Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
598961 | K4F151612D-J | 1m x 16-Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus. Versorgungsspannung 3,3V, 1K-Aktualisierungszyklus. | Samsung Electronic |
598962 | K4F151612D-T | 1m x 16-Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus. Versorgungsspannung 3,3V, 1K-Aktualisierungszyklus. | Samsung Electronic |
598963 | K4F16(7)0811(2)D | 2M x 8Bit CMOS dynamisches RAM mit schnellem Seite Modus-Leistungsblatt | Samsung Electronic |
598964 | K4F160411C-B50 | 4M x 4bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 5V, 50ns | Samsung Electronic |
598965 | K4F160411C-B60 | 4M x 4bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 5V, 60ns | Samsung Electronic |
598966 | K4F160411C-F50 | 4M x 4bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 5V, 50ns | Samsung Electronic |
598967 | K4F160411C-F60 | 4M x 4bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 5V, 60ns | Samsung Electronic |
598968 | K4F160411D | 4M x 4Bit CMOS dynamisches RAM mit schnellem Seite Modus | Samsung Electronic |
598969 | K4F160411D-B | 4M x 4 Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus. Versorgungsspannung 5V, 2K Refresh-Zyklus. | Samsung Electronic |
598970 | K4F160411D-F | 4M x 4 Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus. Versorgungsspannung 5V, 2K Refresh-Zyklus. | Samsung Electronic |
598971 | K4F160412C-B50 | 4M x 4bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 50ns | Samsung Electronic |
598972 | K4F160412C-B60 | 4M x 4bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 60ns | Samsung Electronic |
598973 | K4F160412C-F50 | 4M x 4bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 50ns | Samsung Electronic |
598974 | K4F160412C-F60 | 4M x 4bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 60ns | Samsung Electronic |
598975 | K4F160412D | 4M x 4Bit CMOS dynamisches RAM mit schnellem Seite Modus | Samsung Electronic |
598976 | K4F160412D-B | 4M x 4 Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus. Versorgungsspannung 3,3V, 2K Refresh-Zyklus. | Samsung Electronic |
598977 | K4F160412D-F | 4M x 4 Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus. Versorgungsspannung 3,3V, 2K Refresh-Zyklus. | Samsung Electronic |
598978 | K4F160811D | 2M x 8Bit CMOS dynamisches RAM mit schnellem Seite Modus | Samsung Electronic |
598979 | K4F160811D-B | 2M x 8-Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus. Versorgungsspannung 5V, 2K Refresh-Zyklus. | Samsung Electronic |
598980 | K4F160811D-F | 2M x 8-Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus. Versorgungsspannung 5V, 2K Refresh-Zyklus. | Samsung Electronic |
598981 | K4F160812D | 2M x 8Bit CMOS dynamisches RAM mit schnellem Seite Modus | Samsung Electronic |
598982 | K4F160812D-B | 2M x 8-Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus. Versorgungsspannung 3,3V, 2K Refresh-Zyklus. | Samsung Electronic |
598983 | K4F160812D-F | 2M x 8-Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus. Versorgungsspannung 3,3V, 2K Refresh-Zyklus. | Samsung Electronic |
598984 | K4F170411C-B50 | 4M x 4bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 5V, 50ns | Samsung Electronic |
598985 | K4F170411C-B60 | 4M x 4bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 5V, 60ns | Samsung Electronic |
598986 | K4F170411C-F50 | 4M x 4bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 5V, 50ns | Samsung Electronic |
598987 | K4F170411C-F60 | 4M x 4bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 5V, 60ns | Samsung Electronic |
598988 | K4F170411D | 4M x 4Bit CMOS dynamisches RAM mit schnellem Seite Modus | Samsung Electronic |
598989 | K4F170411D-B | 4M x 4 Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus. Versorgungsspannung 5V, 4K-Aktualisierungszyklus. | Samsung Electronic |
598990 | K4F170411D-F | 4M x 4 Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus. Versorgungsspannung 5V, 4K-Aktualisierungszyklus. | Samsung Electronic |
598991 | K4F170412C-B50 | 4M x 4bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 50ns | Samsung Electronic |
598992 | K4F170412C-B60 | 4M x 4bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 60ns | Samsung Electronic |
598993 | K4F170412C-F50 | 4M x 4bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 50ns | Samsung Electronic |
598994 | K4F170412C-F60 | 4M x 4bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 60ns | Samsung Electronic |
598995 | K4F170412D | 4M x 4Bit CMOS dynamisches RAM mit schnellem Seite Modus | Samsung Electronic |
598996 | K4F170412D-B | 4M x 4 Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus. Versorgungsspannung 3,3V, 4K-Aktualisierungszyklus. | Samsung Electronic |
598997 | K4F170412D-F | 4M x 4 Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus. Versorgungsspannung 3,3V, 4K-Aktualisierungszyklus. | Samsung Electronic |
598998 | K4F170811D | 2M x 8Bit CMOS dynamisches RAM mit schnellem Seite Modus | Samsung Electronic |
598999 | K4F170811D-B | 2M x 8-Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus. Versorgungsspannung 5V, 4K-Aktualisierungszyklus. | Samsung Electronic |
599000 | K4F170811D-F | 2M x 8-Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus. Versorgungsspannung 5V, 4K-Aktualisierungszyklus. | Samsung Electronic |
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