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Nr.TeilnameBeschreibungHersteller
567361IRDC3055Bezugsdesigninstallationssatz, der programmierbare 3phasige synchrone IS Steuerpult des Dollars 5-Bit kennzeichnetInternational Rectifier
567362IRDC3073Bezugsdesigninstallationssatz, der synchronen PWM Steuerpult mit Überschuss-gegenwärtigem Schutz und LDO Steuerpult kennzeichnetInternational Rectifier
567363IRDC3138Bezugsdesign-Installationssatz, der einen niedrige Kosten-synchronen Dollar-Regler für Spannung aufspürenanwendungen kennzeichnetInternational Rectifier
567364IRDC3146Bezugsdesigninstallationssatz, der hohe Leistung synchronen Dollar-Verdoppelungsteuerpult kennzeichnetInternational Rectifier
567365IRDC3637EVALIR3637 BEWERTUNGSKOMMISSION-BENUTZER-FÜHRERInternational Rectifier
567366IRFKonforme Überzogene EpoxiddrosselspuleVishay
567367IRF-24Konforme Überzogene EpoxiddrosselspuleVishay
567368IRF-36Konforme Überzogene EpoxiddrosselspuleVishay
567369IRF-46Konforme Überzogene EpoxiddrosselspuleVishay
567370IRF03460V Single N-Führung Hallo-Rel MOSFET in einem TO-204AE PaketInternational Rectifier
567371IRF04460V Single N-Führung Hallo-Rel MOSFET in einem TO-204AE PaketInternational Rectifier
567372IRF044N-CHANNEL ENERGIE MOSFETSemeLAB
567373IRF044SMDN-CHANNEL ENERGIE MOSFETSemeLAB
567374IRF05460V Single N-Führung Hallo-Rel MOSFET in einem TO-204AE PaketInternational Rectifier
567375IRF054SMDN-CHANNEL ENERGIE MOSFETSemeLAB
567376IRF10050W ZUM HOHE ENERGIE 500W LEITUNG WUNDWIDERSTAND-FLACHEN GEFORMTEN ALUMINIUM UNTERGEBRACHTetc
567377IRF10050W ZUM HOHE ENERGIE 500W LEITUNG WUNDWIDERSTAND-FLACHEN GEFORMTEN ALUMINIUM UNTERGEBRACHTetc
567378IRF101N-Führung Energie MOSFETs/ 27 A 60-100VFairchild Semiconductor
567379IRF1010E60V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-220AB PaketInternational Rectifier



567380IRF1010EL60V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket TO-262International Rectifier
567381IRF1010EPBF60V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-220AB PaketInternational Rectifier
567382IRF1010ES60V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak PaketInternational Rectifier
567383IRF1010ESTRL60V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak PaketInternational Rectifier
567384IRF1010ESTRR60V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak PaketInternational Rectifier
567385IRF1010EZ60V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-220AB PaketInternational Rectifier
567386IRF1010EZL60V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket TO-262International Rectifier
567387IRF1010EZLPBFAUTOMOBILMOSFETInternational Rectifier
567388IRF1010EZLPBFAUTOMOBILMOSFETInternational Rectifier
567389IRF1010EZPBFAUTOMOBILMOSFETInternational Rectifier
567390IRF1010EZPBFAUTOMOBILMOSFETInternational Rectifier
567391IRF1010EZS60V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak PaketInternational Rectifier
567392IRF1010EZSPBFAUTOMOBILMOSFETInternational Rectifier
567393IRF1010EZSPBFAUTOMOBILMOSFETInternational Rectifier
567394IRF1010N55V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-220AB PaketInternational Rectifier
567395IRF1010NL55V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket TO-262International Rectifier
567396IRF1010NLPBF55V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket TO-262International Rectifier
567397IRF1010NPBF55V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-220AB PaketInternational Rectifier
567398IRF1010NS55V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak PaketInternational Rectifier
567399IRF1010NSPBF55V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak PaketInternational Rectifier
567400IRF1010NSTRL55V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak PaketInternational Rectifier
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