| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 50281 | 2SA1255 | Dreifache zerstreute (PCT Prozeß) Hochspannungsschaltung Anwendungen des Transistor-Silikon-PNP | TOSHIBA |
| 50282 | 2SA1256 | Hochfrequenzampere Anwendungen | SANYO |
| 50283 | 2SA1257 | Hoch-Spannung Schaltung, Af Energie Ampere, Ausgang 100W Predriver Anwendungen | SANYO |
| 50284 | 2SA1258 | 60V/3A für Schnelltreiber-Anwendungen | SANYO |
| 50285 | 2SA1259 | 60V/5A für Schnelltreiber-Anwendungen | SANYO |
| 50286 | 2SA1261 | PNP EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTOR | Unknow |
| 50287 | 2SA1261 | PNP EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTOR | Unknow |
| 50288 | 2SA1262 | Transistor Des Silikon-PNP | Sanken |
| 50289 | 2SA1263 | DREIFACHE ZERSTREUTE ART DES SILIKON-PNP | TOSHIBA |
| 50290 | 2SA1263 | DREIFACHE ZERSTREUTE ART DES SILIKON-PNP | TOSHIBA |
| 50291 | 2SA1264 | DREIFACHE ZERSTREUTE ART DES SILIKON-PNP | TOSHIBA |
| 50292 | 2SA1265 | Endverstärker-Anwendungen | TOSHIBA |
| 50293 | 2SA1266 | TRANSISTOR-EPITAXIAL- PLANARE ART DES SILIKON-PNP | Korea Electronics (KEC) |
| 50294 | 2SA1266L | TRANSISTOR-EPITAXIAL- PLANARE ART DES SILIKON-PNP | Korea Electronics (KEC) |
| 50295 | 2SA1270 | Transistoren | Korea Electronics (KEC) |
| 50296 | 2SA1271 | TRANSISTOR-EPITAXIAL- PLANARE ART DES SILIKON-PNP | Korea Electronics (KEC) |
| 50297 | 2SA1271 | TRANSISTOR-EPITAXIAL- PLANARE ART DES SILIKON-PNP | Korea Electronics (KEC) |
| 50298 | 2SA1273 | Transistor Epitaxial- Planarer Type(PCT Des Silikon-PNP PROZESS) | Korea Electronics (KEC) |
| 50299 | 2SA1282 | FÜR NIEDERFREQUENZENERGIE VERSTÄRKEN SIE EPITAXIAL- ART DES ANWENDUNG SILIKON-PNP | Isahaya Electronics Corporation |
| 50300 | 2SA1282 | FÜR NIEDERFREQUENZENERGIE VERSTÄRKEN SIE EPITAXIAL- ART DES ANWENDUNG SILIKON-PNP | Isahaya Electronics Corporation |
| 50301 | 2SA1282A | FÜR NIEDERFREQUENZENERGIE VERSTÄRKEN SIE EPITAXIAL- ART DES ANWENDUNG SILIKON-PNP | Isahaya Electronics Corporation |
| 50302 | 2SA1282A | FÜR NIEDERFREQUENZENERGIE VERSTÄRKEN SIE EPITAXIAL- ART DES ANWENDUNG SILIKON-PNP | Isahaya Electronics Corporation |
| 50303 | 2SA1283 | SILIKON PNP 2SA1283 | Isahaya Electronics Corporation |
| 50304 | 2SA1283 | SILIKON PNP 2SA1283 | Isahaya Electronics Corporation |
| 50305 | 2SA1284 | 900mW Bleirahmen PNP-Transistor, maximale Bewertung: -100 V Vceo, -500mA Ic, 55-300 hFE. Ergänzende 2SC3244 | Isahaya Electronics Corporation |
| 50306 | 2SA1285 | FÜR EPITAXIAL- ART DES PRE-DRIVE ANWENDUNG SILIKON-PNP | Isahaya Electronics Corporation |
| 50307 | 2SA1285 | FÜR EPITAXIAL- ART DES PRE-DRIVE ANWENDUNG SILIKON-PNP | Isahaya Electronics Corporation |
| 50308 | 2SA1285A | FÜR EPITAXIAL- ART DES PRE-DRIVE ANWENDUNG SILIKON-PNP | Isahaya Electronics Corporation |
| 50309 | 2SA1285A | FÜR EPITAXIAL- ART DES PRE-DRIVE ANWENDUNG SILIKON-PNP | Isahaya Electronics Corporation |
| 50310 | 2SA1286 | KLEINE ART MOTOR, EPITAXIAL- ART DES SPULENKERN-ANTRIEBANWENDUNG SILIKON-PNP | Isahaya Electronics Corporation |
| 50311 | 2SA1286 | KLEINE ART MOTOR, EPITAXIAL- ART DES SPULENKERN-ANTRIEBANWENDUNG SILIKON-PNP | Isahaya Electronics Corporation |
| 50312 | 2SA1287 | FÜR EPITAXIAL- ART DES RELAIS-ANTRIEB SPG.VERSORGUNGSTEIL-ANWENDUNG SILIKON-PNP | Isahaya Electronics Corporation |
| 50313 | 2SA1287 | FÜR EPITAXIAL- ART DES RELAIS-ANTRIEB SPG.VERSORGUNGSTEIL-ANWENDUNG SILIKON-PNP | Isahaya Electronics Corporation |
| 50314 | 2SA1289 | Schnellschaltung 60V/5A Anwendungen | SANYO |
| 50315 | 2SA1290 | Schnellschaltung 60V/7A Anwendungen | SANYO |
| 50316 | 2SA1291 | Schnellschaltung 60V/10A Anwendungen | SANYO |
| 50317 | 2SA1292 | Schnellschaltung 60V/15A Anwendungen | SANYO |
| 50318 | 2SA1293 | ART DES TRANSISTOR-SILIKON-PNP PITAXIAL (Pct PROZESS) Hohe Gegenwärtige Schaltung Anwendungen | TOSHIBA |
| 50319 | 2SA1294 | Silikon PNP Epitaxial- planares Transistor(Audio und universeller Zweck) | Sanken |
| 50320 | 2SA1295 | ENERGIE TRANSISTORS(17A, 230v, 200w) | MOSPEC Semiconductor |
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