-TRANSISTOREN | Boca Semiconductor Corporation |
49141 | 2N6668 | Verbleiter Energie Transistor Darlington | Central Semiconductor |
49142 | 2N6668 | Energie 8A 80V Darlington PNP | ON Semiconductor |
49143 | 2N6668 | 10 A PNP Darlington-Leistungstransistor. -80 V. 65 W. Gewinn von 1000 bei 5 A. | General Electric Solid State |
49144 | 2N6671 | Verbleiter Energie Transistor-Universeller Zweck | Central Semiconductor |
49145 | 2N6671 | 5 A SwitchMax Leistungstransistor. Hochspannung NPN-Typ. | General Electric Solid State |
49146 | 2N6672 | Verbleiter Energie Transistor-Universeller Zweck | Central Semiconductor |
49147 | 2N6672 | 5 A SwitchMax Leistungstransistor. Hochspannung NPN-Typ. | General Electric Solid State |
49148 | 2N6673 | Zweipolige NPN Vorrichtung | SemeLAB |
49149 | 2N6673 | Verbleiter Energie Transistor-Universeller Zweck | Central Semiconductor |
49150 | 2N6673 | 5 A SwitchMax Leistungstransistor. Hochspannung NPN-Typ. | General Electric Solid State |
49151 | 2N6674 | Verbleiter Energie Transistor-Universeller Zweck | Central Semiconductor |
49152 | 2N6674 | NPN ENERGIE SILIKON-TRANSISTOR | Microsemi |
49153 | 2N6675 | Verbleiter Energie Transistor-Universeller Zweck | Central Semiconductor |
49154 | 2N6675 | NPN ENERGIE SILIKON-TRANSISTOR | Microsemi |
49155 | 2N6676 | NPN Transistor | Microsemi |
49156 | 2N6676 | ENERGIE TRANSISTORS(15A, 175w) | MOSPEC Semiconductor |
49157 | 2N6676 | NPN SILIKON-ENERGIE TRANSISTOREN | Boca Semiconductor Corporation |
49158 | 2N6676 | 15 A SwitchMax Leistungstransistor. Hochspannung NPN-Typ. | General Electric Solid State |
49159 | 2N6676 | NPN Silizium-Leistungstransistor. 15 A, 300 V, 175 W. | Motorola |
49160 | 2N6677 | ENERGIE TRANSISTORS(15A, 175w) | MOSPEC Semiconductor |
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