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Nr.TeilnameBeschreibungHersteller
599041K4F660411D, K4F640411D16M x 4bit CMOS dynamisches RAM mit schnellem Seite Modus-LeistungsblattSamsung Electronic
599042K4F660412D16M x 4bit CMOS dynamisches RAM mit schnellem Seite ModusSamsung Electronic
599043K4F660412D, K4F640412D16M x 4bit CMOS dynamisches RAM mit schnellem Seite Modus-LeistungsblattSamsung Electronic
599044K4F660412D, K4F640412D16M x 4bit CMOS dynamisches RAM mit schnellem Seite Modus-LeistungsblattSamsung Electronic
599045K4F660412D-JC_L16M x 4 Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus. 3.3V, 8K Auffrischzyklus.Samsung Electronic
599046K4F660412D-TC_L16M x 4 Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus. 3.3V, 8K Auffrischzyklus.Samsung Electronic
599047K4F660412E, K4F640412E16M x 4bit CMOS dynamisches RAM mit schnellem Seite Modus-LeistungsblattSamsung Electronic
599048K4F660412E, K4F640412E16M x 4bit CMOS dynamisches RAM mit schnellem Seite Modus-LeistungsblattSamsung Electronic
599049K4F660811B8M x 8bit CMOS dynamisches RAM mit schnellem Seite ModusSamsung Electronic
599050K4F660811B-JC-458M x 8bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 5V, 45nsSamsung Electronic
599051K4F660811B-JC-508M x 8bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 5V, 50nsSamsung Electronic
599052K4F660811B-JC-608M x 8bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 5V, 60nsSamsung Electronic
599053K4F660811B-TC-458M x 8bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 5V, 45nsSamsung Electronic
599054K4F660811B-TC-508M x 8bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 5V, 50nsSamsung Electronic
599055K4F660811B-TC-608M x 8bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 5V, 60nsSamsung Electronic
599056K4F660811D, K4F640811D8M x 8bit CMOS dynamisches RAM mit schnellem Seite Modus-LeistungsblattSamsung Electronic
599057K4F660812D8M x 8bit CMOS dynamisches RAM mit schnellem Seite ModusSamsung Electronic
599058K4F660812D, K4F640812D8M x 8bit CMOS dynamisches RAM mit schnellem Seite Modus-LeistungsblattSamsung Electronic
599059K4F660812D, K4F640812D8M x 8bit CMOS dynamisches RAM mit schnellem Seite Modus-LeistungsblattSamsung Electronic



599060K4F660812D-JC_L8M x 8bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus. 3.3V, 8K Auffrischzyklus.Samsung Electronic
599061K4F660812D-TC_L8M x 8bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus. 3.3V, 8K Auffrischzyklus.Samsung Electronic
599062K4F660812E, K4F640812E8M x 8bit CMOS dynamisches RAM mit schnellem Seite Modus-LeistungsblattSamsung Electronic
599063K4F660812E, K4F640812E8M x 8bit CMOS dynamisches RAM mit schnellem Seite Modus-LeistungsblattSamsung Electronic
599064K4F661611D, K4F641611D4M x 16bit CMOS dynamisches RAM mit schnellem Seite Modus-LeistungsblattSamsung Electronic
599065K4F661612B4M x 16bit CMOS dynamisches RAM mit schnellem Seite ModusSamsung Electronic
599066K4F661612B-L4M x 16bit CMOS dynamisches RAM mit schnellem Seite ModusSamsung Electronic
599067K4F661612B-TC4M x 16bit CMOS dynamisches RAM mit schnellem Seite ModusSamsung Electronic
599068K4F661612B-TC454M x 16bit dynamischen CMOS RAM mit schnellen Seitenmodus 3,3V Stromversorgung, 45nsSamsung Electronic
599069K4F661612B-TC504M x 16bit dynamischen CMOS RAM mit schnellen Seitenmodus 3,3V Stromversorgung, 50nsSamsung Electronic
599070K4F661612B-TC604M x 16bit dynamischen CMOS RAM mit schnellen Seitenmodus 3,3V Stromversorgung, 60nsSamsung Electronic
599071K4F661612B-TL454M x 16bit dynamischen CMOS RAM mit schnellen Seitenmodus 3,3V Stromversorgung, 45ns, geringer StromSamsung Electronic
599072K4F661612B-TL504M x 16bit dynamischen CMOS RAM mit schnellen Seitenmodus 3,3V Stromversorgung, 50ns, geringer StromSamsung Electronic
599073K4F661612B-TL604M x 16bit dynamischen CMOS RAM mit schnellen Seitenmodus 3,3V Stromversorgung, 60ns, geringer StromSamsung Electronic
599074K4F661612C4M x 16bit CMOS dynamisches RAM mit schnellem Seite ModusSamsung Electronic
599075K4F661612C-L4M x 16bit CMOS dynamisches RAM mit schnellem Seite ModusSamsung Electronic
599076K4F661612C-TC4M x 16bit CMOS dynamisches RAM mit schnellem Seite ModusSamsung Electronic
599077K4F661612C-TC454M x 16bit dynamischen CMOS RAM mit schnellen Seitenmodus 3,3V Stromversorgung, 45nsSamsung Electronic
599078K4F661612C-TC504M x 16bit dynamischen CMOS RAM mit schnellen Seitenmodus 3,3V Stromversorgung, 50nsSamsung Electronic
599079K4F661612C-TC604M x 16bit dynamischen CMOS RAM mit schnellen Seitenmodus 3,3V Stromversorgung, 60nsSamsung Electronic
599080K4F661612C-TL454M x 16bit dynamischen CMOS RAM mit schnellen Seitenmodus 3,3V Stromversorgung, 45ns, geringer StromSamsung Electronic
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