| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 53681 | 2SC2883 | EPITAXIAL- ART DES TRANSISTOR-SILIKON-NPN (PCT PROZESS) AUDIOCENDVERSTÄRKER-ANWENDUNGEN | TOSHIBA |
| 53682 | 2SC2884 | EPITAXIAL- ART DES TRANSISTOR-SILIKON-NPN (PCT PROZESS) AUDIOCENDVERSTÄRKER-ANWENDUNGEN | TOSHIBA |
| 53683 | 2SC2885 | Silikontransistor | NEC |
| 53684 | 2SC2893 | NPN SILIKON-RF ENERGIE TRANSISTOR | Advanced Semiconductor |
| 53685 | 2SC2898 | Transistor Des Silikon-NPN | Hitachi Semiconductor |
| 53686 | 2SC2898 | Dreifaches Des Silikon-NPN Zerstreut | Hitachi Semiconductor |
| 53687 | 2SC2898 | Transistors>Switching/Bipolar | Renesas |
| 53688 | 2SC2899 | Transistor Des Silikon-NPN | Hitachi Semiconductor |
| 53689 | 2SC2899 | Dreifaches Des Silikon-NPN Zerstreut | Hitachi Semiconductor |
| 53690 | 2SC2901 | NPN SILIKON-TRANSISTOR | NEC |
| 53691 | 2SC2904 | EPITAXIAL- PLANARE ART DES RF ENERGIE TRANSISTOR-NPN | Mitsubishi Electric Corporation |
| 53692 | 2SC2905 | EPITAXIAL- PLANARE ART DES RF ENERGIE TRANSISTOR-NPN | Mitsubishi Electric Corporation |
| 53693 | 2SC2908 | ENERGIE TRANSISTORS(5.0A, 100v, 50w) | MOSPEC Semiconductor |
| 53694 | 2SC2909 | NPN Epitaxial- Planare Silikon-Transistoren Hoch-Spannung Schaltung Af 60W Predriver Anwendungen | SANYO |
| 53695 | 2SC2910 | NPN Epitaxial- Planare Silikon-Transistoren Hoch-Spannung, die AudioAusgang 80W Predriver Anwendungen Schaltet | SANYO |
| 53696 | 2SC2911 | NPN Epitaxial- planare Silikon-Transistoren 160V/140mA Hoch-Spannung Schaltung und AF 100W Predriver Anwendungen | SANYO |
| 53697 | 2SC2912 | HOCHSPANNUNGSSCHALTUNG, AF 150W PREDRIVER ANWENDUNGEN | SANYO |
| 53698 | 2SC2912 | HOCHSPANNUNGSSCHALTUNG, AF 150W PREDRIVER ANWENDUNGEN | SANYO |
| 53699 | 2SC2921 | Transistor Des Silikon-NPN | Sanken |
| 53700 | 2SC2921 | ENERGIE TRANSISTORS(15A, 160v, 150w) | MOSPEC Semiconductor |
| 53701 | 2SC2921 | NPN PLANARES ENDVERSTÄRKER-DC DES SILIKON-TRANSISTOR(AUDIO ZUM DC KONVERTER) | Wing Shing Computer Components |
| 53702 | 2SC2922 | ENERGIE TRANSISTORS(17A, 180v, 200w) | MOSPEC Semiconductor |
| 53703 | 2SC2922 | Silikon Epitaxial- Planare Transistor(GENERAL BESCHREIBUNG) | Wing Shing Computer Components |
| 53704 | 2SC2922 | Transistor zur Endstufe | Sanken |
| 53705 | 2SC2923 | Energie Transistor - Silicon PNP Triple Diffuse Planare Art | Panasonic |
| 53706 | 2SC2925 | Differentielle Vorrichtung - differentieller Transistor - Allgemein-verwenden Sie Niedrig-Frequenz Amplifires | Panasonic |
| 53707 | 2SC2928 | HOCHSPANNUNG-, SCHNELL- UND HOHEENERGIE SCHALTUNG | Hitachi Semiconductor |
| 53708 | 2SC2928 | HOCHSPANNUNG-, SCHNELL- UND HOHEENERGIE SCHALTUNG | Hitachi Semiconductor |
| 53709 | 2SC2929 | FORM-ART ZWEIPOLIGE TRANSISTOREN | Unknow |
| 53710 | 2SC2929 | Schnellschaltung Transistor | COLLMER SEMICONDUCTOR INC |
| 53711 | 2SC2929 | FORM-ART ZWEIPOLIGE TRANSISTOREN | Unknow |
| 53712 | 2SC2929 | Schnellschaltung Transistor | COLLMER SEMICONDUCTOR INC |
| 53713 | 2SC2932 | EPITAXIAL- PLANARE ART DES RF ENERGIE TRANSISTOR-NPN | Mitsubishi Electric Corporation |
| 53714 | 2SC2933 | EPITAXIAL- PLANARE ART DES RF ENERGIE TRANSISTOR-NPN | Mitsubishi Electric Corporation |
| 53715 | 2SC2938 | ENERGIE TRANSISTORS(10A, 400v, 100w) | MOSPEC Semiconductor |
| 53716 | 2SC2944 | DREIERGRUPPE ZERSTREUTE PLANER-ART SCHNELLSCHALTUNG | Fuji Electric |
| 53717 | 2SC2944 | FORM-ART ZWEIPOLIGE TRANSISTOREN | Unknow |
| 53718 | 2SC2944 | DREIERGRUPPE ZERSTREUTE PLANER-ART SCHNELLSCHALTUNG | Fuji Electric |
| 53719 | 2SC2944 | FORM-ART ZWEIPOLIGE TRANSISTOREN | Unknow |
| 53720 | 2SC2946 | NPN SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR MP-3 | NEC |
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