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Nr.TeilnameBeschreibungHersteller
568041IRF533N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE ENERGIE DES SILIKON-GATTER-TMOS FANGEN EFFEKT-TRANSISTOR aufMotorola
568042IRF533N-Führung Energie MOSFETs/ 20 A 60-100 VFairchild Semiconductor
568043IRF533N-CHANNEL ENERGIE MOSFETSSamsung Electronic
568044IRF533N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-Spannung sourge 60V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 12A.General Electric Solid State
568045IRF533N-Kanal-MOSFET, 80V, 12ASGS Thomson Microelectronics
568046IRF533F1N-Kanal-MOSFET, 80V, 8ASGS Thomson Microelectronics
568047IRF533FIN FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTORENST Microelectronics
568048IRF533FIN FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTORENST Microelectronics
568049IRF540N-Führung TrenchMOS(tm) TransistorPhilips
568050IRF54028A, 100V, 0.077 Ohm, N-Führung Energie MOSFETsFairchild Semiconductor
568051IRF540N-CHANNEL 100V - 0.055 OHM - 22A TO-220 NIEDRIGER GATTER-AUFLADUNG STRIPFET II ENERGIE MOSFETST Microelectronics
568052IRF540100V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-220AB PaketInternational Rectifier
568053IRF540ENERGIE MOSFETBayLinear
568054IRF540N-CHANNEL 100V - 0.065 OHM - 30A TO-220 NIEDRIGER GATTER-AUFLADUNG STRIPFET ENERGIE MOSFETSGS Thomson Microelectronics
568055IRF540N - CHANNEL100V - 00.50Ohm - 30A - TO-220/TO-220FI ENERGIE MosfetSGS Thomson Microelectronics
568056IRF540N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 100V, 28AHarris Semiconductor
568057IRF540-DTMOS E-FET Energie Fangen Effekt-Transistor N-Führung Verbesserung-Modus Silikon-Gatter aufON Semiconductor
568058IRF540AN-CHANNEL ENERGIE MOSFETFairchild Semiconductor
568059IRF540FIN - CHANNEL100V - 00.50Ohm - 30A - TO-220/TO-220FI ENERGIE MosfetSGS Thomson Microelectronics



568060IRF540FIN - CHANNEL100V - 00.50ohm - 30A - TO-220/TO-220FI ENERGIE MosfetST Microelectronics
568061IRF540N33A, 100V, 0.040 Ohm, N-Führung, Energie MosfetFairchild Semiconductor
568062IRF540N100V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-220AB PaketInternational Rectifier
568063IRF540N33A/ 100V/ 0.040 Ohm N-Führung Energie MosfetIntersil
568064IRF540NL100V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket TO-262International Rectifier
568065IRF540NLPBF100V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket TO-262International Rectifier
568066IRF540NPBF100V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-220AB PaketInternational Rectifier
568067IRF540NS100V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak PaketInternational Rectifier
568068IRF540NSPBF100V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak PaketInternational Rectifier
568069IRF540NSTRL100V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak PaketInternational Rectifier
568070IRF540NSTRR100V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak PaketInternational Rectifier
568071IRF540PBF100V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-220AB PaketInternational Rectifier
568072IRF540S100V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak PaketInternational Rectifier
568073IRF540SN-Führung TrenchMOS TransistorPhilips
568074IRF540STRL100V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak PaketInternational Rectifier
568075IRF540STRR100V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak PaketInternational Rectifier
568076IRF540Z100V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-220AB PaketInternational Rectifier
568077IRF540ZL100V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket TO-262International Rectifier
568078IRF540ZPBF100V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-220AB PaketInternational Rectifier
568079IRF540ZS100V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2Pak PaketInternational Rectifier
568080IRF541N-Führung Energie MOSFETs/ 27 A 60-100VFairchild Semiconductor
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