Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
599001 | K4F170812D | 2M x 8Bit CMOS dynamisches RAM mit schnellem Seite Modus | Samsung Electronic |
599002 | K4F170812D-B | 2M x 8-Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus. Versorgungsspannung 3,3V, 4K-Aktualisierungszyklus. | Samsung Electronic |
599003 | K4F170812D-F | 2M x 8-Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus. Versorgungsspannung 3,3V, 4K-Aktualisierungszyklus. | Samsung Electronic |
599004 | K4F171611D | 1M x 16Bit CMOS dynamisches RAM mit schnellem Seite Modus | Samsung Electronic |
599005 | K4F171611D-J | 1m x 16-Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus. Versorgungsspannung 5V, 4K-Aktualisierungszyklus. | Samsung Electronic |
599006 | K4F171611D-T | 1m x 16-Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus. Versorgungsspannung 5V, 4K-Aktualisierungszyklus. | Samsung Electronic |
599007 | K4F171612D | 1M x 16Bit CMOS dynamisches RAM mit schnellem Seite Modus | Samsung Electronic |
599008 | K4F171612D-J | 1m x 16-Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus. Versorgungsspannung 3,3V, 4K-Aktualisierungszyklus. | Samsung Electronic |
599009 | K4F171612D-T | 1m x 16-Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus. Versorgungsspannung 3,3V, 4K-Aktualisierungszyklus. | Samsung Electronic |
599010 | K4F640412D | 16M x 4bit CMOS dynamisches RAM mit schnellem Seite Modus | Samsung Electronic |
599011 | K4F640412D-JC_L | 16M x 4 Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus. 3.3V, 4K Auffrischzyklus. | Samsung Electronic |
599012 | K4F640412D-TC_L | 16M x 4 Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus. 3.3V, 4K Auffrischzyklus. | Samsung Electronic |
599013 | K4F640811B | 8M x 8bit CMOS dynamisches RAM mit schnellem Seite Modus | Samsung Electronic |
599014 | K4F640811B-JC-45 | 8M x 8bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 5V, 45ns | Samsung Electronic |
599015 | K4F640811B-JC-50 | 8M x 8bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 5V, 50ns | Samsung Electronic |
599016 | K4F640811B-JC-60 | 8M x 8bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 5V, 60ns | Samsung Electronic |
599017 | K4F640811B-TC-45 | 8M x 8bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 5V, 45ns | Samsung Electronic |
599018 | K4F640811B-TC-50 | 8M x 8bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 5V, 50ns | Samsung Electronic |
599019 | K4F640811B-TC-60 | 8M x 8bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 5V, 60ns | Samsung Electronic |
599020 | K4F640812D | 8M x 8bit CMOS dynamisches RAM mit schnellem Seite Modus | Samsung Electronic |
599021 | K4F640812D-JC_L | 8M x 8bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus. 3.3V, 4K Auffrischzyklus. | Samsung Electronic |
599022 | K4F640812D-TC_L | 8M x 8bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus. 3.3V, 4K Auffrischzyklus. | Samsung Electronic |
599023 | K4F641612B | 4M x 16bit CMOS dynamisches RAM mit schnellem Seite Modus | Samsung Electronic |
599024 | K4F641612B-L | 4M x 16bit CMOS dynamisches RAM mit schnellem Seite Modus | Samsung Electronic |
599025 | K4F641612B-TC | 4M x 16bit CMOS dynamisches RAM mit schnellem Seite Modus | Samsung Electronic |
599026 | K4F641612B-TC45 | 4M x 16bit dynamischen CMOS RAM mit schnellen Seitenmodus 3,3V Stromversorgung, 45ns | Samsung Electronic |
599027 | K4F641612B-TC50 | 4M x 16bit CMOS dynamisches RAM mit schnellem Seite Modus | Samsung Electronic |
599028 | K4F641612B-TC60 | 4M x 16bit dynamischen CMOS RAM mit schnellen Seitenmodus 3,3V Stromversorgung, 60ns | Samsung Electronic |
599029 | K4F641612B-TL45 | 4M x 16bit dynamischen CMOS RAM mit schnellen Seitenmodus 3,3V Stromversorgung, 45ns, geringer Strom | Samsung Electronic |
599030 | K4F641612B-TL50 | 4M x 16bit dynamischen CMOS RAM mit schnellen Seitenmodus 3,3V Stromversorgung, 50ns, geringer Strom | Samsung Electronic |
599031 | K4F641612B-TL60 | 4M x 16bit dynamischen CMOS RAM mit schnellen Seitenmodus 3,3V Stromversorgung, 60ns, geringer Strom | Samsung Electronic |
599032 | K4F641612C | 4M x 16bit CMOS dynamisches RAM mit schnellem Seite Modus | Samsung Electronic |
599033 | K4F641612C-L | 4M x 16bit CMOS dynamisches RAM mit schnellem Seite Modus | Samsung Electronic |
599034 | K4F641612C-TC | 4M x 16bit CMOS dynamisches RAM mit schnellem Seite Modus | Samsung Electronic |
599035 | K4F641612C-TC45 | 4M x 16bit dynamischen CMOS RAM mit schnellen Seitenmodus 3,3V Stromversorgung, 45ns | Samsung Electronic |
599036 | K4F641612C-TC50 | 4M x 16bit dynamischen CMOS RAM mit schnellen Seitenmodus 3,3V Stromversorgung, 50ns | Samsung Electronic |
599037 | K4F641612C-TC60 | 4M x 16bit dynamischen CMOS RAM mit schnellen Seitenmodus 3,3V Stromversorgung, 60ns | Samsung Electronic |
599038 | K4F641612C-TL45 | 4M x 16bit dynamischen CMOS RAM mit schnellen Seitenmodus 3,3V Stromversorgung, 45ns, geringer Strom | Samsung Electronic |
599039 | K4F641612C-TL50 | 4M x 16bit CMOS dynamisches RAM mit schnellem Seite Modus | Samsung Electronic |
599040 | K4F641612C-TL60 | 4M x 16bit dynamischen CMOS RAM mit schnellen Seitenmodus 3,3V Stromversorgung, 60ns, geringer Strom | Samsung Electronic |
| | | |