| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 50961 | 2SA1891 | Epitaxial- Art des Transistor-Silikon-PNP (PCT Prozeß) Endverstärker-Anwendungen Energie Schaltung Anwendungen | TOSHIBA |
| 50962 | 2SA1892 | Epitaxial- Art des Transistor-Silikon-PNP (PCT Prozeß) Endverstärker-Anwendungen Energie Schaltung Anwendungen | TOSHIBA |
| 50963 | 2SA1893 | EPITAXIAL- ART DES TRANSISTOR-SILIKON-PNP (PCT PROZESS) RÖHRENBLITZ-BLITZ-ANWENDUNGEN MITTLERE ENDVERSTÄRKER-ANWENDUNGEN | TOSHIBA |
| 50964 | 2SA1896 | PNP Epitaxial- Planarer Konverter Des Silikon-Transistor-DC/DC, Bewegungstreiber-Anwendungen | SANYO |
| 50965 | 2SA1897 | 20 V, 5 A, PNP ultra-niedriger Sättigung Spannung Transistor | NEC |
| 50966 | 2SA1898 | PNP Epitaxial- Planare Konverter-Anwendung Des Silikon-Transistor-DC/DC | SANYO |
| 50967 | 2SA1899 | EPITAXIAL- ART DES TRANSISTOR-SILIKON-PNP (PCT PROZESS) ENDVERSTÄRKER-UND TREIBERSTUFE VERSTÄRKER-ANWENDUNGEN | TOSHIBA |
| 50968 | 2SA1900 | Transistoren > Mittlere Energie Zweipoliges Transistors(0.5W-1.0W) | ROHM |
| 50969 | 2SA1902 | ENERGIE DES PAKET-1.2W NAHM DEN TRANSISTOR AUF, DER FÜR GEBRAUCH MIT EINER AUTOMATISCHEN PLAZIERUNG MECHINE BESTIMMT WAR | ROHM |
| 50970 | 2SA1902 | ENERGIE DES PAKET-1.2W NAHM DEN TRANSISTOR AUF, DER FÜR GEBRAUCH MIT EINER AUTOMATISCHEN PLAZIERUNG MECHINE BESTIMMT WAR | ROHM |
| 50971 | 2SA1903 | TRANSISTOREN ZU 92L TO-92LS MRT | ROHM |
| 50972 | 2SA1903 | ENERGIE DES PAKET-1.2W NAHM DEN TRANSISTOR AUF, DER FÜR GEBRAUCH MIT EINER AUTOMATISCHEN PLAZIERUNG MECHINE BESTIMMT WAR | ROHM |
| 50973 | 2SA1903 | TRANSISTOREN ZU 92L TO-92LS MRT | ROHM |
| 50974 | 2SA1903 | ENERGIE DES PAKET-1.2W NAHM DEN TRANSISTOR AUF, DER FÜR GEBRAUCH MIT EINER AUTOMATISCHEN PLAZIERUNG MECHINE BESTIMMT WAR | ROHM |
| 50975 | 2SA1905 | EPITAXIAL- ART DES TRANSISTOR-SILIKON-PNP (PCT PROZESS) HOHE GEGENWÄRTIGE SCHALTUNG ANWENDUNGEN | TOSHIBA |
| 50976 | 2SA1907 | Silikon PNP Epitaxial- planares Transistor(Audio und universeller Zweck) | Sanken |
| 50977 | 2SA1908 | Silikon PNP Epitaxial- planares Transistor(Audio und universeller Zweck) | Sanken |
| 50978 | 2SA1909 | Silikon PNP Epitaxial- planares Transistor(Audio und universeller Zweck) | Sanken |
| 50979 | 2SA1923 | Dreifache Zerstreute Art Hochspannungsschaltung Anwendungen Des Transistor-Silikon-PNP | TOSHIBA |
| 50980 | 2SA1924 | DREIFACHE ZERSTREUTE ART HOCHSPANNUNGSSCHALTUNG ANWENDUNGEN DES TRANSISTOR-SILIKON-PNP | TOSHIBA |
