Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
53961 | 2SC3202 | EPITAXIAL- PLANARER TYPE(PCT PROZESS DES SILIKON-NPN DES TRANSISTOR-) | Korea Electronics (KEC) |
53962 | 2SC3202 | EPITAXIAL- PLANARER TYPE(PCT PROZESS DES SILIKON-NPN DES TRANSISTOR-) | Korea Electronics (KEC) |
53963 | 2SC3203 | EPITAXIAL- PLANARER TYPE(PCT PROZESS DES SILIKON-NPN DES TRANSISTOR-) | Korea Electronics (KEC) |
53964 | 2SC3203 | EPITAXIAL- PLANARER TYPE(PCT PROZESS DES SILIKON-NPN DES TRANSISTOR-) | Korea Electronics (KEC) |
53965 | 2SC3203 | EPITAXIAL- PLANARER TYPE(PCT PROZESS DES SILIKON-NPN DES TRANSISTOR-) | Korea Electronics (KEC) |
53966 | 2SC3206 | EPITAXIAL- PLANARER TYPE(PCT PROZESS DES SILIKON-NPN DES TRANSISTOR-) | Korea Electronics (KEC) |
53967 | 2SC3206 | EPITAXIAL- PLANARER TYPE(PCT PROZESS DES SILIKON-NPN DES TRANSISTOR-) | Korea Electronics (KEC) |
53968 | 2SC3206 | EPITAXIAL- PLANARER TYPE(PCT PROZESS DES SILIKON-NPN DES TRANSISTOR-) | Korea Electronics (KEC) |
53969 | 2SC3209 | NPN SILIKON-ENERGIE TRANSISTOR | NEC |
53970 | 2SC3210 | Silikon-NPN Dreifach-Zerstreute Verzweigung MESA Art | Unknow |
53971 | 2SC3210 | Silikon-NPN Dreifach-Zerstreute Verzweigung MESA Art | Unknow |
53972 | 2SC3210 | Silikon-NPN Dreifach-Zerstreute Verzweigung MESA Art | Unknow |
53973 | 2SC3210 | Energie Transistor - Silicon NPN Triple zerstreute Junction Mesa Art | Panasonic |
53974 | 2SC3211 | Energie Transistor - Silicon NPN Triple zerstreute Junction Mesa Art | Panasonic |
53975 | 2SC3211A | Energie Transistor - Silicon NPN Triple zerstreute Junction Mesa Art | Panasonic |
53976 | 2SC3212 | Silikon-NPN Dreifach-Zerstreute Verzweigung MESA Art | Panasonic |
53977 | 2SC3212 | Silikon-NPN Dreifach-Zerstreute Verzweigung MESA Art | Panasonic |
53978 | 2SC3212 | Silikon-NPN Dreifach-Zerstreute Verzweigung MESA Art | Panasonic |
53979 | 2SC3212A | Silikon-NPN Dreifach-Zerstreute Verzweigung MESA Art | Panasonic |
53980 | 2SC3212A | Silikon-NPN Dreifach-Zerstreute Verzweigung MESA Art | Panasonic |
53981 | 2SC3212A | Silikon-NPN Dreifach-Zerstreute Verzweigung MESA Art | Panasonic |
53982 | 2SC3218-M | NPN SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR FÜR 860 MHZ BREITBANDCENDVERSTÄRKER-INDUSTRIELLE GEBRAUCH- | NEC |
53983 | 2SC3219 | Hochspannung-Ultra Schnellschaltung Transistoren | Shindengen |
53984 | 2SC3220 | Hochspannung-Ultra Schnellschaltung Transistoren | Shindengen |
53985 | 2SC3221 | Hochspannung-Ultra Schnellschaltung Transistoren | Shindengen |
53986 | 2SC3222 | Hochspannung-Ultra Schnellschaltung Transistoren | Shindengen |
53987 | 2SC3223 | Hochspannung-Ultra Schnellschaltung Transistoren | Shindengen |
53988 | 2SC3225 | EPITAXIAL- ART SCHALTUNG ANWENDUNGEN SOLENOID-ANTRIEB ANWENDUNGEN DES TRANSISTOR-SILIKON-NPN | TOSHIBA |
53989 | 2SC3233 | Dreifache zerstreute Art getastetes Netzteil des Transistor-Silikon-NPN und Hochspannung-Schaltung Anwendungen Schnell-DC-DC Konverter-Anwendungen | TOSHIBA |
53990 | 2SC3240 | MITSUBISHI RF ENERGIE TRANSISTOR | Mitsubishi Electric Corporation |
53991 | 2SC3241 | MITSUBISHI RF ENERGIE TRANSISTOR | Mitsubishi Electric Corporation |
53992 | 2SC3242 | 900mW Bleirahmen NPN-Transistor, maximale Nennleistung: 16V Vceo, 2A Ic, 150 bis 800 hFE. Ergänzende 2SA1282 | Isahaya Electronics Corporation |
53993 | 2SC3242A | 900mW Bleirahmen NPN-Transistor, maximale Nennleistung: 20V Vceo, 2A Ic, 150 bis 500 hFE. Ergänzende 2SA1282A | Isahaya Electronics Corporation |
53994 | 2SC3243 | 900mW Bleirahmen NPN-Transistor, maximale Nennleistung: 60V Vceo, 1A Ic, 55-300 hFE. Ergänzende 2SA1283 | Isahaya Electronics Corporation |
53995 | 2SC3244 | 900mW Bleirahmen NPN-Transistor, maximale Nennleistung: 100V Vceo, 500mA Ic, 55-300 hFE. Ergänzende 2SA1284 | Isahaya Electronics Corporation |
53996 | 2SC3245 | 2SC3245 | Unknow |
53997 | 2SC3245 | 2SC3245 | Unknow |
53998 | 2SC3245 | 2SC3245 | Unknow |
53999 | 2SC3245 | 900mW Bleirahmen NPN-Transistor, maximale Nennleistung: 120V Vceo, 100mA Ic, 150 bis 800 hFE. Ergänzende 2SA1285 | Isahaya Electronics Corporation |
54000 | 2SC3245A | 2SC3245 | Unknow |
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