| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 568881 | IRF830B | N-Führung 500V Mosfet | Fairchild Semiconductor |
| 568882 | IRF830L | HEXFET Leistungs-MOSFET. VDS = 500V, RDS (on) = 1,40 Ohm, ID = 5.0A | International Rectifier |
| 568883 | IRF830PBF | 500V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-220AB Paket | International Rectifier |
| 568884 | IRF830S | 500V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak Paket | International Rectifier |
| 568885 | IRF830STRL | 500V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak Paket | International Rectifier |
| 568886 | IRF830STRR | 500V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak Paket | International Rectifier |
| 568887 | IRF831 | N-Führung Energie MOSFETs/ 4.5 A 450V/500V | Fairchild Semiconductor |
| 568888 | IRF831 | N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-Spannung sourge 450V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 4.5A. | General Electric Solid State |
| 568889 | IRF832 | N-Führung Energie MOSFETs/ 4.5 A 450V/500V | Fairchild Semiconductor |
| 568890 | IRF832 | N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-sourge Spannung 500V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 4.0A. | General Electric Solid State |
| 568891 | IRF833 | N-Führung Energie MOSFETs/ 4.5 A 450V/500V | Fairchild Semiconductor |
| 568892 | IRF833 | N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-Spannung sourge 450V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 4.0A. | General Electric Solid State |
| 568893 | IRF840 | 8A, 500V, 0.850 Ohm, N-Führung Energie Mosfet | Fairchild Semiconductor |
| 568894 | IRF840 | N-CHANNEL 500V - 0.75 OHM - 8A - TO-220 POWERMESH MOSFET | ST Microelectronics |
| 568895 | IRF840 | 500V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-220AB Paket | International Rectifier |
| 568896 | IRF840 | N - FÜHRUNG 500V - 0.75Ohm - 8A - TO-220 PowerMESH Mosfet | SGS Thomson Microelectronics |
| 568897 | IRF840 | PowerMOS Transistor Lawine Energie veranschlug | Philips |
| 568898 | IRF840 | N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE ENERGIE DES SILIKON-GATTER-TMOS FANGEN EFFEKT-TRANSISTOR auf | Motorola |
| 568899 | IRF840 | 8A/ 500V/ 0.850 Ohm N-Führung Energie Mosfet | Intersil |
| 568900 | IRF840 | N-CHANNEL ENERGIE MOSFETS | Samsung Electronic |
| 568901 | IRF8401111 | TRANSISTOREN N-CHANNEL | International Rectifier |
| 568902 | IRF840A | N-CHANNEL ENERGIE MOSFET | Fairchild Semiconductor |
| 568903 | IRF840A | 500V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-220AB Paket | International Rectifier |
| 568904 | IRF840AL | 500V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket TO-262 | International Rectifier |
| 568905 | IRF840APBF | 500V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-220AB Paket | International Rectifier |
| 568906 | IRF840AS | 500V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak Paket | International Rectifier |
| 568907 | IRF840ASTRL | 500V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak Paket | International Rectifier |
| 568908 | IRF840ASTRR | 500V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak Paket | International Rectifier |
| 568909 | IRF840B | N-Führung 500V Mosfet | Fairchild Semiconductor |
| 568910 | IRF840F1 | N-Kanal-HEXFET, 500V, 4.5A | SGS Thomson Microelectronics |
| 568911 | IRF840LC | 500V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-220AB Paket | International Rectifier |
| 568912 | IRF840LCL | 500V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket TO-262 | International Rectifier |
| 568913 | IRF840LCPBF | 500V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-220AB Paket | International Rectifier |
| 568914 | IRF840LCS | 500V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak Paket | International Rectifier |
| 568915 | IRF840LCSTRL | 500V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak Paket | International Rectifier |
| 568916 | IRF840LCSTRR | 500V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak Paket | International Rectifier |
| 568917 | IRF840PBF | 500V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-220AB Paket | International Rectifier |
| 568918 | IRF840S | 500V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak Paket | International Rectifier |
| 568919 | IRF840STRL | 500V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak Paket | International Rectifier |
| 568920 | IRF840STRR | 500V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak Paket | International Rectifier |
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