| 50981 | 2SA1925 | DREIFACHE ZERSTREUTE ART HOCHSPANNUNGSSCHALTUNG ANWENDUNGEN DES TRANSISTOR-SILIKON-PNP | TOSHIBA |
| 50982 | 2SA1926 | Epitaxial- Art des Transistor-Silikon-PNP (PCT Prozeß) Endverstärker-Anwendungen Energie Schaltung Anwendungen | TOSHIBA |
| 50983 | 2SA1928 | SILIKON PNP VERDOPPELN TRANSISTOR | Isahaya Electronics Corporation |
| 50984 | 2SA1928 | SILIKON PNP VERDOPPELN TRANSISTOR | Isahaya Electronics Corporation |
| 50985 | 2SA1930 | EPITAXIAL- ART DES TRANSISTOR-SILIKON-PNP (PCT PROZESS) ENDVERSTÄRKER-UND TREIBERSTUFE VERSTÄRKER-ANWENDUNGEN | TOSHIBA |
| 50986 | 2SA1932 | EPITAXIAL- ART DES TRANSISTOR-SILIKON-PNP (PCT PROZESS) ENDVERSTÄRKER-UND TREIBERSTUFE VERSTÄRKER-ANWENDUNGEN | TOSHIBA |
| 50987 | 2SA1933 | EPITAXIAL- ART DES TRANSISTOR-SILIKON-PNP (PCT PROZESS) HOHE GEGENWÄRTIGE SCHALTUNG ANWENDUNGEN | TOSHIBA |
| 50988 | 2SA1934 | EPITAXIAL- ART DES TRANSISTOR-SILIKON-PNP (PCT PROZESS) HOHE GEGENWÄRTIGE SCHALTUNG ANWENDUNGEN. DC-DC KONVERTER-ANWENDUNGEN | TOSHIBA |
| 50989 | 2SA1937 | Dreifache Zerstreute Art Hochspannungsschaltung Anwendungen Des Transistor-Silikon-PNP | TOSHIBA |
| 50990 | 2SA1939 | DREIFACHE ZERSTREUTE ART DES TRANSISTOR-SILIKON-PNP. ENDVERSTÄRKER-ANWENDUNGEN | TOSHIBA |
| 50991 | 2SA1939 | PNP PLANARES ENDVERSTÄRKER-DC DES SILIKON-TRANSISTOR(AUDIO ZUM DC KONVERTER) | Wing Shing Computer Components |
| 50992 | 2SA1940 | DREIFACHE ZERSTREUTE ART ENDVERSTÄRKER-ANWENDUNGEN DES TRANSISTOR-SILIKON-PNP | TOSHIBA |
| 50993 | 2SA1941 | DREIFACHE ZERSTREUTE ART ENDVERSTÄRKER-ANWENDUNGEN DES TRANSISTOR-SILIKON-PNP | TOSHIBA |
| 50994 | 2SA1942 | DREIFACHE ZERSTREUTE ART ENDVERSTÄRKER-ANWENDUNGEN DES TRANSISTOR-SILIKON-PNP | TOSHIBA |
| 50995 | 2SA1943 | DREIFACHE ZERSTREUTE ART ENDVERSTÄRKER-ANWENDUNGEN DES TRANSISTOR-SILIKON-PNP | TOSHIBA |
| 50996 | 2SA1943 | PNP Epitaxial-Silikon-Transistor | Fairchild Semiconductor |
| 50997 | 2SA1943N | Leistungstransistor für Hochgeschwindigkeitsschaltanwendungen | TOSHIBA |
| 50998 | 2SA1944 | FÜR EPITAXIAL- ART DES RELAIS-ANTRIEB SPG.VERSORGUNGSTEIL-ANWENDUNG SILIKON-PNP | Isahaya Electronics Corporation |
| 50999 | 2SA1944 | FÜR EPITAXIAL- ART DES RELAIS-ANTRIEB SPG.VERSORGUNGSTEIL-ANWENDUNG SILIKON-PNP | Isahaya Electronics Corporation |
| 51000 | 2SA1945 | FÜR UNIVERSELLE HOHE GEGENWÄRTIGE EPITAXIAL- ART DES ANTRIEB ANWENDUNG SILIKON-PNP | Isahaya Electronics Corporation |
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