| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 567561 | IRF230-233 | N-Führung Energie MOSFETs/ 12A/ 150-200 V | Fairchild Semiconductor |
| 567562 | IRF231 | N-Führung Energie MOSFETs/ 12A/ 150-200 V | Fairchild Semiconductor |
| 567563 | IRF231 | 8.0A und 9.0A/ 150V und 200V/ 0.4 und 0.6 Ohm N-Führung Energie MOSFETs | Intersil |
| 567564 | IRF231 | N-CHANNEL ENERGIE MOSFETS | Samsung Electronic |
| 567565 | IRF231 | N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-sourge Spannung 150V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 9.0A. | General Electric Solid State |
| 567566 | IRF232 | N-Führung Energie MOSFETs/ 12A/ 150-200 V | Fairchild Semiconductor |
| 567567 | IRF232 | 8.0A und 9.0A/ 150V und 200V/ 0.4 und 0.6 Ohm N-Führung Energie MOSFETs | Intersil |
| 567568 | IRF232 | N-CHANNEL ENERGIE MOSFETS | Samsung Electronic |
| 567569 | IRF232 | N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-sourge Spannung 200V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 8.0A. | General Electric Solid State |
| 567570 | IRF233 | N-Führung Energie MOSFETs/ 12A/ 150-200 V | Fairchild Semiconductor |
| 567571 | IRF233 | 8.0A und 9.0A/ 150V und 200V/ 0.4 und 0.6 Ohm N-Führung Energie MOSFETs | Intersil |
| 567572 | IRF233 | N-CHANNEL ENERGIE MOSFETS | Samsung Electronic |
| 567573 | IRF233 | N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-sourge Spannung 150V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 8.0A. | General Electric Solid State |
| 567574 | IRF234 | 8.1A und 6.5A/ 275V und 250V/ 0.45 und 0.68 Ohm N-Führung Energie MOSFETs | Intersil |
| 567575 | IRF235 | 8.1A und 6.5A/ 275V und 250V/ 0.45 und 0.68 Ohm N-Führung Energie MOSFETs | Intersil |
| 567576 | IRF236 | 8.1A und 6.5A/ 275V und 250V/ 0.45 und 0.68 Ohm N-Führung Energie MOSFETs | Intersil |
| 567577 | IRF237 | 8.1A und 6.5A/ 275V und 250V/ 0.45 und 0.68 Ohm N-Führung Energie MOSFETs | Intersil |
| 567578 | IRF240 | 200V Single N-Führung Hallo-Rel MOSFET in einem TO-204AE Paket | International Rectifier |
| 567579 | IRF240 | N-CHANNEL ENERGIE MOSFET FÜR HI.REL ANWENDUNGEN | SemeLAB |
| 567580 | IRF240 | N-Führung Energie MOSFETs/ 18A/ 150-200V | Fairchild Semiconductor |
| 567581 | IRF240 | 18A/ 200V/ 0.180 Ohm N-Führung Energie Mosfet | Intersil |
| 567582 | IRF240 | N-CHANNEL ENERGIE MOSFET | Samsung Electronic |
| 567583 | IRF240-243 | N-Führung Energie MOSFETs/ 18A/ 150-200V | Fairchild Semiconductor |
| 567584 | IRF240SMD | N.CHANNEL ENERGIE MOSFET | SemeLAB |
| 567585 | IRF241 | N-Führung Energie MOSFETs/ 18A/ 150-200V | Fairchild Semiconductor |
| 567586 | IRF241 | N-CHANNEL ENERGIE MOSFET | Samsung Electronic |
| 567587 | IRF241 | N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-sourge Spannung 150V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 18A. | General Electric Solid State |
| 567588 | IRF241 | 16A und 18A, 200V und 150V, 0,18 und 0,22 Ohm, N-Kanal-Leistungs-MOSFETs | Intersil |
| 567589 | IRF242 | N-Führung Energie MOSFETs/ 18A/ 150-200V | Fairchild Semiconductor |
| 567590 | IRF242 | N-CHANNEL ENERGIE MOSFET | Samsung Electronic |
| 567591 | IRF242 | 16A und 18A, 200V und 150V, 0,18 und 0,22 Ohm, N-Kanal-Leistungs-MOSFETs | Intersil |
| 567592 | IRF243 | N-Führung Energie MOSFETs/ 18A/ 150-200V | Fairchild Semiconductor |
| 567593 | IRF243 | N-CHANNEL ENERGIE MOSFET | Samsung Electronic |
| 567594 | IRF243 | N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-sourge Spannung 150V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 16A. | General Electric Solid State |
| 567595 | IRF243 | 16A und 18A, 200V und 150V, 0,18 und 0,22 Ohm, N-Kanal-Leistungs-MOSFETs | Intersil |
| 567596 | IRF244 | 14A und 13A/ 275V und 250V/ 0.28 und 0.34 Ohm N-Führung Energie MOSFETs | Intersil |
| 567597 | IRF245 | 14A und 13A/ 275V und 250V/ 0.28 und 0.34 Ohm N-Führung Energie MOSFETs | Intersil |
| 567598 | IRF246 | 14A und 13A/ 275V und 250V/ 0.28 und 0.34 Ohm N-Führung Energie MOSFETs | Intersil |
| 567599 | IRF247 | 14A und 13A/ 275V und 250V/ 0.28 und 0.34 Ohm N-Führung Energie MOSFETs | Intersil |
| 567600 | IRF250 | 200V Single N-Führung Hallo-Rel MOSFET in einem TO-204AE Paket | International Rectifier |
| | | |
