| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 567681 | IRF330-333 | N-Führung Energie MOSFETs/ 5.5A/ 350 V/400V | Fairchild Semiconductor |
| 567682 | IRF3305 | 55V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-220AB Paket | International Rectifier |
| 567683 | IRF331 | N-Führung Energie MOSFETs/ 5.5A/ 350 V/400V | Fairchild Semiconductor |
| 567684 | IRF331 | N-CHANNEL ENERGIE MOSFETS | Samsung Electronic |
| 567685 | IRF331 | N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-Spannung sourge 350V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 5.5A. | General Electric Solid State |
| 567686 | IRF331 | 4.5A und 5.5A, 350V und 400V, 1,0 und 1,5 Ohm, N-Kanal-Leistungs-MOSFETs | Intersil |
| 567687 | IRF3315 | 150V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-220AB Paket | International Rectifier |
| 567688 | IRF3315L | 150V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket TO-262 | International Rectifier |
| 567689 | IRF3315PBF | 150V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-220AB Paket | International Rectifier |
| 567690 | IRF3315S | 150V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak Paket | International Rectifier |
| 567691 | IRF3315STRL | 150V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak Paket | International Rectifier |
| 567692 | IRF3315STRR | 150V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak Paket | International Rectifier |
| 567693 | IRF332 | N-Führung Energie MOSFETs/ 5.5A/ 350 V/400V | Fairchild Semiconductor |
| 567694 | IRF332 | N-CHANNEL ENERGIE MOSFETS | Samsung Electronic |
| 567695 | IRF332 | N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-sourge Spannung 400V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 4.5A. | General Electric Solid State |
| 567696 | IRF332 | 4.5A und 5.5A, 350V und 400V, 1,0 und 1,5 Ohm, N-Kanal-Leistungs-MOSFETs | Intersil |
| 567697 | IRF333 | N-Führung Energie MOSFETs/ 5.5A/ 350 V/400V | Fairchild Semiconductor |
| 567698 | IRF333 | N-CHANNEL ENERGIE MOSFETS | Samsung Electronic |
| 567699 | IRF333 | N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-Spannung sourge 350V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 4.5A. | General Electric Solid State |
| 567700 | IRF333 | 4.5A und 5.5A, 350V und 400V, 1,0 und 1,5 Ohm, N-Kanal-Leistungs-MOSFETs | Intersil |
| 567701 | IRF340 | 400V Single N-Führung Hallo-Rel MOSFET in einem TO-204AA Paket | International Rectifier |
| 567702 | IRF340 | N-Führung Energie MOSFETs/ 10A/ 350V/400V | Fairchild Semiconductor |
| 567703 | IRF340 | N-CHANNEL ENERGIE MOSFETS | Samsung Electronic |
| 567704 | IRF340 | 10A und 8.3A, 400V und 350V, 0,55 und 0,80 Ohm, N-Kanal-Leistungs-MOSFETs | Intersil |
| 567705 | IRF340-343 | N-Führung Energie MOSFETs/ 10A/ 350V/400V | Fairchild Semiconductor |
| 567706 | IRF341 | N-Führung Energie MOSFETs/ 10A/ 350V/400V | Fairchild Semiconductor |
| 567707 | IRF341 | N-CHANNEL ENERGIE MOSFETS | Samsung Electronic |
| 567708 | IRF3415 | 150V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-220AB Paket | International Rectifier |
| 567709 | IRF3415L | 150V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket TO-262 | International Rectifier |
| 567710 | IRF3415LPBF | 150V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket TO-262 | International Rectifier |
| 567711 | IRF3415PBF | 150V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-220AB Paket | International Rectifier |
| 567712 | IRF3415S | 150V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak Paket | International Rectifier |
| 567713 | IRF3415SPBF | 150V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak Paket | International Rectifier |
| 567714 | IRF3415STRL | 150V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak Paket | International Rectifier |
| 567715 | IRF3415STRR | 150V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak Paket | International Rectifier |
| 567716 | IRF341IRF342 | 10A und 8.3A, 400V und 350V, 0,55 und 0,80 Ohm, N-Kanal-Leistungs-MOSFETs | Intersil |
| 567717 | IRF342 | N-Führung Energie MOSFETs/ 10A/ 350V/400V | Fairchild Semiconductor |
| 567718 | IRF342 | N-CHANNEL ENERGIE MOSFETS | Samsung Electronic |
| 567719 | IRF343 | N-Führung Energie MOSFETs/ 10A/ 350V/400V | Fairchild Semiconductor |
| 567720 | IRF343 | N-CHANNEL ENERGIE MOSFETS | Samsung Electronic |
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