| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 567521 | IRF153 | N-CHANNEL ENERGIE MOSFETS | Samsung Electronic |
| 567522 | IRF153 | N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-Spannung sourge 60V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 33A. | General Electric Solid State |
| 567523 | IRF153 | 33A und 40A, 60V und 100V, 0,055 und 0,08 Ohm, N-Kanal-Leistungs-MOSFETs | Intersil |
| 567524 | IRF1607 | 75V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-220AB Paket | International Rectifier |
| 567525 | IRF1704 | Energie MOSFET(Vdss=40V, Rds(on)=0.004ohm, Id=170A.?/td > |
| 6311 | IRF2907ZS-7PPBF | International Rectifier |
| 567526 | IRF1704 | Energie MOSFET(Vdss=40V, Rds(on)=0.004ohm, Id=170A.?/td > |
| 6311 | IRF2907ZS-7PPBF | International Rectifier |
| 567527 | IRF1730G | Energie MOSFET(Vdss=400V/ Rds(on)=1.0ohm/ Id=3.7A) | International Rectifier |
| 567528 | IRF1902 | 20V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket SO-8 | International Rectifier |
| 567529 | IRF1902TR | 20V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket SO-8 | International Rectifier |
| 567530 | IRF200 | 50W ZUM HOHE ENERGIE 500W LEITUNG WUNDWIDERSTAND-FLACHEN GEFORMTEN ALUMINIUM UNTERGEBRACHT | etc |
| 567531 | IRF200 | 50W ZUM HOHE ENERGIE 500W LEITUNG WUNDWIDERSTAND-FLACHEN GEFORMTEN ALUMINIUM UNTERGEBRACHT | etc |
| 567532 | IRF200S100RJ | 50W ZUM HOHE ENERGIE 500W LEITUNG WUNDWIDERSTAND-FLACHEN GEFORMTEN ALUMINIUM UNTERGEBRACHT | etc |
| 567533 | IRF200S100RJ | 50W ZUM HOHE ENERGIE 500W LEITUNG WUNDWIDERSTAND-FLACHEN GEFORMTEN ALUMINIUM UNTERGEBRACHT | etc |
| 567534 | IRF220 | N-Führung Energie MOSFETs/ 7A/ 150-200V | Fairchild Semiconductor |
| 567535 | IRF220 | 4.0A und 5.0A/ 150V und 200V/ 0.8 und 1.2 Ohm N-Führung Energie MOSFETs | Intersil |
| 567536 | IRF220 | N-CHANNEL ENERGIE MOSFETS | Samsung Electronic |
| 567537 | IRF220 | N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-sourge Spannung 200V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 5.0A. | General Electric Solid State |
| 567538 | IRF220-223 | N-Führung Energie MOSFETs/ 7A/ 150-200V | Fairchild Semiconductor |
| 567539 | IRF2204 | 40V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-220AB Paket | International Rectifier |
| 567540 | IRF2204L | 40V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket TO-262 | International Rectifier |
| 567541 | IRF2204S | 40V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak Paket | International Rectifier |
| 567542 | IRF221 | N-Führung Energie MOSFETs/ 7A/ 150-200V | Fairchild Semiconductor |
| 567543 | IRF221 | 4.0A und 5.0A/ 150V und 200V/ 0.8 und 1.2 Ohm N-Führung Energie MOSFETs | Intersil |
| 567544 | IRF221 | N-CHANNEL ENERGIE MOSFETS | Samsung Electronic |
| 567545 | IRF221 | N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-sourge Spannung 150V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 5.0A. | General Electric Solid State |
| 567546 | IRF222 | N-Führung Energie MOSFETs/ 7A/ 150-200V | Fairchild Semiconductor |
| 567547 | IRF222 | 4.0A und 5.0A/ 150V und 200V/ 0.8 und 1.2 Ohm N-Führung Energie MOSFETs | Intersil |
| 567548 | IRF222 | N-CHANNEL ENERGIE MOSFETS | Samsung Electronic |
| 567549 | IRF222 | N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-sourge Spannung 200V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 4.0A. | General Electric Solid State |
| 567550 | IRF223 | N-Führung Energie MOSFETs/ 7A/ 150-200V | Fairchild Semiconductor |
| 567551 | IRF223 | 4.0A und 5.0A/ 150V und 200V/ 0.8 und 1.2 Ohm N-Führung Energie MOSFETs | Intersil |
| 567552 | IRF223 | N-CHANNEL ENERGIE MOSFETS | Samsung Electronic |
| 567553 | IRF223 | N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-sourge Spannung 150V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 4.0A. | General Electric Solid State |
| 567554 | IRF224 | (IRF225) HEXFET Transistoren | International Rectifier |
| 567555 | IRF230 | 200V Single N-Führung Hallo-Rel MOSFET in einem TO-204AA Paket | International Rectifier |
| 567556 | IRF230 | N-CHANNEL VERBESSERUNG MODUS-HOCHSPANNUNGSENERGIE MOSFET | SemeLAB |
| 567557 | IRF230 | N-Führung Energie MOSFETs/ 12A/ 150-200 V | Fairchild Semiconductor |
| 567558 | IRF230 | 8.0A und 9.0A/ 150V und 200V/ 0.4 und 0.6 Ohm N-Führung Energie MOSFETs | Intersil |
| 567559 | IRF230 | N-CHANNEL ENERGIE MOSFETS | Samsung Electronic |
| 567560 | IRF230 | N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-sourge Spannung 200V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 9.0A. | General Electric Solid State |
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