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Nr.TeilnameBeschreibungHersteller
600201K4R441869AM-CK7256K x 18 x 32s abhängigen Banken direkte RDRAM. Zugriffszeit: 45 ns, I / O-Freq. 711 MHz.Samsung Electronic
600202K4R441869AM-CK8256K x 18 x 32s abhängigen Banken direkte RDRAM. Zugriffszeit: 45 ns, I / O-Freq. 800 MHz.Samsung Electronic
600203K4R441869AN-CG6256K x 18 x 32s abhängigen Banken direkte RDRAM. Zugriffszeit: 53,3 ns, I / O-Freq. 600 MHz.Samsung Electronic
600204K4R441869AN-CK7256K x 18 x 32s abhängigen Banken direkte RDRAM. Zugriffszeit: 45 ns, I / O-Freq. 711 MHz.Samsung Electronic
600205K4R441869AN-CK8256K x 18 x 32s abhängigen Banken direkte RDRAM. Zugriffszeit: 45 ns, I / O-Freq. 800 MHz.Samsung Electronic
600206K4R441869BK4R271669B:Direct RDRAM. LeistungsblattSamsung Electronic
600207K4R441869BDirektes RDRAMSamsung Electronic
600208K4R441869B-N(M)CG6256K x 16/18 Bänke des Bits x 32s verweisen RDRAMTMSamsung Electronic
600209K4R441869B-N(M)CK7256K x 16/18 Bänke des Bits x 32s verweisen RDRAMTMSamsung Electronic
600210K4R441869B-N(M)CK8256K x 16/18 Bänke des Bits x 32s verweisen RDRAMTMSamsung Electronic
600211K4R521669A250 bis 0.13V; 512 / 576Mbit Kurzkanal nonstop 1066MHz RDRAM (A-Düse); 1M x 16 / 18bit x 32s BanksSamsung Electronic
600212K4R57(88)16(8)69ADirektes RDRAM. LeistungsblattSamsung Electronic
600213K4R571669D256/288Mbit RDRAM(D-die)Samsung Electronic
600214K4R571669MDirektes RDRAM. LeistungsblattSamsung Electronic
600215K4R761869A250 bis 0.13V; 512 / 576Mbit Kurzkanal nonstop 1066MHz RDRAM (A-Düse); 1M x 16 / 18bit x 32s BanksSamsung Electronic
600216K4R761869A-F576Mbit RDRAM (Ein-sterben Sie), 1M x 18bit x 32s Bänke direktes RDRAMTMSamsung Electronic
600217K4R761869A-FBCCN1576Mbit RDRAM (Ein-sterben Sie), 1M x 18bit x 32s Bänke direktes RDRAMTMSamsung Electronic
600218K4R761869A-FCM8576Mbit RDRAM (Ein-sterben Sie), 1M x 18bit x 32s Bänke direktes RDRAMTMSamsung Electronic
600219K4R761869A-FCT9576Mbit RDRAM (Ein-sterben Sie), 1M x 18bit x 32s Bänke direktes RDRAMTMSamsung Electronic



600220K4R761869A-GCM8576Mbit RDRAM (Ein-sterben Sie), 1M x 18bit x 32s Bänke direktes RDRAMTMSamsung Electronic
600221K4R761869A-GCN1576Mbit RDRAM (Ein-sterben Sie), 1M x 18bit x 32s Bänke direktes RDRAMTMSamsung Electronic
600222K4R761869A-GCT9576Mbit RDRAM (Ein-sterben Sie), 1M x 18bit x 32s Bänke direktes RDRAMTMSamsung Electronic
600223K4R881869288Mbit RDRAM 512K x 18 Bit x abhängige Bänke 2*16 verweisen RDRAMTMSamsung Electronic
600224K4R881869D256/288Mbit RDRAM(D-die)Samsung Electronic
600225K4R881869MDirektes RDRAM. LeistungsblattSamsung Electronic
600226K4R881869MDirektes RDRAMSamsung Electronic
600227K4R881869M-NBCCG6288Mbit RDRAM 512K x 18 Bit x abhängige Bänke 2*16 verweisen RDRAMTMSamsung Electronic
600228K4R881869M-NCK7288Mbit RDRAM 512K x 18 Bit x abhängige Bänke 2*16 verweisen RDRAMTMSamsung Electronic
600229K4R881869M-NCK8288Mbit RDRAM 512K x 18 Bit x abhängige Bänke 2*16 verweisen RDRAMTMSamsung Electronic
600230K4S160822D1M x 8bit x 2 Bänke synchroner DRAM LVTTLSamsung Electronic
600231K4S160822DT-G/F102Mx8 SDRAM 1M x 8bit x 2 Bänke synchroner DRAM LVTTLSamsung Electronic
600232K4S160822DT-G/F72Mx8 SDRAM 1M x 8bit x 2 Bänke synchroner DRAM LVTTLSamsung Electronic
600233K4S160822DT-G/F82Mx8 SDRAM 1M x 8bit x 2 Bänke synchroner DRAM LVTTLSamsung Electronic
600234K4S160822DT-G/FH2Mx8 SDRAM 1M x 8bit x 2 Bänke synchroner DRAM LVTTLSamsung Electronic
600235K4S160822DT-G/FL2Mx8 SDRAM 1M x 8bit x 2 Bänke synchroner DRAM LVTTLSamsung Electronic
600236K4S161622D512K x 16Bit x 2 Bänke synchroner DRAMSamsung Electronic
600237K4S161622D-TC/L/I/P512K x 16Bit x 2 Bänke synchrones DRAM LeistungsblattSamsung Electronic
600238K4S161622D-TC/L/I/P512K x 16Bit x 2 Bänke synchrones DRAM LeistungsblattSamsung Electronic
600239K4S161622D-TC/L10512K x 16Bit x 2 Bänke synchroner DRAMSamsung Electronic
600240K4S161622D-TC/L55512K x 16Bit x 2 Bänke synchroner DRAMSamsung Electronic
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