Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
53361 | 2SC2411K | Transistoren > kleines Signal zweipoliges Transistors(up zu 0.6W) | ROHM |
53362 | 2SC2412 | Universelles Transistors(NPN Silikon) | Leshan Radio Company |
53363 | 2SC2412 | 2SC4097/2SC1741S | ROHM |
53364 | 2SC2412K | Transistoren > kleines Signal zweipoliges Transistors(up zu 0.6W) | ROHM |
53365 | 2SC2412KLT1 | Universelles Transistors(NPN Silikon) | Leshan Radio Company |
53366 | 2SC2412KLT1 | Universelles Transistors(NPN Silikon) | Leshan Radio Company |
53367 | 2SC2412KQKT1 | Universelles Transistors(NPN Silikon) | Leshan Radio Company |
53368 | 2SC2412KQLT1 | 50 V, Allzweck-Transistor | Leshan Radio Company |
53369 | 2SC2412KRLT1 | Universelles Transistors(NPN Silikon) | Leshan Radio Company |
53370 | 2SC2412KSLT1 | Universelles Transistors(NPN Silikon) | Leshan Radio Company |
53371 | 2SC2413K | Transistoren > kleines Signal zweipoliges Transistors(up zu 0.6W) | ROHM |
53372 | 2SC2414 | Si NPN triple diffundiert Mesa. High-Speed ??Leistungsschalt. | Panasonic |
53373 | 2SC2415 | DREIFACHES ZERSTREUTES MESA DES SILIKON-NPN | Panasonic |
53374 | 2SC2415 | DREIFACHES ZERSTREUTES MESA DES SILIKON-NPN | Panasonic |
53375 | 2SC2420 | VHF BAND-ENDVERSTÄRKER-ANWENDUNGEN | TOSHIBA |
53376 | 2SC2429 | HOHE SPPED ENERGIE TRANSISTOREN DES SILIKON- | Fujitsu Microelectronics |
53377 | 2SC2429 | HOHE SPPED ENERGIE TRANSISTOREN DES SILIKON- | Fujitsu Microelectronics |
53378 | 2SC2437 | SUPERSCHNELLSCHALTUNG TRANSISTOREN | COLLMER SEMICONDUCTOR INC |
53379 | 2SC2437 | Schnellschaltung Transistor | COLLMER SEMICONDUCTOR INC |
53380 | 2SC2437 | SUPERSCHNELLSCHALTUNG TRANSISTOREN | COLLMER SEMICONDUCTOR INC |
53381 | 2SC2437 | Schnellschaltung Transistor | COLLMER SEMICONDUCTOR INC |
53382 | 2SC2438 | FORM-ART ZWEIPOLIGE TRANSISTOREN | Unknow |
53383 | 2SC2438 | FORM-ART ZWEIPOLIGE TRANSISTOREN | Unknow |
53384 | 2SC2440 | DREIERGRUPPE ZERSTREUTE PLANER-ART HOCHSPANNUNGSSCHNELLSCHALTUNG | Fuji Electric |
53385 | 2SC2458 | Epitaxial- Art des Transistor-Silikon-NPN (PCT Prozeß) Audioverstärker-Anwendungen | TOSHIBA |
53386 | 2SC2458(L) | Epitaxial- Art des Transistor-Silikon-NPN (PCT Prozeß) Audioverstärker-Anwendungen niedrige Geräusch-Audioverstärker-Anwendungen | TOSHIBA |
53387 | 2SC2458L | TRANSISTOR (NIEDRIGE GERÄUSCH-AUDIOVERSTÄRKER-AUDIOANWENDUNGEN) | TOSHIBA |
53388 | 2SC2459 | Epitaxial- Art des Transistor-Silikon-NPN (PCT Prozeß) Audioverstärker-Anwendungen | TOSHIBA |
53389 | 2SC2461A | EPITAXIAL- TYPE(PCT PROZESS DES SILIKON-NPN) | TOSHIBA |
53390 | 2SC2461A | EPITAXIAL- TYPE(PCT PROZESS DES SILIKON-NPN) | TOSHIBA |
53391 | 2SC2462 | Silikon NPN Epitaxial- | Hitachi Semiconductor |
53392 | 2SC2462 | Transistor Des Silikon-NPN | Hitachi Semiconductor |
53393 | 2SC2462 | Transistors>Amplifiers/Bipolar | Renesas |
53394 | 2SC2463 | Silikon NPN Epitaxial- | Hitachi Semiconductor |
53395 | 2SC2463 | Transistor Des Silikon-NPN | Hitachi Semiconductor |
53396 | 2SC2463 | Transistors>Amplifiers/Bipolar | Renesas |
53397 | 2SC2464 | EPITAXIAL- UHF VERSTÄRKER DES SILIKON-NPN | Unknow |
53398 | 2SC2464 | EPITAXIAL- UHF VERSTÄRKER DES SILIKON-NPN | Unknow |
53399 | 2SC2466 | EPITAXIAL- UHF VERSTÄRKER DES SILIKON-NPN | Unknow |
53400 | 2SC2466 | EPITAXIAL- UHF VERSTÄRKER DES SILIKON-NPN | Unknow |
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