| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 569961 | IRFP9132 | P-CHANNEL ENERGIE MOSFETS | Samsung Electronic |
| 569962 | IRFP9132 | P-CHANNEL ENERGIE MOSFETS | Samsung Electronic |
| 569963 | IRFP9132 | P-CHANNEL ENERGIE MOSFETS | Samsung Electronic |
| 569964 | IRFP9133 | P-CHANNEL ENERGIE MOSFETS | Samsung Electronic |
| 569965 | IRFP9133 | P-CHANNEL ENERGIE MOSFETS | Samsung Electronic |
| 569966 | IRFP9133 | P-CHANNEL ENERGIE MOSFETS | Samsung Electronic |
| 569967 | IRFP9133 | P-CHANNEL ENERGIE MOSFETS | Samsung Electronic |
| 569968 | IRFP9133 | P-CHANNEL ENERGIE MOSFETS | Samsung Electronic |
| 569969 | IRFP9133 | P-CHANNEL ENERGIE MOSFETS | Samsung Electronic |
| 569970 | IRFP913X | P-CHANNEL ENERGIE MOSFETS | Samsung Electronic |
| 569971 | IRFP9140 | 19A, 100V, 0.200 Ohm, P-Führung Energie Mosfet | Fairchild Semiconductor |
| 569972 | IRFP9140 | -100V Single P-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-247AC Paket | International Rectifier |
| 569973 | IRFP9140 | P-Führung Energie Mosfet | Intersil |
| 569974 | IRFP9140 | 100 V, P-Kanal-Leistungs-MOSFET | Samsung Electronic |
| 569975 | IRFP9140N | -100V Single P-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-247AC Paket | International Rectifier |
| 569976 | IRFP9141 | 60 V, P-Kanal-Leistungs-MOSFET | Samsung Electronic |
| 569977 | IRFP9142 | 100 V, P-Kanal-Leistungs-MOSFET | Samsung Electronic |
| 569978 | IRFP9143 | 60 V, P-Kanal-Leistungs-MOSFET | Samsung Electronic |
| 569979 | IRFP9150 | 25A, 100V, 0.150 Ohm, P-Führung Energie Mosfet | Fairchild Semiconductor |
| 569980 | IRFP9150 | P-Führung Energie Mosfet | Intersil |
| 569981 | IRFP9230 | 200 V, P-Kanal-Leistungs-MOSFET | Samsung Electronic |
| 569982 | IRFP9231 | 150 V, P-Kanal-Leistungs-MOSFET | Samsung Electronic |
| 569983 | IRFP9232 | 200 V, P-Kanal-Leistungs-MOSFET | Samsung Electronic |
| 569984 | IRFP9233 | 150 V, P-Kanal-Leistungs-MOSFET | Samsung Electronic |
| 569985 | IRFP9240 | 12A, 200V, 0.500 Ohm, P-Führung Energie Mosfet | Fairchild Semiconductor |
| 569986 | IRFP9240 | -200V Single P-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-247AC Paket | International Rectifier |
| 569987 | IRFP9240 | Energie Mosfet | Intersil |
| 569988 | IRFP9240 | 200 V, P-Kanal-Leistungs-MOSFET | Samsung Electronic |
| 569989 | IRFP9240PBF | -200V Single P-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-247AC Paket | International Rectifier |
| 569990 | IRFP9241 | 150 V, P-Kanal-Leistungs-MOSFET | Samsung Electronic |
| 569991 | IRFP9242 | 200 V, P-Kanal-Leistungs-MOSFET | Samsung Electronic |
| 569992 | IRFP9243 | 150 V, P-Kanal-Leistungs-MOSFET | Samsung Electronic |
| 569993 | IRFPC30 | 600V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-247AC Paket | International Rectifier |
| 569994 | IRFPC40 | 600V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-247AC Paket | International Rectifier |
| 569995 | IRFPC40PBF | 600V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-247AC Paket | International Rectifier |
| 569996 | IRFPC48 | 600V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-247AC Paket | International Rectifier |
| 569997 | IRFPC50 | 600V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-247AC Paket | International Rectifier |
| 569998 | IRFPC50A | 600V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-247AC Paket | International Rectifier |
| 569999 | IRFPC50LC | 600V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-247AC Paket | International Rectifier |
| 570000 | IRFPC50PBF | 600V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-247AC Paket | International Rectifier |
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