| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 58161 | 2SD2255 | Dreifache Diffusion (Zerstäubung) des Silikons NPN planare Art Darlington für Energie Verstärkung | Panasonic |
| 58162 | 2SD2255 | Dreifache Diffusion (Zerstäubung) des Silikons NPN planare Art Darlington für Energie Verstärkung | Panasonic |
| 58163 | 2SD2256 | Transistor Des Silikon-NPN Darlington | Hitachi Semiconductor |
| 58164 | 2SD2257 | EPITAXIAL- ART HOHE ENERGIE SCHALTUNG ANWENDUNGEN, HAMMER-ANTRIEB, IMPULS-BEWEGUNGS-ANTRIEB ANWENDUNGEN DES TRANSISTOR-SILIKON-NPN | TOSHIBA |
| 58165 | 2SD2258 | Differentielle Vorrichtung - differentieller Transistor - Allgemein-verwenden Sie Niedrig-Frequenz Amplifires | Panasonic |
| 58166 | 2SD2259 | Differentielle Vorrichtung - differentieller Transistor - Allgemein-verwenden Sie Niedrig-Frequenz Amplifires | Panasonic |
| 58167 | 2SD2261 | NPN Epitaxial- Planare Silikon-Transistor-Treiber-Anwendungen | SANYO |
| 58168 | 2SD2263 | Transistor Des Silikon-NPN | Hitachi Semiconductor |
| 58169 | 2SD2263 | Silikon NPN Epitaxial- | Hitachi Semiconductor |
| 58170 | 2SD2263 | Transistors>Amplifiers/Bipolar | Renesas |
| 58171 | 2SD2264 | Transistoren > Mittlere Energie Zweipoliges Transistors(0.5W-1.0W) | ROHM |
| 58172 | 2SD2266 | Planare Schaltung Energie type(For dreifache Diffusion (Zerstäubung) des Silikons NPN) | Panasonic |
| 58173 | 2SD227 | Mittlere Endverstärker und Schalter | Unknow |
| 58174 | 2SD227 | Mittlere Endverstärker und Schalter | Unknow |
| 58175 | 2SD227 | Transistor. Niederfrequenz-Leistungsverstärker. Kollektor-Basisspannung VCBO = 30V. Kollektor-Emitter-Spannung Vceo = 25V. Emitter-Basis-Spannung Vebo = 5V. Kollektor-Verlust Pc (max) = 400mW. Kollektorstrom Ic = 300mA. | USHA India LTD |
| 58176 | 2SD2271 | DREIFACHE ZERSTREUTE ART DES TRANSISTOR-SILIKON-NPN (DARLINGTON ENERGIE TRANSISTOR) BEWEGUNGS-ANTRIEB ANWENDUNGEN HOHE GEGENWÄRTIGE SCHALTUNG ANWENDUNGEN | TOSHIBA |
| 58177 | 2SD2273 | Dreifache Diffusion (Zerstäubung) des Silikons NPN planare Art Darlington(For Energie Verstärkung) | Panasonic |
| 58178 | 2SD2275 | Starkstromgerät - Energie Transistoren - Für Audio | Panasonic |
| 58179 | 2SD2276 | Starkstromgerät - Energie Transistoren - Für Audio | Panasonic |
| 58180 | 2SD2280 | NPN Epitaxial- Planare Hoch-Gegenwärtige Schaltung Anwendungen Der Silikon-Transistor-50V/7A | SANYO |
| 58181 | 2SD2281 | NPN Epitaxial- Planare Hoch-Gegenwärtige Schaltung Anwendungen Der Silikon-Transistor-50V/12A | SANYO |
| 58182 | 2SD2282 | NPN Epitaxial- Planare Silikon-Transistor-Hoch-Gegenwärtige Schaltung Anwendungen | SANYO |
| 58183 | 2SD2283 | AUFGENOMMENES ENERGIE TRANSISTOR-PAKET FÜR GEBRAUCH MIT EINEM BESTÜCKUNGSAUTOMATEN | ROHM |
| 58184 | 2SD2283 | AUFGENOMMENES ENERGIE TRANSISTOR-PAKET FÜR GEBRAUCH MIT EINEM BESTÜCKUNGSAUTOMATEN | ROHM |
| 58185 | 2SD2284 | NPN Epitaxial- Planare Treiber-Anwendungen DerSilikon-Transistor-60V/3A | SANYO |
| 58186 | 2SD2285 | NPN Epitaxial- Planare Hoch-Gegenwärtige Schaltung Anwendungen Der Silikon-Transistor-30V/20A | SANYO |
| 58187 | 2SD2299 | DREIFACHES ZERSTREUTES CTV HORIZONTALES ABLENKUNG OUTPUT DES SILIKON-NPN | Hitachi Semiconductor |
| 58188 | 2SD2299 | DREIFACHES ZERSTREUTES CTV HORIZONTALES ABLENKUNG OUTPUT DES SILIKON-NPN | Hitachi Semiconductor |
| 58189 | 2SD2300 | Dreifaches Des Silikon-NPN Zerstreut | Hitachi Semiconductor |
| 58190 | 2SD2304 | AUFGENOMMENES ENERGIE TRANSISTOR-PAKET FÜR GEBRAUCH MIT EINEM BESTÜCKUNGSAUTOMATEN | ROHM |
| 58191 | 2SD2304 | AUFGENOMMENES ENERGIE TRANSISTOR-PAKET FÜR GEBRAUCH MIT EINEM BESTÜCKUNGSAUTOMATEN | ROHM |
| 58192 | 2SD2306 | ENERGIE DES PAKET-1.2W NAHM DEN TRANSISTOR AUF, DER FÜR GEBRAUCH MIT EINER AUTOMATISCHEN PLAZIERUNG MECHINE BESTIMMT WAR | ROHM |
| 58193 | 2SD2306 | AUFGENOMMENES ENERGIE TRANSISTOR-PAKET FÜR GEBRAUCH MIT EINEM BESTÜCKUNGSAUTOMATEN | ROHM |
| 58194 | 2SD2306 | ENERGIE DES PAKET-1.2W NAHM DEN TRANSISTOR AUF, DER FÜR GEBRAUCH MIT EINER AUTOMATISCHEN PLAZIERUNG MECHINE BESTIMMT WAR | ROHM |
| 58195 | 2SD2306 | AUFGENOMMENES ENERGIE TRANSISTOR-PAKET FÜR GEBRAUCH MIT EINEM BESTÜCKUNGSAUTOMATEN | ROHM |
| 58196 | 2SD2307 | AUFGENOMMENES ENERGIE TRANSISTOR-PAKET FÜR GEBRAUCH MIT EINEM BESTÜCKUNGSAUTOMATEN | ROHM |
| 58197 | 2SD2307 | AUFGENOMMENES ENERGIE TRANSISTOR-PAKET FÜR GEBRAUCH MIT EINEM BESTÜCKUNGSAUTOMATEN | ROHM |
| 58198 | 2SD2309 | ENERGIE DES PAKET-1.2W NAHM DEN TRANSISTOR AUF, DER FÜR GEBRAUCH MIT EINER AUTOMATISCHEN PLAZIERUNG MECHINE BESTIMMT WAR | ROHM |
| 58199 | 2SD2309 | ENERGIE DES PAKET-1.2W NAHM DEN TRANSISTOR AUF, DER FÜR GEBRAUCH MIT EINER AUTOMATISCHEN PLAZIERUNG MECHINE BESTIMMT WAR | ROHM |
| 58200 | 2SD2318 | Transistoren > Mittlere Energie Zweipoliges Transistors(0.5W-1.0W) | ROHM |
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