| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 52921 | 2SC1621 | SCHNELLSCHALTUNG PNP SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR-MINIFORM | NEC |
| 52922 | 2SC1621-L | Silikontransistor | NEC |
| 52923 | 2SC1621-T1B | Silikontransistor | NEC |
| 52924 | 2SC1621-T2B | Silikontransistor | NEC |
| 52925 | 2SC1622 | SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR-MINIFORM DES TONFREQUENZ-HOHER GEWINN-VERSTÄRKER-NPN | NEC |
| 52926 | 2SC1622A | SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR-MINIFORM DES TONFREQUENZ-HOHER GEWINN-VERSTÄRKER-NPN | NEC |
| 52927 | 2SC1622A-L | High-gain Verstärkung Niederfrequenzsilikon Tr. | NEC |
| 52928 | 2SC1622A-T1B | High-gain Verstärkung Niederfrequenzsilikon Tr. | NEC |
| 52929 | 2SC1622A-T2B | High-gain Verstärkung Niederfrequenzsilikon Tr. | NEC |
| 52930 | 2SC1623 | SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR-MINIFORM DES TONFREQUENZ-UNIVERSELLER VERSTÄRKER-NPN | NEC |
| 52931 | 2SC1623-L | Silikontransistor | NEC |
| 52932 | 2SC1623-T1B | Silikontransistor | NEC |
| 52933 | 2SC1623-T2B | Silikontransistor | NEC |
| 52934 | 2SC1624 | PLANARE ART DES SILIKON-NPN | TOSHIBA |
| 52935 | 2SC1624 | PLANARE ART DES SILIKON-NPN | TOSHIBA |
| 52936 | 2SC1625 | PLANARE ART DES SILIKON-NPN | TOSHIBA |
| 52937 | 2SC1625 | PLANARE ART DES SILIKON-NPN | TOSHIBA |
| 52938 | 2SC1626 | SILIKON-PLANARE EPITAXIAL- ENERGIE TRANSISTOREN | Micro Electronics |
| 52939 | 2SC1627 | Epitaxial- Art des Transistor-Silikon-NPN (PCT Prozeß) Treiberstufe Verstärker-Anwendungen Spannung Verstärker-Anwendungen | TOSHIBA |
| 52940 | 2SC1627A | EPITAXIAL- ART DES TRANSISTOR-SILIKON-NPN (PCT PROZESS) TREIBERSTUFE VERSTÄRKER-ANWENDUNGEN. SPANNUNG VERSTÄRKER-ANWENDUNGEN | TOSHIBA |
| 52941 | 2SC1645 | 2SC1545M | ROHM |
| 52942 | 2SC1645 | 2SC1545M | ROHM |
| 52943 | 2SC1645S | Transistoren > kleines Signal zweipoliges Transistors(up zu 0.6W) | ROHM |
| 52944 | 2SC1651S | Transistoren > kleines Signal zweipoliges Transistors(up zu 0.6W) | ROHM |
| 52945 | 2SC1652 | Mittlere Energie Amp. Epitaxial Planar NPN Silikon-Transistoren | ROHM |
| 52946 | 2SC1653 | ANZEIGERÖHRE-ANTRIEB, Hochspannungs-SCHALTUNG NPN SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR-MINIFORM | NEC |
| 52947 | 2SC1653-L | Silikontransistor | NEC |
| 52948 | 2SC1653-T1B | Silikontransistor | NEC |
| 52949 | 2SC1653-T2B | Silikontransistor | NEC |
| 52950 | 2SC1654 | ANZEIGERÖHRE-ANTRIEB, Hochspannungs-SCHALTUNG NPN SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR-MINIFORM | NEC |
| 52951 | 2SC1654-L | Silikontransistor | NEC |
| 52952 | 2SC1654-T1B | Silikontransistor | NEC |
| 52953 | 2SC1654-T2B | Silikontransistor | NEC |
| 52954 | 2SC1672 | Mittlere Endverstärker und Schalter | Unknow |
| 52955 | 2SC1672 | Mittlere Endverstärker und Schalter | Unknow |
| 52956 | 2SC1674 | TO-92 Plastik-Eingekapselte Transistoren | TRANSYS Electronics Limited |
| 52957 | 2SC1674 | TV PIF-Verstärker, FM-Tuner HF-Verstärker, Mixer, occillator. Kollektor-Basis-Spannung = 30V VCBO. Kollektor-Emitter-Spannung = 20V Vceo. Emitter-Basis-Spannung Vebo = 4V. Kollektor-Verlust PC (max) = 250mW. Kollektorstrom Ic = 20 mA. | USHA India LTD |
| 52958 | 2SC1675 | NPN SILIKON-TRANSISTOR | Micro Electronics |
| 52959 | 2SC1675 | FM / AM HF-Verstärker, Mischer, Konverter, Oszillator, IF. Kollektor-Basis-Spannung 50V = VCBO. Kollektor-Emitter-Spannung = 30V Vceo. Basis-Emitter-Spannung = 5V Vebo. Kollektor-Verlust PC (max) = 250mW. Kollektorstrom Ic = 50 mA. | USHA India LTD |
| 52960 | 2SC1678 | EPITAXIAL- PLANARE ART DES SILIKON-NPN | TOSHIBA |
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