Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
54441 | 2SC3658 | Hochspannung, hohe ENERGIE SCHALTUNG | Hitachi Semiconductor |
54442 | 2SC3658 | Hochspannung, hohe ENERGIE SCHALTUNG | Hitachi Semiconductor |
54443 | 2SC3659 | Hochspannung, hohe ENERGIE SCHALTUNG | Hitachi Semiconductor |
54444 | 2SC3659 | Hochspannung, hohe ENERGIE SCHALTUNG | Hitachi Semiconductor |
54445 | 2SC3661 | NPN Epitaxial- planarer Silikon-Transistor hohes hFE, Niedrig-Frequenz Allgemein-Zweck Verstärker-Anwendungen | SANYO |
54446 | 2SC3663 | NPN EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTOR FÜR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE VERSTÄRKUNG | NEC |
54447 | 2SC3663-L | Für verstärken hoher Frequenz und geringe Geräuschentwicklung. | NEC |
54448 | 2SC3663-T1B | Für verstärken hoher Frequenz und geringe Geräuschentwicklung. | NEC |
54449 | 2SC3663-T2B | Für verstärken hoher Frequenz und geringe Geräuschentwicklung. | NEC |
54450 | 2SC3664 | NPN Dreifache Zerstreute Planare Art Treiber-Anwendungen Des Darlington Silikon-Transistor-400V/20A | SANYO |
54451 | 2SC3665 | EPITAXIAL- ART DES TRANSISTOR-SILIKON-NPN (PCT PROZESS) AUDIOCENDVERSTÄRKER-UND ANTRIEB STADIUM VERSTÄRKER-ANWENDUNGEN | TOSHIBA |
54452 | 2SC3666 | EPITAXIAL- ART DES TRANSISTOR-SILIKON-NPN (PCT PROZESS) AUDIOCENDVERSTÄRKER-ANWENDUNGEN | TOSHIBA |
54453 | 2SC3668 | Epitaxial- Art des Transistor-Silikon-NPN (PCT Prozeß) Endverstärker-Anwendungen Energie Schaltung Anwendungen | TOSHIBA |
54454 | 2SC3668 | Epitaxial- Art des Transistor-Silikon-NPN (PCT Prozeß) Endverstärker-Anwendungen Energie Schaltung Anwendungen | TOSHIBA |
54455 | 2SC3669 | Epitaxial- Art des Transistor-Silikon-NPN (PCT Prozeß) Endverstärker-Anwendungen Energie Schaltung Anwendungen | TOSHIBA |
54456 | 2SC3670 | EPITAXIAL- ART DES TRANSISTOR-SILIKON-NPN (PCT PROZESS) STOROBO GRELLE ANWENDUNGEN MITTLERE ENDVERSTÄRKER-ANWENDUNGEN | TOSHIBA |
54457 | 2SC3671 | EPITAXIAL- ART DES TRANSISTOR-SILIKON-NPN (PCT PROZESS) RÖHRENBLITZ-BLITZ-ANWENDUNGEN MITTLERE ENDVERSTÄRKER-ANWENDUNGEN | TOSHIBA |
54458 | 2SC3672 | DREIFACHE ZERSTREUTE ART DES TRANSISTOR-SILIKON-NPN (PCT PROZESS) HOCHSPANNUNGSSTEUERANWENDUNGEN, PLASMABILDSCHIRM, NIXIE SCHLAUCH-TREIBER-ANWENDUNGEN, KATHODENSTRAHLRÖHRE-HELLIGKEITSEINSTELLUNG-ANWENDUNGEN | TOSHIBA |
54459 | 2SC3673 | EPITAXIAL- ART SCHALTUNG ANWENDUNGEN SOLENOID-ANTRIEB ANWENDUNGEN DES TRANSISTOR-SILIKON-NPN | TOSHIBA |
54460 | 2SC3675 | NPN Dreifache Zerstreute Planare Silikon-Transistor 900V/100mA Hoch-Spannung Verstärker Hoch-Spannung Schaltung Anwendungen | SANYO |
54461 | 2SC3676 | NPN Dreifache Zerstreute Planare Silikon-Transistor 900V/300mA Hoch-Spannung Verstärker Hoch-Spannung Schaltung Anwendungen | SANYO |
54462 | 2SC3678 | Transistor Des Silikon-NPN | Sanken |
54463 | 2SC3679 | Dreifacher zerstreuter planarer Transistor(Switching Regler und universeller Zweck des Silikon-NPN) | Sanken |
54464 | 2SC3680 | Transistor Des Silikon-NPN | Sanken |
54465 | 2SC3685 | Sehr High-Definition CRT Anzeige Horizontaler Ablenkung Ausgang | SANYO |
54466 | 2SC3686 | Sehr High-Definition CRT Anzeige Horizontaler Ablenkung Ausgang | SANYO |
54467 | 2SC3687 | Sehr High-Definition CRT Anzeige Horizontaler Ablenkung Ausgang | SANYO |
54468 | 2SC3688 | Sehr High-Definition CRT Anzeige Horizontaler Ablenkung Ausgang | SANYO |
54469 | 2SC3689 | NPN Epitaxial- planarer Silikon-Transistor hohes hFE, Niedrig-Frequenz Allgemein-Zweck Verstärker-Anwendungen | SANYO |
54470 | 2SC3691 | Transistoren Des Silikon-NPN | JMnic |
54471 | 2SC3691 | Transistoren Des Silikon-NPN | JMnic |
54472 | 2SC3703 | ENERGIE TRANSISTOR | Shindengen |
54473 | 2SC3703 | ENERGIE TRANSISTOR | Shindengen |
54474 | 2SC3704 | Differentielle Vorrichtung - differentieller Transistor - Hoch-Frequenz für Tuners | Panasonic |
54475 | 2SC3705 | NPN Epitaxial- Planare Silikon Darlington Transistor-Drucker-Treiber-Anwendungen | SANYO |
54476 | 2SC3707 | Differentielle Vorrichtung - differentieller Transistor - Hoch-Frequenz Verstärker und andere | Panasonic |
54477 | 2SC3708 | NPN Epitaxial- Planare Silikon-Transistor Niedrig-Frequenz Treiber-Anwendungen | SANYO |
54478 | 2SC3709 | NPN EPITAXIAL- ART (HOHE GEGENWÄRTIGE SCHALTUNG ANWENDUNGEN) | TOSHIBA |
54479 | 2SC3709 | NPN EPITAXIAL- ART (HOHE GEGENWÄRTIGE SCHALTUNG ANWENDUNGEN) | TOSHIBA |
54480 | 2SC3709A | EPITAXIAL- ART DES TRANSISTOR-SILIKON-NPN (PCT PROZESS) HOHE GEGENWÄRTIGE SCHALTUNG ANWENDUNGEN. | TOSHIBA |
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