| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 50001 | 2SA0886 | Starkstromgerät - Energie Transistoren - Andere | Panasonic |
| 50002 | 2SA0900 | Starkstromgerät - Energie Transistoren - Andere | Panasonic |
| 50003 | 2SA0914 | Starkstromgerät - Energie Transistoren - Andere | Panasonic |
| 50004 | 2SA0921 | Differentielle Vorrichtung - differentieller Transistor - Allgemein-verwenden Sie Niedrig-Frequenz Amplifires | Panasonic |
| 50005 | 2SA0963 | Starkstromgerät - Energie Transistoren - Andere | Panasonic |
| 50006 | 2SA100 | GE PNP Antrieb | Unknow |
| 50007 | 2SA100 | GE PNP Antrieb | Unknow |
| 50008 | 2SA1006 | PNP/NPN SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR | NEC |
| 50009 | 2SA1006A | PNP/NPN SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR | NEC |
| 50010 | 2SA1006B | PNP/NPN SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR | NEC |
| 50011 | 2SA1008 | Silikontransistor | NEC |
| 50012 | 2SA1008(1) | Silikontransistor | NEC |
| 50013 | 2SA1008(2) | Silikontransistor | NEC |
| 50014 | 2SA1008(3) | Silikontransistor | NEC |
| 50015 | 2SA1008(4) | Silikontransistor | NEC |
| 50016 | 2SA1008-S | Silikontransistor | NEC |
| 50017 | 2SA1008-Z | Silikontransistor | NEC |
| 50018 | 2SA1009 | PNP SILIKON-ENERGIE TRANSISTOREN | NEC |
| 50019 | 2SA1009 | PNP SILIKON-ENERGIE TRANSISTOREN | NEC |
| 50020 | 2SA1009A | PNP SILIKON-ENERGIE TRANSISTOREN | NEC |
| 50021 | 2SA1009A | PNP SILIKON-ENERGIE TRANSISTOREN | NEC |
| 50022 | 2SA101 | GE PNP Antrieb | Unknow |
| 50023 | 2SA101 | GE PNP Antrieb | Unknow |
| 50024 | 2SA1010 | SILIKON-ENERGIE TRANSISTOR | NEC |
| 50025 | 2SA1010(1) | Silikontransistor | NEC |
| 50026 | 2SA1010(2) | Silikontransistor | NEC |
| 50027 | 2SA1011 | Hoch-Spannung Schaltung, Af Energie Ampere, Ausgang 100W Predriver Anwendungen | SANYO |
| 50028 | 2SA1011 | ENERGIE TRANSISTORS(1.5A, 160v, 25w) | MOSPEC Semiconductor |
| 50029 | 2SA1011 | PNP EPITAXIAL- FREQUENZ-ENDVERSTÄRKER DES SILIKON-TRANSISTOR(LOW) | Wing Shing Computer Components |
| 50030 | 2SA1012 | EPITAXIAL- ART DES TRANSISTOR-SILIKON-PNP (PCT PROZESS) HOHE GEGENWÄRTIGE SCHALTUNG ANWENDUNGEN. | TOSHIBA |
| 50031 | 2SA1012 | ENERGIE TRANSISTORS(5A, 50v, 25w) | MOSPEC Semiconductor |
| 50032 | 2SA1013 | EPITAXIAL- ART DES TRANSISTOR-SILIKON-PNP (PCT PROZESS) FARBE FERNSEHAPPARAT VERT. ABLENKUNG OUTPUT, FARBE Fernsehapparat KATEGORIE B STICHHALTIGE OUTPUT-ANWENDUNGEN | TOSHIBA |
| 50033 | 2SA1015 | Epitaxial- Art des Transistor-Silikon-PNP (PCT Prozeß) Tonfrequenz-universelle Verstärker-Anwendungen Treiberstufe Verstärker-Anwendungen | TOSHIBA |
| 50034 | 2SA1015 | PNP SILIKON-TRANSISTOR | Micro Electronics |
| 50035 | 2SA1015 | Niederfrequenzverstärker. Kollektor-Basis-Spannung: 50V = VCBO. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V = Vceo. Emitter-Basis-Spannung Vebo = -5V.Collector Ableitung: Pc (max) = 400mW. | USHA India LTD |
| 50036 | 2SA1015(L) | Epitaxial- Art des Transistor-Silikon-PNP (PCT Prozeß) Tonfrequenz-Verstärker-Anwendungen niedrige Geräusch-Verstärker-Anwendungen | TOSHIBA |
| 50037 | 2SA1015GR | PNP SILIKON-TRANSISTOR | Micro Electronics |
| 50038 | 2SA1015L | TRANSISTOR (TONFREQUENZ-VERSTÄRKER-ANWENDUNGEN) | TOSHIBA |
| 50039 | 2SA1015Y | 400mW PNP Silikon-Transistor | Micro Electronics |
| 50040 | 2SA1016 | Hoch-Spannung Niedrig-Geräusche Ampere Anwendungen | SANYO |
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