Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
57641 | 2SD1784 | Fangen Sie Epitaxial- Art des Effekt-Transistor-Silikon-NPN (PCT Prozeß) (Darlington) auf, Mikrobewegungs-Antrieb, die Hammer-Antrieb Anwendungen, die Anwendungen Endverstärker-Anwendungen schalten | TOSHIBA |
57642 | 2SD1785 | Transistor Des Silikon-NPN | Sanken |
57643 | 2SD1788 | Darlington Transistoren | Shindengen |
57644 | 2SD1789 | Darlington Transistoren | Shindengen |
57645 | 2SD1790 | Darlington Transistoren | Shindengen |
57646 | 2SD1791 | Darlington Transistoren | Shindengen |
57647 | 2SD1792 | Darlington Transistoren | Shindengen |
57648 | 2SD1793 | Darlington Transistoren | Shindengen |
57649 | 2SD1794 | Darlington Transistoren | Shindengen |
57650 | 2SD1795 | Darlington Transistoren | Shindengen |
57651 | 2SD1796 | Transistor Des Silikon-NPN | Sanken |
57652 | 2SD1799 | NPN Epitaxial- Planare Silikon-Transistor-Treiber-Anwendungen | SANYO |
57653 | 2SD1800 | NPN Epitaxial- Planare Silikon-Transistor-Treiber-Anwendungen | SANYO |
57654 | 2SD1801 | NPN Epitaxial- Planare Silikon-Transistor-Hoch-Gegenwärtige Schaltung Anwendungen | SANYO |
57655 | 2SD1802 | NPN Epitaxial- Planare Silikon-Transistor-Hoch-Gegenwärtige Schaltung Anwendungen | SANYO |
57656 | 2SD1803 | NPN Epitaxial- Planare Silikon-Transistor-Hoch-Gegenwärtige Schaltung Anwendungen | SANYO |
57657 | 2SD1804 | NPN Epitaxial- Planare Silikon-Transistor-Hoch-Gegenwärtige Schaltung Anwendungen | SANYO |
57658 | 2SD1805 | NPN Epitaxial- Planare Silikon-Transistor-Hoch-Gegenwärtige Schaltung Anwendungen | SANYO |
57659 | 2SD1805 | Bipolar Transistor, 20V, 5A, Low VCE (sat), NPN Einzel TP / TP-FA | ON Semiconductor |
57660 | 2SD1806 | NPN Epitaxial- Planare Silikon-Transistor-Hoch-Gegenwärtige Schaltung Anwendungen | SANYO |
57661 | 2SD1809 | ENERGIE DES PAKET-1.2W NAHM DEN TRANSISTOR AUF, DER FÜR GEBRAUCH MIT EINER AUTOMATISCHEN PLAZIERUNG MECHINE BESTIMMT WAR | ROHM |
57662 | 2SD1809 | ENERGIE DES PAKET-1.2W NAHM DEN TRANSISTOR AUF, DER FÜR GEBRAUCH MIT EINER AUTOMATISCHEN PLAZIERUNG MECHINE BESTIMMT WAR | ROHM |
57663 | 2SD1812 | ENERGIE DES PAKET-1.2W NAHM DEN TRANSISTOR AUF, DER FÜR GEBRAUCH MIT EINER AUTOMATISCHEN PLAZIERUNG MECHINE BESTIMMT WAR | ROHM |
57664 | 2SD1812 | ENERGIE DES PAKET-1.2W NAHM DEN TRANSISTOR AUF, DER FÜR GEBRAUCH MIT EINER AUTOMATISCHEN PLAZIERUNG MECHINE BESTIMMT WAR | ROHM |
57665 | 2SD1815 | NPN Epitaxial- Planare Epitaxial- Planare Silikon-Transistoren Der Silikon-Transistor-NPN | SANYO |
57666 | 2SD1816 | NPN Epitaxial- Planare Silikon-Transistor-Hoch-Gegenwärtige Schaltung Anwendungen | SANYO |
57667 | 2SD1817 | NPN Epitaxial- Planare Silikon-Transistor-Treiber-Anwendungen | SANYO |
57668 | 2SD1818 | NPN SILIKON-ENERGIE TRANSISTOR | NEC |
57669 | 2SD1818 | NPN SILIKON-ENERGIE TRANSISTOR | NEC |
57670 | 2SD1819 | Transistor - Silikon-NPN Epitaxial- planare Typ - Für allgemeine Verstärkung - komplementäres Paar mit 2SB1218 und 2SB1218A | Panasonic |
57671 | 2SD1819A | Differentielle Vorrichtung - differentieller Transistor - Allgemein-verwenden Sie Niedrig-Frequenz Amplifires | Panasonic |
57672 | 2SD1819G | Silikon-NPN Epitaxial- planare Art | Panasonic |
57673 | 2SD1820 | Differentielle Vorrichtung - differentieller Transistor - Allgemein-verwenden Sie Niedrig-Frequenz Amplifires | Panasonic |
57674 | 2SD1820A | Differentielle Vorrichtung - differentieller Transistor - Allgemein-verwenden Sie Niedrig-Frequenz Amplifires | Panasonic |
57675 | 2SD1820G | Silikon-NPN Epitaxial- planare Art | Panasonic |
57676 | 2SD1821 | Differentielle Vorrichtung - differentieller Transistor - Allgemein-verwenden Sie Niedrig-Frequenz Amplifires | Panasonic |
57677 | 2SD1821A | Differentielle Vorrichtung - differentieller Transistor - Allgemein-verwenden Sie Niedrig-Frequenz Amplifires | Panasonic |
57678 | 2SD1821G | Silikon-NPN Epitaxial- planare Art | Panasonic |
57679 | 2SD1823 | Differentielle Vorrichtung - differentieller Transistor - Allgemein-verwenden Sie Niedrig-Frequenz Amplifires | Panasonic |
57680 | 2SD1823G | Silikon-NPN Epitaxial- planare Art | Panasonic |
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