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Nr.TeilnameBeschreibungHersteller
568401IRF710BN-Führung 400V MosfetFairchild Semiconductor
568402IRF710S400V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak PaketInternational Rectifier
568403IRF710STRL400V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak PaketInternational Rectifier
568404IRF710STRR400V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak PaketInternational Rectifier
568405IRF711N-Führung Energie MOSFETs/ 2.25A/ 350-400VFairchild Semiconductor
568406IRF712N-Führung Energie MOSFETs/ 2.25A/ 350-400VFairchild Semiconductor
568407IRF713N-Führung Energie MOSFETs/ 2.25A/ 350-400VFairchild Semiconductor
568408IRF7203.3A, 400V, 1.800 Ohm, N-Führung Energie MosfetFairchild Semiconductor
568409IRF720400V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-220AB PaketInternational Rectifier
568410IRF7203.3A/ 400V/ 1.800 Ohm N-Führung Energie MosfetIntersil
568411IRF720N-CHANNEL ENERGIE MOSFETSSamsung Electronic
568412IRF720N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-sourge Spannung 400V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 3.0A.General Electric Solid State
568413IRF720N-Kanal-MOSFET, 400V, 3.3ASGS Thomson Microelectronics
568414IRF720130V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket SO-8International Rectifier
568415IRF7201PBF30V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket SO-8International Rectifier
568416IRF7201TR30V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket SO-8International Rectifier
568417IRF7204-20V Single P-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket SO-8International Rectifier
568418IRF7204TR-20V Single P-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket SO-8International Rectifier
568419IRF7205-30V Single P-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket SO-8International Rectifier



568420IRF7205PBF-30V Single P-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket SO-8International Rectifier
568421IRF7205TR-30V Single P-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket SO-8International Rectifier
568422IRF7207-20V Single P-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket SO-8International Rectifier
568423IRF7207TR-20V Single P-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket SO-8International Rectifier
568424IRF720BN-Führung 400V MosfetFairchild Semiconductor
568425IRF720F1N-Kanal-MOSFET, 400V, 2.5ASGS Thomson Microelectronics
568426IRF720PBF400V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-220AB PaketInternational Rectifier
568427IRF720S400V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak PaketInternational Rectifier
568428IRF720SPBF400V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak PaketInternational Rectifier
568429IRF720STRL400V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak PaketInternational Rectifier
568430IRF720STRR400V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak PaketInternational Rectifier
568431IRF721N-Führung Energie MOSFETs/ 3.0 A 350-400 VFairchild Semiconductor
568432IRF721TRANSISTOREN N-CHANNELInternational Rectifier
568433IRF721N-CHANNEL ENERGIE MOSFETSSamsung Electronic
568434IRF721N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-Spannung sourge 350V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 3.0A.General Electric Solid State
568435IRF721N-Kanal-MOSFET, 350V, 3.3ASGS Thomson Microelectronics
568436IRF7210-12V Single P-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket SO-8International Rectifier
568437IRF7210TR-12V Single P-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket SO-8International Rectifier
568438IRF721F1N-Kanal-MOSFET, 350V, 2.5ASGS Thomson Microelectronics
568439IRF722N-Führung Energie MOSFETs/ 3.0 A 350-400 VFairchild Semiconductor
568440IRF722TRANSISTOREN N-CHANNELInternational Rectifier
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