| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 56681 | 2SC6140 | Leistungstransistor für Hochgeschwindigkeitsschaltanwendungen | TOSHIBA |
| 56682 | 2SC6142 | Leistungstransistor für Hochgeschwindigkeitsschaltanwendungen | TOSHIBA |
| 56683 | 2SC633SP | 2SC634SP | SONY |
| 56684 | 2SC633SP | 2SC634SP | SONY |
| 56685 | 2SC634SP | 2SC634SP | SONY |
| 56686 | 2SC634SP | 2SC634SP | SONY |
| 56687 | 2SC641 | SILIKON-EPITAXIAL- PLANARES | Hitachi Semiconductor |
| 56688 | 2SC641 | SILIKON-EPITAXIAL- PLANARES | Hitachi Semiconductor |
| 56689 | 2SC641K | SILIKON-EPITAXIAL- PLANARES | Hitachi Semiconductor |
| 56690 | 2SC641K | SILIKON-EPITAXIAL- PLANARES | Hitachi Semiconductor |
| 56691 | 2SC6465 | NPN DREIFACHE ZERSTREUTE ART (GETASTETES NETZTEIL UND HOCHSPANNUNG, DIE SCHNELLDC-DC KONVERTER-ANWENDUNGEN SCHALTEN) | TOSHIBA |
| 56692 | 2SC668SP | 2SC668SP | SANYO |
| 56693 | 2SC668SP | 2SC668SP | SANYO |
| 56694 | 2SC681 | ENERGIE TRANSISTOR(6A, 50w) | MOSPEC Semiconductor |
| 56695 | 2SC681ARD | ENERGIE TRANSISTOR(6A, 50w) | MOSPEC Semiconductor |
| 56696 | 2SC681AYL | ENERGIE TRANSISTOR(6A, 50w) | MOSPEC Semiconductor |
| 56697 | 2SC697 | Silikon NPN Epitaxial- Planares | TOSHIBA |
| 56698 | 2SC697 | Silikon NPN Epitaxial- Planares | TOSHIBA |
| 56699 | 2SC697A | Silikon NPN Epitaxial- Planares | TOSHIBA |
| 56700 | 2SC697A | Silikon NPN Epitaxial- Planares | TOSHIBA |
| 56701 | 2SC7008 | AUFGENOMMENES ENERGIE TRANSISTOR-PAKET FÜR GEBRAUCH MIT EINEM BESTÜCKUNGSAUTOMATEN | ROHM |
| 56702 | 2SC7008 | AUFGENOMMENES ENERGIE TRANSISTOR-PAKET FÜR GEBRAUCH MIT EINEM BESTÜCKUNGSAUTOMATEN | ROHM |
| 56703 | 2SC717 | VHF RF VERSTÄRKER, MISCHER, OSZILLATOR | Unknow |
| 56704 | 2SC717 | VHF RF VERSTÄRKER, MISCHER, OSZILLATOR | Unknow |
| 56705 | 2SC730 | EPITAXIAL- PLANARE ART DES RF ENERGIE TRANSISTOR-NPN | Mitsubishi Electric Corporation |
| 56706 | 2SC732TM | NPN EPITAXIAL- ART (NIEDRIGE GERÄUSCH-AUDIOVERSTÄRKER-ANWENDUNGEN) | TOSHIBA |
| 56707 | 2SC741 | EPITAXIAL- PLANARE ART DES RF ENERGIE TRANSISTOR-NPN | Mitsubishi Electric Corporation |
| 56708 | 2SC752 | EPITAXIAL- TYPE(PCT PROZESS DES TOSHIBA TRANSISTOR-SILIKON-NPN) | TOSHIBA |
| 56709 | 2SC752(G)TM | Epitaxial- Art des Transistor-Silikon-NPN (PCT Prozeß) ultra Schnellschaltung Anwendungen Computer, Gegenanwendungen | TOSHIBA |
| 56710 | 2SC752GTM | Ultra Schnellschaltung Anwendungen Computer, Gegenanwendungen | TOSHIBA |
| 56711 | 2SC752GTM | Ultra Schnellschaltung Anwendungen Computer, Gegenanwendungen | TOSHIBA |
| 56712 | 2SC752TM | Ultra Schnellschaltung Anwendungen Computer, Gegenanwendungen | TOSHIBA |
| 56713 | 2SC752TM | Ultra Schnellschaltung Anwendungen Computer, Gegenanwendungen | TOSHIBA |
| 56714 | 2SC756A | SPEZIFIKATION TRANSISTOREN, Dioden | Unknow |
| 56715 | 2SC756A | SPEZIFIKATION TRANSISTOREN, Dioden | Unknow |
| 56716 | 2SC781 | NPN SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR | Unknow |
| 56717 | 2SC781 | NPN SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR | Unknow |
| 56718 | 2SC790 | 2SC790 | TOSHIBA |
| 56719 | 2SC790 | 2SC790 | TOSHIBA |
| 56720 | 2SC799 | NPN SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR | Unknow |
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