Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
50321 | 2SA1295 | Silikon PNP Epitaxial- planares Transistor(Audio und General) | Sanken |
50322 | 2SA1296 | Epitaxial- Art des Transistor-Silikon-PNP (PCT Prozeß) Endverstärker-Anwendungen Energie Schaltung Anwendungen | TOSHIBA |
50323 | 2SA1297 | Epitaxial- Art des Transistor-Silikon-PNP (PCT Prozeß) Endverstärker-Anwendungen Energie Schaltung Anwendungen | TOSHIBA |
50324 | 2SA1298 | ENDVERSTÄRKER-Anwendung Energie Schaltung Anwendungen des Transistor-Silikon-PNP Epitaxial- (PCT Prozeß) Niederfrequenz$$ln | TOSHIBA |
50325 | 2SA1300 | Epitaxial- Art des Transistor-Silikon-PNP (PCT Prozeß) Röhrenblitz-Blitz-Anwendungen mittlere Endverstärker-Anwendungen | TOSHIBA |
50326 | 2SA1301 | PNP PLANARES ENDVERSTÄRKER-DC DES SILIKON-TRANSISTOR(AUDIO ZUM DC KONVERTER) | Wing Shing Computer Components |
50327 | 2SA1302 | ENERGIE TRANSISTORS(15A, 200v, 150w) | MOSPEC Semiconductor |
50328 | 2SA1302 | PNP PLANARES ENDVERSTÄRKER-DC DES SILIKON-TRANSISTOR(AUDIO ZUM DC KONVERTER) | Wing Shing Computer Components |
50329 | 2SA1303 | Silikon PNP Epitaxial- planares Transistor(Audio und universeller Zweck) | Sanken |
50330 | 2SA1304 | TRANSISTOR (ENDVERSTÄRKER-VERTIKALE OUTPUT-ANWENDUNGEN) | TOSHIBA |
50331 | 2SA1306 | Reihe Des Paket-TO-220 | TOSHIBA |
50332 | 2SA1306B | ERGÄNZENDE SILIKON-ENERGIE TRANSISTOREN | Motorola |
50333 | 2SA1306B | ERGÄNZENDE SILIKON-ENERGIE TRANSISTOREN | Motorola |
50334 | 2SA1306B | 1,5 A; 200V; 20W; Silizium PNP epitaktischen Typ stransistor. Für Leistungsverstärker-Anwendungen Treiberstufe Verstärker-Anwendungen | TOSHIBA |
50335 | 2SA1307 | PNP EPITAXIAL- VERSTÄRKER-VERTIKALE ABLENKUNG DES SILIKON-TRANSISTOR(POWER OUTPUT) | Wing Shing Computer Components |
50336 | 2SA1309 | Transistor - Silicon PNP Epitaxial- Planare Art | Panasonic |
50337 | 2SA1309A | Differentielle Vorrichtung - differentieller Transistor - Allgemein-verwenden Sie Niedrig-Frequenz Amplifires | Panasonic |
50338 | 2SA1310 | Differentielle Vorrichtung - differentieller Transistor - Allgemein-verwenden Sie Niedrig-Frequenz Amplifires | Panasonic |
50339 | 2SA1312 | Epitaxial- Art des Transistor-Silikon-PNP (PCT Prozeß) Tonfrequenz-niedrige Geräusch-Verstärker-Anwendungen | TOSHIBA |
50340 | 2SA1313 | Epitaxial- Art des Transistor-Silikon-PNP (PCT Prozeß) Tonfrequenz-niedrige Endverstärker-Anwendungen Treiberstufe Verstärker-Anwendungen, die Anwendungen schalten | TOSHIBA |
50341 | 2SA1314 | Epitaxial- Art des Transistor-Silikon-PNP (PCT Prozeß) Röhrenblitz-Blitz-Anwendungen Audioenergie Anwendungen | TOSHIBA |
50342 | 2SA1315 | Epitaxial- Art des Transistor-Silikon-PNP (PCT Prozeß) Endverstärker-Anwendungen Energie Schaltung Anwendungen | TOSHIBA |
50343 | 2SA1316 | Epitaxial- Art des Transistor-Silikon-PNP (PCT Prozeß) für niedrige Geräusch-Audioverstärker-Anwendungen und empfohlen für die ersten Stadien MC der Hauptverstärker | TOSHIBA |
50344 | 2SA1317 | PNP/NPN Epitaxial- Planare Silikon-Transistoren | SANYO |
50345 | 2SA1318 | Af Ampere Anwendungen | SANYO |
50346 | 2SA1318R | PNP-Transistor für AF verstärkt Anwendungen, 60V, 0,2A | SANYO |
50347 | 2SA1318S | PNP-Transistor für AF verstärkt Anwendungen, 60V, 0,2A | SANYO |
50348 | 2SA1318T | PNP-Transistor für AF verstärkt Anwendungen, 60V, 0,2A | SANYO |
50349 | 2SA1318U | PNP-Transistor für AF verstärkt Anwendungen, 60V, 0,2A | SANYO |
50350 | 2SA1319 | Hoch-Spannung Schaltung Anwendungen | SANYO |
50351 | 2SA1320 | Dreifache zerstreute Art des Transistor-Silikon-PNP (PCT Prozeß) Hochspannungsschaltung Anwendungen Farbe Fernsehapparat Farbenreinheit-Ausgang Anwendungen | TOSHIBA |
50352 | 2SA1321 | DREIFACHE ZERSTREUTE ART DES TRANSISTOR-SILIKON-PNP (PCT PROZESS) HOCHSPANNUNGSSCHALTUNG, FARBE FERNSEHAPPARAT FARBENREINHEIT-OUTPUT-ANWENDUNGEN. | TOSHIBA |
50353 | 2SA1323 | Differentielle Vorrichtung - differentieller Transistor - Hoch-Frequenz Verstärker und andere | Panasonic |
50354 | 2SA1327A | Epitaxial- Art des Transistor-Silikon-PNP (PCT Prozeß) Röhrenblitz-Blitz-Anwendungen Audioendverstärker-Anwendungen | TOSHIBA |
50355 | 2SA1328 | EPITAXIAL- ART DES SILIKON-PNP (PCT PROZESS) | TOSHIBA |
50356 | 2SA1328 | EPITAXIAL- ART DES SILIKON-PNP (PCT PROZESS) | TOSHIBA |
50357 | 2SA1329 | EPITAXIAL- ART DES SILIKON-PNP (PCT PROZESS) | TOSHIBA |
50358 | 2SA1329 | EPITAXIAL- ART DES SILIKON-PNP (PCT PROZESS) | TOSHIBA |
50359 | 2SA1330 | HOCHSPANNUNGSVERSTÄRKER-UND SCHALTUNG PNP SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR-MINIFORM | NEC |
50360 | 2SA1330-L | Silikontransistor | NEC |
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