| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 568161 | IRF614B | N-Führung 250V Mosfet | Fairchild Semiconductor |
| 568162 | IRF614B_FP001 | 250V N-Führung B-FET/Ersatz von IRF614 u. von IRF614A | Fairchild Semiconductor |
| 568163 | IRF614PBF | 250V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-220AB Paket | International Rectifier |
| 568164 | IRF614S | 250V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak Paket | International Rectifier |
| 568165 | IRF6150 | -20V verdoppeln P-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem 16-Lead FlipFET Paket | International Rectifier |
| 568166 | IRF6156 | 20V verdoppeln N-Umkehrbarer HEXFET Energie MOSFET in einem 6-Lead FlipFET | International Rectifier |
| 568167 | IRF620 | 5.0A, 200V, 0.800 Ohm, N-Führung Energie Mosfet | Fairchild Semiconductor |
| 568168 | IRF620 | ALTES PRODUCT:NOT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 568169 | IRF620 | 200V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-220AB Paket | International Rectifier |
| 568170 | IRF620 | N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTOREN | SGS Thomson Microelectronics |
| 568171 | IRF620 | N-CHANNEL VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTOREN | SGS Thomson Microelectronics |
| 568172 | IRF620 | 5.0A/ 200V/ 0.800 Ohm N-Führung Energie Mosfet | Intersil |
| 568173 | IRF620 | N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-sourge Spannung 200V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 5.0A. | General Electric Solid State |
| 568174 | IRF620B | N-Führung 200V Mosfet | Fairchild Semiconductor |
| 568175 | IRF620B_FP001 | 200V N-Führung B-FET/Ersatz von IRF620 u. von IRF620A | Fairchild Semiconductor |
| 568176 | IRF620FI | ALTES PRODUCT:NOT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 568177 | IRF620FI | N-CHANNEL VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTOREN | SGS Thomson Microelectronics |
| 568178 | IRF620FI | N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTOREN | SGS Thomson Microelectronics |
| 568179 | IRF620PBF | 200V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-220AB Paket | International Rectifier |
| 568180 | IRF620S | 200V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak Paket | International Rectifier |
| 568181 | IRF620STRL | 200V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak Paket | International Rectifier |
| 568182 | IRF620STRR | 200V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak Paket | International Rectifier |
| 568183 | IRF621 | N-Führung Energie MOSFETs/ 7A/ 150-200V | Fairchild Semiconductor |
| 568184 | IRF621 | N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-sourge Spannung 150V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 5.0A. | General Electric Solid State |
| 568185 | IRF6215 | -150V Single P-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-220AB Paket | International Rectifier |
| 568186 | IRF6215L | -150V Single P-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket TO-262 | International Rectifier |
| 568187 | IRF6215PBF | -150V Single P-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-220AB Paket | International Rectifier |
| 568188 | IRF6215S | -150V Single P-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak Paket | International Rectifier |
| 568189 | IRF6215STRL | -150V Single P-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak Paket | International Rectifier |
| 568190 | IRF6215STRR | -150V Single P-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak Paket | International Rectifier |
| 568191 | IRF6216 | -150V Single P-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket SO-8 | International Rectifier |
| 568192 | IRF6216TR | -150V Single P-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket SO-8 | International Rectifier |
| 568193 | IRF6217 | -150V Single P-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket SO-8 | International Rectifier |
| 568194 | IRF6217TR | -150V Single P-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket SO-8 | International Rectifier |
| 568195 | IRF6218 | -150V Single P-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-220AB Paket | International Rectifier |
| 568196 | IRF6218L | -150V Single P-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket TO-262 | International Rectifier |
| 568197 | IRF6218S | -150V Single P-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2Pak Paket | International Rectifier |
| 568198 | IRF622 | N-Führung Energie MOSFETs/ 7A/ 150-200V | Fairchild Semiconductor |
| 568199 | IRF622 | N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-sourge Spannung 200V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 4.0A. | General Electric Solid State |
| 568200 | IRF623 | N-Führung Energie MOSFETs/ 7A/ 150-200V | Fairchild Semiconductor |
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