| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 600161 | K4N56163QF-GC30 | 256Mbit gDDR2 SDRAM | Samsung Electronic |
| 600162 | K4N56163QF-GC37 | 256Mbit gDDR2 SDRAM | Samsung Electronic |
| 600163 | K4R271669A | Direktes RDRAM | Samsung Electronic |
| 600164 | K4R271669A-N(M)CK7 | 256K x abhängige Bänke 16/18 Bit x 2*16 verweisen RDRAMTM | Samsung Electronic |
| 600165 | K4R271669A-N(M)CK8 | 256K x abhängige Bänke 16/18 Bit x 2*16 verweisen RDRAMTM | Samsung Electronic |
| 600166 | K4R271669A-NB(M)CCG6 | 256K x abhängige Bänke 16/18 Bit x 2*16 verweisen RDRAMTM | Samsung Electronic |
| 600167 | K4R271669AM-CG6 | 256K x 16 x 32s abhängigen Banken direkte RDRAM. Zugriffszeit: 53,3 ns, I / O-Freq. 600 MHz. | Samsung Electronic |
| 600168 | K4R271669AM-CK7 | 256K x 16 x 32s abhängigen Banken direkte RDRAM. Zugriffszeit: 45 ns, I / O-Freq. 711 MHz. | Samsung Electronic |
| 600169 | K4R271669AM-CK8 | 256K x 16 x 32s abhängigen Banken direkte RDRAM. Zugriffszeit: 45 ns, I / O-Freq. 800 MHz. | Samsung Electronic |
| 600170 | K4R271669AN-CG6 | 256K x 16 x 32s abhängigen Banken direkte RDRAM. Zugriffszeit: 53,3 ns, I / O-Frequenz 600 MHz. | Samsung Electronic |
| 600171 | K4R271669AN-CK7 | 256K x 16 x 32s abhängigen Banken direkte RDRAM. Zugriffszeit: 45 ns, I / O-Freq. 711 MHz. | Samsung Electronic |
| 600172 | K4R271669AN-CK8 | 256K x 16 x 32s abhängigen Banken direkte RDRAM. Zugriffszeit: 45 ns, I / O-Freq. 800 MHz. | Samsung Electronic |
| 600173 | K4R271669B | Direktes RDRAM. Leistungsblatt | Samsung Electronic |
| 600174 | K4R271669B | Direktes RDRAM | Samsung Electronic |
| 600175 | K4R271669B-MCG6 | 256K x 16 x 32s Banken direkte RDRAM. Zugriffszeit: 53,3 ns, I / O-Freq .: 600 MHz. | Samsung Electronic |
| 600176 | K4R271669B-MCK7 | 256K x 16 x 32s Banken direkte RDRAM. Zugriffszeit: 45 ns, I / O-Freq .: 711 MHz. | Samsung Electronic |
| 600177 | K4R271669B-MCK8 | 256K x 16 x 32s Banken direkte RDRAM. Zugriffszeit: 45 ns, I / O-Freq .: 800 MHz. | Samsung Electronic |
| 600178 | K4R271669B-N(M)CG6 | 256K x 16/18 Bänke des Bits x 32s verweisen RDRAMTM | Samsung Electronic |
| 600179 | K4R271669B-N(M)CK7 | 256K x 16/18 Bänke des Bits x 32s verweisen RDRAMTM | Samsung Electronic |
| 600180 | K4R271669B-NB(M)CCK8 | 256K x 16/18 Bänke des Bits x 32s verweisen RDRAMTM | Samsung Electronic |
| 600181 | K4R271669B-NCG6 | 256K x 16 x 32s Banken direkte RDRAM. Zugriffszeit: 53,3 ns, I / O-Freq .: 600 MHz. | Samsung Electronic |
| 600182 | K4R271669B-NCK7 | 256K x 16 x 32s Banken direkte RDRAM. Zugriffszeit: 45 ns, I / O-Freq .: 711 MHz | Samsung Electronic |
| 600183 | K4R271669B-NCK8 | 256K x 16 x 32s Banken direkte RDRAM. Zugriffszeit: 45 ns, I / O-Freq .: 800 MHz | Samsung Electronic |
| 600184 | K4R271669D | Direktes RDRAM. Leistungsblatt | Samsung Electronic |
| 600185 | K4R271669D-T | 128Mbit RDRAM(D-die) | Samsung Electronic |
| 600186 | K4R271669D-TCS8 | 128Mbit RDRAM(D-die) | Samsung Electronic |
| 600187 | K4R271669E | 128Mbit RDRAM(E-die) | Samsung Electronic |
| 600188 | K4R271669F | 128Mbit RDRAM(F-die) | Samsung Electronic |
| 600189 | K4R271869B-MCG6 | 256K x 18 x 32s Banken direkte RDRAM. Zugriffszeit: 53,3 ns, I / O-Freq .: 600 MHz. | Samsung Electronic |
| 600190 | K4R271869B-MCK7 | 256K x 18 x 32s Banken direkte RDRAM. Zugriffszeit: 45 ns, I / O-Freq .: 711 MHz. | Samsung Electronic |
| 600191 | K4R271869B-MCK8 | 256K x 18 x 32s Banken direkte RDRAM. Zugriffszeit: 45 ns, I / O-Freq .: 800 MHz. | Samsung Electronic |
| 600192 | K4R271869B-NCG6 | 256K x 18 x 32s Banken direkte RDRAM. Zugriffszeit: 53,3 ns, I / O-Freq .: 600 MHz. | Samsung Electronic |
| 600193 | K4R271869B-NCK7 | 256K x 18 x 32s Banken direkte RDRAM. Zugriffszeit: 45 ns, I / O-Freq .: 711 MHz. | Samsung Electronic |
| 600194 | K4R271869B-NCK8 | 256K x 18 x 32s Banken direkte RDRAM. Zugriffszeit: 45 ns, I / O-Freq .: 800 MHz. | Samsung Electronic |
| 600195 | K4R441869A | Direktes RDRAM | Samsung Electronic |
| 600196 | K4R441869A-N(M) | K4R271669A-N(M):Direct RDRAM. Leistungsblatt | Samsung Electronic |
| 600197 | K4R441869A-N(M)CG6 | 256K x abhängige Bänke 16/18 Bit x 2*16 verweisen RDRAMTM | Samsung Electronic |
| 600198 | K4R441869A-N(M)CK7 | 256K x abhängige Bänke 16/18 Bit x 2*16 verweisen RDRAMTM | Samsung Electronic |
| 600199 | K4R441869A-N(M)CK8 | 256K x abhängige Bänke 16/18 Bit x 2*16 verweisen RDRAMTM | Samsung Electronic |
| 600200 | K4R441869AM-CG6 | 256K x 18 x 32s abhängigen Banken direkte RDRAM. Zugriffszeit: 53,3 ns, I / O-Freq. 600 MHz. | Samsung Electronic |
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