| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 568441 | IRF722 | N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-sourge Spannung 400V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 2.5A. | General Electric Solid State |
| 568442 | IRF722 | N-Kanal-MOSFET, 400V, 2.8A | SGS Thomson Microelectronics |
| 568443 | IRF7220 | -12V Single P-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket SO-8 | International Rectifier |
| 568444 | IRF7220PBF | HEXFET Energie Mosfet | International Rectifier |
| 568445 | IRF7220PBF | HEXFET Energie Mosfet | International Rectifier |
| 568446 | IRF7220TR | -12V Single P-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket SO-8 | International Rectifier |
| 568447 | IRF722F1 | N-Kanal-MOSFET, 400V, 2A | SGS Thomson Microelectronics |
| 568448 | IRF723 | N-Führung Energie MOSFETs/ 3.0 A 350-400 V | Fairchild Semiconductor |
| 568449 | IRF723 | TRANSISTOREN N-CHANNEL | International Rectifier |
| 568450 | IRF723 | N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-Spannung sourge 350V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 2.5A. | General Electric Solid State |
| 568451 | IRF723 | N-Kanal-MOSFET, 350V, 2.8A | SGS Thomson Microelectronics |
| 568452 | IRF7233 | -12V Single P-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket SO-8 | International Rectifier |
| 568453 | IRF7233 | Thermoelektrischer Kühlvorrichtung-Steuerpult | Analog Devices |
| 568454 | IRF7233PBF | -12V Single P-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket SO-8 | International Rectifier |
| 568455 | IRF7233TR | -12V Single P-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket SO-8 | International Rectifier |
| 568456 | IRF723F1 | N-Kanal-MOSFET, 350V, 2A | SGS Thomson Microelectronics |
| 568457 | IRF7240 | -40V Single P-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket SO-8 | International Rectifier |
| 568458 | IRF7240TR | -40V Single P-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket SO-8 | International Rectifier |
| 568459 | IRF7241 | -40V Single P-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket SO-8 | International Rectifier |
| 568460 | IRF7241TR | -40V Single P-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket SO-8 | International Rectifier |
| 568461 | IRF730 | 5.5A, 400V, 1.000 Ohm, N-Führung Energie Mosfet | Fairchild Semiconductor |
| 568462 | IRF730 | N-CHANNEL 400V - 0.75 OHM - 5.5A - TO-220 POWERMESH II MOSFET | ST Microelectronics |
| 568463 | IRF730 | 400V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-220AB Paket | International Rectifier |
| 568464 | IRF730 | N - FÜHRUNG 400V - 0.75 W - 5.5A - TO-220 PowerMESH Mosfet | SGS Thomson Microelectronics |
| 568465 | IRF730 | PowerMOS Transistor Lawine Energie veranschlug | Philips |
| 568466 | IRF730 | 5.5A/ 400V/ 1.000 Ohm N-Führung Energie Mosfet | Intersil |
| 568467 | IRF730 | N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-sourge Spannung 400V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 5.5A. | General Electric Solid State |
| 568468 | IRF7301 | 20V verdoppeln N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket SO-8 | International Rectifier |
| 568469 | IRF7301TR | 20V verdoppeln N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket SO-8 | International Rectifier |
| 568470 | IRF7303 | 30V verdoppeln N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket SO-8 | International Rectifier |
| 568471 | IRF7303TR | 30V verdoppeln N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket SO-8 | International Rectifier |
| 568472 | IRF7304 | -20V verdoppeln P-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket SO-8 | International Rectifier |
| 568473 | IRF7304TR | -20V verdoppeln P-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket SO-8 | International Rectifier |
| 568474 | IRF7306 | -30V verdoppeln P-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket SO-8 | International Rectifier |
| 568475 | IRF7306TR | -30V verdoppeln P-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket SO-8 | International Rectifier |
| 568476 | IRF7307 | 20V verdoppeln n und p Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket SO-8 | International Rectifier |
| 568477 | IRF7307TR | 20V verdoppeln n und p Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket SO-8 | International Rectifier |
| 568478 | IRF7309 | 30V verdoppeln n und p Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket SO-8 | International Rectifier |
| 568479 | IRF7309PBF | 30V verdoppeln n und p Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket SO-8 | International Rectifier |
| 568480 | IRF7309TR | 30V verdoppeln n und p Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket SO-8 | International Rectifier |
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