598780 | K4D64163HF-TC60 | 1M x 16Bit x 4 Bänke verdoppeln Datenrate synchronen DRAM | Samsung Electronic |
598781 | K4E151611 | 1M x 16Bit CMOS dynamisches RAM mit ausgedehnten Daten heraus | Samsung Electronic |
598782 | K4E151611D | 1M x 16Bit CMOS dynamisches RAM mit ausgedehnten Daten heraus | Samsung Electronic |
598783 | K4E151611D-J | 1m x 16-Bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus. Versorgungsspannung 5V, 1K-Aktualisierungszyklus. | Samsung Electronic |
598784 | K4E151611D-T | 1m x 16-Bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus. Versorgungsspannung 5V, 1K-Aktualisierungszyklus. | Samsung Electronic |
598785 | K4E151612D | 1M x 16Bit CMOS dynamisches RAM mit ausgedehnten Daten heraus | Samsung Electronic |
598786 | K4E151612D-J | 1m x 16-Bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus. Versorgungsspannung 3,3V, 1K-Aktualisierungszyklus. | Samsung Electronic |
598787 | K4E151612D-T | 1m x 16-Bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus. Versorgungsspannung 3,3V, 1K-Aktualisierungszyklus. | Samsung Electronic |
598788 | K4E16(7)0411(2)D | 4M x 4Bit CMOS dynamisches RAM mit ausgedehnten Daten aus Leistungsblatt | Samsung Electronic |
598789 | K4E16(7)0811(2)D | 2M x 8Bit CMOS dynamisches RAM mit ausgedehnten Daten aus Leistungsblatt | Samsung Electronic |
598790 | K4E160411D | 4M x 4Bit CMOS dynamisches RAM mit ausgedehnten Daten heraus | Samsung Electronic |
598791 | K4E160411D-B | 4M x 4 Bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus. Versorgungsspannung 5V, 2K Refresh-Zyklus. | Samsung Electronic |
598792 | K4E160411D-F | 4M x 4 Bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus. Versorgungsspannung 5V, 2K Refresh-Zyklus. | Samsung Electronic |
598793 | K4E160412D | 4M x 4Bit CMOS dynamisches RAM mit ausgedehnten Daten heraus | Samsung Electronic |
598794 | K4E160412D-B | 4M x 4 Bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus. Versorgungsspannung 3,3V, 2K Refresh-Zyklus. | Samsung Electronic |
598795 | K4E160412D-F | 4M x 4 Bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus. Versorgungsspannung 3,3V, 2K Refresh-Zyklus. | Samsung Electronic |
598796 | K4E160811D | 2M x 8Bit CMOS dynamisches RAM mit ausgedehnten Daten heraus | Samsung Electronic |
598797 | K4E160811D-B | 2M x 8-Bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus. Versorgungsspannung 5V, 2K Refresh-Zyklus. | Samsung Electronic |
598798 | K4E160811D-F | 2M x 8-Bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus. Versorgungsspannung 5V, 2K Refresh-Zyklus. | Samsung Electronic |
598799 | K4E160812D | 2M x 8Bit CMOS dynamisches RAM mit ausgedehnten Daten heraus | Samsung Electronic |
598800 | K4E160812D-B | 2M x 8-Bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus. Versorgungsspannung 3,3V, 2K Refresh-Zyklus. | Samsung Electronic |
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