Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
600201 | K4R441869AM-CK7 | 256K x 18 x 32s abhängigen Banken direkte RDRAM. Zugriffszeit: 45 ns, I / O-Freq. 711 MHz. | Samsung Electronic |
600202 | K4R441869AM-CK8 | 256K x 18 x 32s abhängigen Banken direkte RDRAM. Zugriffszeit: 45 ns, I / O-Freq. 800 MHz. | Samsung Electronic |
600203 | K4R441869AN-CG6 | 256K x 18 x 32s abhängigen Banken direkte RDRAM. Zugriffszeit: 53,3 ns, I / O-Freq. 600 MHz. | Samsung Electronic |
600204 | K4R441869AN-CK7 | 256K x 18 x 32s abhängigen Banken direkte RDRAM. Zugriffszeit: 45 ns, I / O-Freq. 711 MHz. | Samsung Electronic |
600205 | K4R441869AN-CK8 | 256K x 18 x 32s abhängigen Banken direkte RDRAM. Zugriffszeit: 45 ns, I / O-Freq. 800 MHz. | Samsung Electronic |
600206 | K4R441869B | K4R271669B:Direct RDRAM. Leistungsblatt | Samsung Electronic |
600207 | K4R441869B | Direktes RDRAM | Samsung Electronic |
600208 | K4R441869B-N(M)CG6 | 256K x 16/18 Bänke des Bits x 32s verweisen RDRAMTM | Samsung Electronic |
600209 | K4R441869B-N(M)CK7 | 256K x 16/18 Bänke des Bits x 32s verweisen RDRAMTM | Samsung Electronic |
600210 | K4R441869B-N(M)CK8 | 256K x 16/18 Bänke des Bits x 32s verweisen RDRAMTM | Samsung Electronic |
600211 | K4R521669A | 250 bis 0.13V; 512 / 576Mbit Kurzkanal nonstop 1066MHz RDRAM (A-Düse); 1M x 16 / 18bit x 32s Banks | Samsung Electronic |
600212 | K4R57(88)16(8)69A | Direktes RDRAM. Leistungsblatt | Samsung Electronic |
600213 | K4R571669D | 256/288Mbit RDRAM(D-die) | Samsung Electronic |
600214 | K4R571669M | Direktes RDRAM. Leistungsblatt | Samsung Electronic |
600215 | K4R761869A | 250 bis 0.13V; 512 / 576Mbit Kurzkanal nonstop 1066MHz RDRAM (A-Düse); 1M x 16 / 18bit x 32s Banks | Samsung Electronic |
600216 | K4R761869A-F | 576Mbit RDRAM (Ein-sterben Sie), 1M x 18bit x 32s Bänke direktes RDRAMTM | Samsung Electronic |
600217 | K4R761869A-FBCCN1 | 576Mbit RDRAM (Ein-sterben Sie), 1M x 18bit x 32s Bänke direktes RDRAMTM | Samsung Electronic |
600218 | K4R761869A-FCM8 | 576Mbit RDRAM (Ein-sterben Sie), 1M x 18bit x 32s Bänke direktes RDRAMTM | Samsung Electronic |
600219 | K4R761869A-FCT9 | 576Mbit RDRAM (Ein-sterben Sie), 1M x 18bit x 32s Bänke direktes RDRAMTM | Samsung Electronic |
600220 | K4R761869A-GCM8 | 576Mbit RDRAM (Ein-sterben Sie), 1M x 18bit x 32s Bänke direktes RDRAMTM | Samsung Electronic |
600221 | K4R761869A-GCN1 | 576Mbit RDRAM (Ein-sterben Sie), 1M x 18bit x 32s Bänke direktes RDRAMTM | Samsung Electronic |
600222 | K4R761869A-GCT9 | 576Mbit RDRAM (Ein-sterben Sie), 1M x 18bit x 32s Bänke direktes RDRAMTM | Samsung Electronic |
600223 | K4R881869 | 288Mbit RDRAM 512K x 18 Bit x abhängige Bänke 2*16 verweisen RDRAMTM | Samsung Electronic |
600224 | K4R881869D | 256/288Mbit RDRAM(D-die) | Samsung Electronic |
600225 | K4R881869M | Direktes RDRAM. Leistungsblatt | Samsung Electronic |
600226 | K4R881869M | Direktes RDRAM | Samsung Electronic |
600227 | K4R881869M-NBCCG6 | 288Mbit RDRAM 512K x 18 Bit x abhängige Bänke 2*16 verweisen RDRAMTM | Samsung Electronic |
600228 | K4R881869M-NCK7 | 288Mbit RDRAM 512K x 18 Bit x abhängige Bänke 2*16 verweisen RDRAMTM | Samsung Electronic |
600229 | K4R881869M-NCK8 | 288Mbit RDRAM 512K x 18 Bit x abhängige Bänke 2*16 verweisen RDRAMTM | Samsung Electronic |
600230 | K4S160822D | 1M x 8bit x 2 Bänke synchroner DRAM LVTTL | Samsung Electronic |
600231 | K4S160822DT-G/F10 | 2Mx8 SDRAM 1M x 8bit x 2 Bänke synchroner DRAM LVTTL | Samsung Electronic |
600232 | K4S160822DT-G/F7 | 2Mx8 SDRAM 1M x 8bit x 2 Bänke synchroner DRAM LVTTL | Samsung Electronic |
600233 | K4S160822DT-G/F8 | 2Mx8 SDRAM 1M x 8bit x 2 Bänke synchroner DRAM LVTTL | Samsung Electronic |
600234 | K4S160822DT-G/FH | 2Mx8 SDRAM 1M x 8bit x 2 Bänke synchroner DRAM LVTTL | Samsung Electronic |
600235 | K4S160822DT-G/FL | 2Mx8 SDRAM 1M x 8bit x 2 Bänke synchroner DRAM LVTTL | Samsung Electronic |
600236 | K4S161622D | 512K x 16Bit x 2 Bänke synchroner DRAM | Samsung Electronic |
600237 | K4S161622D-TC/L/I/P | 512K x 16Bit x 2 Bänke synchrones DRAM Leistungsblatt | Samsung Electronic |
600238 | K4S161622D-TC/L/I/P | 512K x 16Bit x 2 Bänke synchrones DRAM Leistungsblatt | Samsung Electronic |
600239 | K4S161622D-TC/L10 | 512K x 16Bit x 2 Bänke synchroner DRAM | Samsung Electronic |
600240 | K4S161622D-TC/L55 | 512K x 16Bit x 2 Bänke synchroner DRAM | Samsung Electronic |
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