| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 568801 | IRF7832TR | 30V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket SO-8 | International Rectifier |
| 568802 | IRF7834 | 30V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket SO-8 | International Rectifier |
| 568803 | IRF7842 | Energie MOSFET(Vdss = 40 V) | International Rectifier |
| 568804 | IRF7842 | Energie MOSFET(Vdss = 40 V) | International Rectifier |
| 568805 | IRF7901D1 | 30V FETKY - Mosfet und Schottky Diode in einem Paket SO-8 | International Rectifier |
| 568806 | IRF7901D1TR | 30V FETKY - Mosfet und Schottky Diode in einem Paket SO-8 | International Rectifier |
| 568807 | IRF7910 | 12V verdoppeln N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket SO-8 | International Rectifier |
| 568808 | IRF7E3704 | 20V Single N-Führung Hallo-Rel MOSFET in einem Paket LCC-18 | International Rectifier |
| 568809 | IRF7F3704 | 20V Single N-Führung Hallo-Rel MOSFET in einem TO-205AF Paket | International Rectifier |
| 568810 | IRF7MS2907 | 75V Single N-Führung Hallo-Rel MOSFET in einem niedrigen ohmschen TO-254AA Paket | International Rectifier |
| 568811 | IRF7N1405 | 55V Single N-Führung Hallo-Rel MOSFET in einem Paket SMD-1 | International Rectifier |
| 568812 | IRF7NA2907 | 75V Single N-Führung Hallo-Rel MOSFET in einem Paket SMD-2 | International Rectifier |
| 568813 | IRF7NJZ44V | 60V Single N-Führung Hallo-Rel MOSFET in einem Paket SMD-0.5 | International Rectifier |
| 568814 | IRF7Y1405CM | 55V Single N-Führung Hallo-Rel MOSFET in einem TO-257AA Paket | International Rectifier |
| 568815 | IRF7YSZ44VCM | 60V Single N-Führung Hallo-Rel MOSFET in einem niedrigen ohmschen TO-257AA Paket | International Rectifier |
| 568816 | IRF8010 | 100V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-220AB Paket | International Rectifier |
| 568817 | IRF8010L | 100V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket TO-262 | International Rectifier |
| 568818 | IRF8010S | 100V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2Pak Paket | International Rectifier |
| 568819 | IRF8113 | 30V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket SO-8 | International Rectifier |
| 568820 | IRF8113TR | 30V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket SO-8 | International Rectifier |
| 568821 | IRF82 | N FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOSTRANSISTORS | ST Microelectronics |
| 568822 | IRF82 | N FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOSTRANSISTORS | ST Microelectronics |
| 568823 | IRF820 | 2.5A, 500V, 3.000 Ohm, N-Führung Energie Mosfet | Fairchild Semiconductor |
| 568824 | IRF820 | N-CHANNEL 500V - 2.5 OHM - 4A - TO-220 POWERMESH II MOSFET | ST Microelectronics |
| 568825 | IRF820 | 500V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-220AB Paket | International Rectifier |
| 568826 | IRF820 | ENERGIE MOSFET | BayLinear |
| 568827 | IRF820 | N - FÜHRUNG 500V - 2.5 W - 2.5 A - TO-220 PowerMESH Mosfet | SGS Thomson Microelectronics |
| 568828 | IRF820 | N-CHANNEL Verbesserung-Modus Silikon-Gatter TMOS | Motorola |
| 568829 | IRF820 | 2.5A/ 500V/ 3.000 Ohm N-Führung Energie Mosfet | Intersil |
| 568830 | IRF820 | N-CHANNEL ENERGIE MOSFETS | Samsung Electronic |
| 568831 | IRF820 | N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-sourge Spannung 500V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 2.5A. | General Electric Solid State |
| 568832 | IRF820A | 500V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-220AB Paket | International Rectifier |
| 568833 | IRF820AL | 500V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket TO-262 | International Rectifier |
| 568834 | IRF820APBF | 500V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-220AB Paket | International Rectifier |
| 568835 | IRF820AS | 500V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak Paket | International Rectifier |
| 568836 | IRF820ASTRL | 500V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak Paket | International Rectifier |
| 568837 | IRF820ASTRR | 500V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak Paket | International Rectifier |
| 568838 | IRF820B | N-Führung 500V Mosfet | Fairchild Semiconductor |
| 568839 | IRF820FI | N-Kanal-Anreicherungs-MOS-Leistungstransistor, 500V, 2.2A | SGS Thomson Microelectronics |
| 568840 | IRF820PBF | 500V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-220AB Paket | International Rectifier |
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