| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 509201 | HVU362 | Diodes>Variable Kapazitanz | Renesas |
| 509202 | HVU363 | Variable Kapazitanz-Diode für Fernsehapparat Tuner | Hitachi Semiconductor |
| 509203 | HVU363A | Variable Kapazitanz-Diode | Hitachi Semiconductor |
| 509204 | HVU363A | Diodes>Variable Kapazitanz | Renesas |
| 509205 | HVU363B | Variable Kapazitanz-Diode | Hitachi Semiconductor |
| 509206 | HVU363B | Diodes>Variable Kapazitanz | Renesas |
| 509207 | HVU383B | Variable Kapazitanz-Diode | Hitachi Semiconductor |
| 509208 | HVU383B | Diodes>Variable Kapazitanz | Renesas |
| 509209 | HVU417C | Diodes>Variable Kapazitanz | Renesas |
| 509210 | HVW, MVW | Spezieller Zweck, Hochspannung, blaue flammenfeste Schicht vorhanden auf Antrag, Axialzuleitungen | Vishay |
| 509211 | HVY202A | Variable Kapazitanz-Diode für das elektronische Abstimmen | Leshan Radio Company |
| 509212 | HW-104A | Hoch-Empfindlichkeit InSb Hall Element | etc |
| 509213 | HW-108C | InSb Hall Element | etc |
| 509214 | HW105A | InSb Hall Element | etc |
| 509215 | HW108A | Hoch-Empfindlichkeit InSb Hall Element | etc |
| 509216 | HW108C | InSb Hall Element | etc |
| 509217 | HW109A | Hoch-Empfindlichkeit InSb Hall Element. | etc |
| 509218 | HW300B | ?Highempfindlichkeit InSb Hall Element. ?SIP Paket. ?Shipped imHauptteil (500pcs pro Satz). | etc |
| 509219 | HW302B | ?Highempfindlichkeit InSb Hall Element. ?Thin SIP Paket. ?Shipped imHauptteil (500pcs pro Satz). | etc |
| 509220 | HW86010 | DECT Lautsprecherempfänger-Modul: Die Bestwert eingebettete drahtloseLösung | etc |
| 509221 | HWB3163-EVAL | PRISMA II Lokales Netzwerk Gedruckte Schaltkarte Des Radioapparat-11Mbps | Intersil |
| 509222 | HWD075DGE | HWD Reihe. 75 Watt, Hälfte-Ziegelstein DC/DC Konverter-Breite Eingang Strecke Doppelausgang | Power-One |
| 509223 | HWD075DGE-A | HWD Reihe. 75 Watt, Hälfte-Ziegelstein DC/DC Konverter-Breite Eingang Strecke Doppelausgang | Power-One |
| 509224 | HWD2111 | DoppelVerstärker des Kopfhörer-105mW mit Digital Lautstärkeregler und Abschaltung Modus | etc |
| 509225 | HWD2119 | 350mWAudio Endverstärker mit Abschaltung Modus | Chengdu Sino Microelectronics System |
| 509226 | HWF1681RA | 15 W L-Band-GaAs-Leistungs-FET | HEXAWAVE |
| 509227 | HWF1682RA | 20 W L-Band-GaAs-Leistungs-FET | HEXAWAVE |
| 509228 | HWF1686NC | 3,5 W L-Band-Leistungs-FET nicht-Kontaktloch-Chip | HEXAWAVE |
| 509229 | HWF1686RA | 5,4 W L-Band-GaAs-Leistungs-FET | HEXAWAVE |
| 509230 | HWF1686YC | 5,4 W L-Band-Leistungs-FET Durchkontaktierungslochs Chip | HEXAWAVE |
| 509231 | HWF1687RA | 7,5 W L-Band-GaAs-Leistungs-FET | HEXAWAVE |
| 509232 | HWS2152 | DC-2 GHz, GaAs MMIC SPDT-Schalter | HEXAWAVE |
| 509233 | HWS2352 | GaAs MMIC SPDT beendet Schalter | HEXAWAVE |
| 509234 | HWS2702 | GaAs MMIC SPDT-Schalter | HEXAWAVE |
| 509235 | HWS301 | GaAs MMIC SPDT Schalter | etc |
| 509236 | HWS301 | GaAs MMIC SPDT-Schalter | HEXAWAVE |
| 509237 | HWS303 | GaAs MMIC SPDT Schalter | etc |
| 509238 | HWS303 | GaAs MMIC SPDT-Schalter | HEXAWAVE |
| 509239 | HWS305 | GaAs MMIC SPDT-Schalter | HEXAWAVE |
| 509240 | HWS306 | GaAs MMIC SPDT-Schalter | HEXAWAVE |
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